nandflash编程器

① NANDFlash烧写器的功能描述

1.采用一托四的结构设计，可以对四片NAND Flash同时进行烧写，烧写过程实时校验写入数据，绝对保证数据的正确；
2.支持多种软硬件平台的NAND Flash数据烧写，内置针对多种软硬件平台的量身定做的坏块管理及烧写方式，极大的提高烧录良品率。
3.烧录速度快，512Byte小页面Flash速度约1.8MB/秒（带校验），2048Byte以上大页面SLC架构Flash编程速度约3MB/秒（带校验），2048Byte以上大页面MLC架构Flash编程速度约2.5MB/秒（数据全部比对校验）。
4.标配4.3寸超大真彩液晶屏，一切操作可视化，触摸屏及按键双输入方式，无需连接电脑,方便用户实时观察烧录过程；
5.支持以文件方式烧写和母片拷贝两种烧写方式：
（1）母片拷贝方式：用于将用户原始Flash上的内容拷贝到板载Flash，之后再将板载Flash上相应的内容写入空的Flash;
（2）文件方式烧写:用户可将指定文件置于SD卡或烧写器内置硬盘，本方式读出文件内容按指定方式（可支持特殊文件系统）写入Flash;
6.可灵活配置多种参数，如页读取、页、块内容比较、生成文件、坏块扫描、擦除、扫描有数据区间等等多种操作：
（1）对母片拷贝方式，可设置特殊坏块标记，方便适应不同的用户不同的坏块管理方式。且可设置拷贝区间，用户可选择拷贝有效数据区域，这样在之后烧写空片时可降低单位Flash的烧写时间；
（2）可读取指定Flash任意页的内容显示，方便用户实时观察Flash上的数据分布；
（3）可独立擦除指定的Flash，可独立扫描指定Flash的坏块，并形成详细坏块分布信息显示于屏幕；
（4）可扫描Flash上的空白页或空白块，方便用户了解原始Flash上的空间使用情况；
（5）可比较两个Flash之间不同块或不同页的内容，并将不同之处显示于屏幕，并可顺序浏览每一处不同；
7.可根据用户的特殊要求快速修改软件，按你的特殊要求量身定做烧录方式(坏块管理方式)，修改周期不超过3个工作日，且可定制特殊的文件系统的管理；

② nor flash和nand flash的区别

一、NAND flash和NOR flash的性能比较x0dx0a1、NOR的读速度比NAND稍快一些。x0dx0a2、NAND的写入速度比NOR快很多。x0dx0a3、NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。x0dx0a4、大多数写入操作需要先进行擦除操作。x0dx0a5、NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。x0dx0a二、NAND flash和NOR flash的接口差别x0dx0aNOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。x0dx0aNAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。x0dx0a三、NAND flash和NOR flash的容量和成本x0dx0aNAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。x0dx0a四、NAND flash和NOR flash的可靠性和耐用性x0dx0a采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说，Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。x0dx0a五、NAND flash和NOR flash的寿命(耐用性)x0dx0a在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。x0dx0a六、位交换x0dx0a所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见，NAND发生的次数要比NOR多)，一个比特位会发生反转或被报告反转了。一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存，NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候，同时使用x0dx0a七、EDC/ECC算法x0dx0a这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。x0dx0a八、坏块处理x0dx0aNAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。x0dx0aNAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。x0dx0a九、易于使用x0dx0a可以非常直接地使用基于NOR的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直接运行代码。x0dx0a由于需要I/O接口，NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。x0dx0a十、软件支持x0dx0a当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件，包括性能优化。x0dx0a在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。x0dx0a使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。x0dx0a驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。