hy57v561620ftp
Ⅰ HY57V561620FTP-H 是什么芯片
韩国现代产的SDRAM内存芯片，不是FLASH
Ⅱ 内存编号是HY57V561620CTP-H什么含义
含义不清楚,应该是256的条子
现代SD内存颗粒编号含义
以现代为例，SDRAM芯片上的标识为以下格式：
HY 5X X XXX XX X X X X XX -XX
HY代表是现代的产品。
5X表示芯片类型，57为一般的SDRAM，5D为DDR SDRAM。
第2个X代表工作电压，空白为5V，\"V\"为3.3V, \"U\"为2.5V。
第3-5个X代表容量和刷新速度，分别如下：
16： 16Mbits，4K Ref。
64： 64Mbits，8K Ref。
65： 64Mbits，4K Ref。
128：128Mbits，8K Ref。
129：128Mbits，4K Ref。
256：256Mbits，16K Ref。
257：256Mbits，8K Ref。
第6、7个X代表芯片输出的数据位宽，40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。
第8个X代表内存芯片内部由几个Bank组成，1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank。是2的幂次
关系。
第9个X一般为0，代表LVTTL(Low Voltage TTL)接口。
第10个X可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新。
第11个X如为\"L\"则代表低功耗的芯片，如为空白则为普通芯片。
第12、13个X代表封装形式，分别如下：
JC ： 400mil SOJ
TC ： 400mil TSOP-Ⅱ
TD ： 13mm TSOP-Ⅱ
TG ： 16mm TSOP-Ⅱ
最后几位为速度：
7： 7ns (143MHz)
8： 8ns (125MHz)
10p： 10ns (PC-100 CL2 &3)
10s： 10ns (PC-100CL 3)
10 ： 10ns (100MHz)
12 ： 12ns (83MHz)
15 ： 15ns (66MHz)
注：例如常见的HY57V658010CTC-10s，HY是现代的芯片，57说明是SDRAM，65是64Mhbit和4K
refresh cycles/64ms，下来的8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil
TSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100。
Ⅲ 1T的硬盘要多少钱
1TB硬盘到底是个什么概念？用最直观的方式解释就是1TB硬盘可以存储25万首MP3歌曲、358部电影、1000小时视频、333.3万张高质量照片或者500多个大型游戏。随着1TB硬盘不断走低，目前已经被不少摄影、BT等用户列为购买计划之内。今天笔者了解到：日立1TB硬盘已经跌破1200元大关，目前仅1199元，相信会令不少用户眼前一亮。
日立1TB 32MB SATA2.5硬盘外观
笔者将日立1TB 32MB SATA2.5硬盘拿在手里第一感觉就是分量相当沉重，该硬盘内部采用5张盘片，单碟容量为200GB，总共有10个磁头。该产品使用垂直记录技术生产，3Gbps接口传输率、转速7200RPM、平均延迟4.17ms、平均寻道时间8.7ms、缓存为32MB、最大数据传输率1070Mb/s、最大高度26.1mm、空闲功耗9.0W。
日立1TB 32MB SATA2.5硬盘规格标签
从标签中可以看出，日立1TB 32MB SATA2.5硬盘编号为HDS721010KLA330，容量为1TB，转速7200转，采用SATA2.5接口，支持NCQ技术，产品生产于泰国。
日立1TB 32MB SATA2.5硬盘接口
日立1TB 32MB SATA2.5硬盘除了具备SATA专用供电接口以外，还保留了传统4针D型供电口，扩大了产品的兼容范围。
主控芯片
日立1TB 32MB SATA2.5硬盘使用了英飞凌公司的主控芯片，独立缓存设计，缓存芯片为韩国现代原厂SDRAM，编号为HY57V561620FTP-6。
编辑评语：日立1TB 32MB SATA2.5硬盘从上市到现在跌幅已经很大，目前价格已经下跌过半，仅售1199元，相信是企业用户不错的选择。
日立1TB 32MB SATA2.5硬盘（7K1000）
[市场售价] 1199元
Ⅳ SD的内存编号HY57V561620BT－H是多大的啊
256MB
57 表示为SDRAM内存
V代表VDD=3.3V & VDDQ=2.5V
56代表256MB容量，8K刷新
16代表16bit
最后一位 H代表DDR266B（133MHz），延迟为2.5-3-3
Ⅳ 我的内存上的编号为HY57V561620FTP-H内存容量是多少
HY 开头内存的是海力士内存.一般看第6,7位数看容量.
28是128MB
56是256MB
1G是1GB
你的应该是64M内存.
此答案是正确的.如果谁认为不对,可以向我技术交流.
Ⅵ ADC（AD9245）、FPGA（EP2S60F1020C3）和SDRAM（HY57V561620）的接口电路
FPGA做控制器。ADC和SDRAM为外围电路。根据各自的datasheet，了解芯片的应用电路和控制时序等。外围电路无外乎就是关于数据线地址线和控制线的分配。把FPGA的IO口定义成相应的地址数据和控制线，根据文档里的应用需求搭外围电路。同时考虑软件控制时方式，设计相应的硬件应用电路。
思路有了，然后就是设计和论证。当然调试是必须的，有问题就解决。经验就是在不断的否定自我积累出来的。相信你能办到。
Ⅶ HY57V561620FTP-H这是什么芯片呢为什么连接电路图的工作原理是什么呢
海力士内存芯片256M.
Ⅷ TQ2440开发板接了两块256M的SDRAM，但是ARM9不是最大支持128M的SDRAM吗
很巧，我刚学到这一块，一开始也被迷糊了，之后想了想.
s3c2440的bank6和bank7支持128M B，注意，单位是 Byte.
TQ2440原理图的HY57V561620FTP是 4bank * 4M * 16bit，256M，注意，单位是 bit，也就是 32M Byte.
存储器很多都是以 bit为单位来说的！
PS，我的TQ2440用的片子貌似是 MT48LC16M16A2.难道我们的批次不一样？
Ⅸ HY57V561620HT-H这条内存的标号是什么意思
现代芯片编号格式一般为："HY 5a b cde fg h i j k lm-no"。其中：
HY代表现代的产品；
5a表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；
b代表工作电压(空白=5V，V=3.3V，U=2.5V)；
cde代表容量和刷新速度(16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref)；
fg代表芯片输出的数据位宽(40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位)；
h代表内存芯片内部由几个Bank组成(1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank)；
I代表接口(0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕接口)；
j代表内核版本(可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新)；
k代表功耗(L=低功耗芯片，空白=普通芯片)；
lm代表封装形式(JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-II，TD=13mm TSOP-II，TG=16mm TSOP-II)；
no代表速度(7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，10p=10ns〔PC-100 CL2或3〕，10s=10ns〔PC-100 CL3〕，10=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=5ns〔66MHz〕，K =DDR266A ，H =DDR266B ，L =DDR200)。
如"HY5DU28822T－H"表示该芯片是一块现代生产的符合PC2100标准的DDR SDRAM
Ⅹ HY57V561620 HY57V641620区别 芯片命名原则是什么 好多芯片就差几个数字而已 功能有什么差别吗
30.海力士内存以“HY5”为前缀的颗粒是怎样编号的？
答：韩国Hynix（海力士）原来是现代（Hyundai）公司所属的一个内存生产厂，当时生产的内存颗粒编号都是以“HY”为前缀的。后来Hynix成了一个独立的内存生产厂，其颗粒编号也改为以“H”为前缀了。因此，一般把以“HY”为前缀的内存颗粒称为“现代”内存；而把以“H”为前缀的颗粒成为“海力士”内存。其实都是Hynix的产品。
以“HY5”为前缀的内存颗粒都是比较早期的内存，在计算机用的内存中，DDR2和DDR3内存没有再使用“HY”为前缀为编号。但是，在Consumer Memory(用于电视机机顶盒或摄像机等用的内存)中，仍然继续使用了一段时间。2007年决定所有海力士内存的前缀都用“H”代换“HY”。现在举例说明以“HY5”为前缀的内存的命名方法，见下表所示（根据厂家网站资料，按我的理解归类的）。
以“HY5”为前缀的海力士内存颗粒的编号规律
含义 类型 电压 密度 位宽 BANK 接口 版本 功耗 封装 - 速度 温度
SDRAM HY57 V 56 8 2 0 F TP - 10s
SDRAM HY57 V 65 16 2 0 A TC - 75
DDR1 HY5D U 56 8 2 2 D TP - D43
DDR1 HY5D U 12 4 2 2 B L T - M
注；其中的速度，对SDRAM来说：5:5ns(200MHz)；6: 6ns(166MHz)；75: 7.5ns(133MHz)；
K: PC133, CL2；H: PC133, CL3；P: PC100, CL2；S: PC100, CL3；10: 10ns(100MHz)；
15: 15ns(66MHz)。
对DDR来说：有过变动，“D4”代表DDR400，时序为3-4-4；“D43”代表DDR400，时序为3-3-3；“J”代表DDR333；“M”、“K”和“H”都代表DDR266，只是时序不同；“L”代表DDR200；“4”代表250MHz；“5”代表200MHz。
其他项的解释：
类型：“HY”现代的意思；“5”和“57”都代表SDRAM内存；“5D”代表DDR1内存；
电压：是指处理工艺和供电电压（PROCESS & POWER SUPPLY）：对SDRAM和DDR1：
空白是5V;“V”代表CMOS,3.3V；“U”代表CMOS,2.5V；
密度：是指颗粒密度和刷新速度（DENSITY & REFRESH）：
对SDRAM来说，“64”和“65”都是64Mb;“26”和“28”都是128Mb；“56”和“52”都是256Mb。
对DDR1来说，“28”是128Mb；“56”是256Mb;“12”是512Mb 。
根据密度和模组颗粒数就可以知道模组的容量。例如，密度标以“12”时，如果有8个颗粒，模组容量就是512MB；如果有16个颗粒，容量就是1GB。
位宽：是指颗粒的位宽（datawidth）：
“4”代表“×4”；“8”代表“×8”;“16”代表“×16”；“32”代表“×32”。
BANK：是指每个颗粒的逻辑BANK数。“1”代表2BANK；“2”代表4BANK；“3”代表8BANK。
接口：是指颗粒的电气接口（Interface）。“0”代表LVTTL;“1”代表SSTL;“2”代表SSTL_2；
版本：是指颗粒出厂的版本。空白代表第1版；二版后依次用A、B、C、D等表示；
功耗：是指功率消耗（Power consumption）。空白表示正常耗电；“L”表示低功耗；
封装：芯片发封装方法（Package）。TC：400mil TSOPII；JQ:100Pin-TQFP；
速度；速度（speed）是指颗粒的频率，说明见表注。
温度：温度（Temperature），“I”是工业温度；“E”是扩展温度。但是，在编号中经常没有这一项。