intel530ssd缓存

㈠ 你好，Intel530的120gSSD,写入放大异常，达到4倍左右，影响固态盘的使用吗

你好，正常来说，非压缩型主控（marvell，SMI,群联等）正常的放大比在8倍左右。
压缩型主控（SF）正常的放大比在2倍左右，
intel530采用的是SF2281主控，理论来说放大比在2倍左右，现在好多使用这款ssd的人都反映写入放大有问题。
估计是固件问题，等待intel官方看看能不能在新固件中解决问题。

㈡ 为什么希捷530SSD有的没有缓存呢

为了保护数据。
固态硬盘带缓存和不带的区别是有缓存掉电容易掉数据，但跑分会在4k上加成，没缓存有利于保护数据。无缓存是当前固态硬盘的主流发展方向，这是价格导向决定的。

㈢ 英特尔 530 120G SSD 固态硬盘.硬盘读取速度 最高 540MB/S (ATTO测).硬

看样子英特尔的好点，我们一般看写入速度，越大越好，读一般都差不多
但还要看内存粒的类型，MLC就好点，TLC就还是不要了

㈣ 英特尔固态硬盘530好吗

这个还可以。 热门品牌： 希捷、西部数据、日立、三星、东芝等。

硬盘常见的技术指标有以下几种：
1.每分钟转速(RPM，Revolutions Per Minute)：这一指标代表了硬盘主轴马达(带动磁盘)的转速，比如5400RPM就代表该硬盘中的主轴转速为每分钟5400转。
2.平均寻道时间(Average Seek Time)：一般指读取时的寻道时间，单位为ms(毫秒)。这一指标的含义是指硬盘接到读/写指令后到磁头移到指定的磁道(应该是柱面，但对于具体磁头来说就是磁道)上方所需要的平均时间。
3.平均潜伏期(Average Latency)：这一指标是指当磁头移动到指定磁道后，要等多长时间指定的读/写扇区会移动到磁头下方(盘片是旋转的)，盘片转得越快，潜伏期越短。平均潜伏期是指磁盘转动半圈所用的时间。显然，同一转速的硬盘的平均潜伏期是固定的。7200RPM时约为4.167ms，5400RPM时约为5.556ms。
4.平均访问时间(Average Access Time)：又称平均存取时间，一般在厂商公布的规格中不会提供，这一般是测试成绩中的一项，其含义是指从读/写指令发出到第一笔数据读/写时所用的平均时间。
5、数据传输率(DTR，Data Transfer Rate)：单位为MB/s(兆字节每秒，又称MBPS)或Mbits/s(兆位每秒，又称Mbps)。DTR分为最大(Maximum)与持续(Sustained)两个指标，根据数据交接方的不同又分外部与内部数据传输率。内部DTR则是硬盘的真正数据传输能力，为充分发挥内部DTR，外部DTR理论值都会比内部DTR高，但内部DTR决定了外部DTR的实际表现。
6、缓冲区容量(Buffer Size)：很多人也称之为缓存(Cache)容量，单位为MB。在一些厂商资料中还被写作Cache Buffer。缓冲区的基本作用是平衡内部与外部的DTR。为了减少主机的等待时间，硬盘会将读取的资料先存入缓冲区，等全部读完或缓冲区填满后再以接口速率快速向主机发送。
7、噪音与温度(Noise & Temperature)：这两个属于非性能指标。

常见对硬盘认识的误区
1、转速与寻道时间：
现在不少人都认为硬盘转速越快寻道时间就越快，但这是最常见的错误认识，事实上寻道速度根本不决定于转速，因为两者的控制设备就不一样。转速是由主轴马达控制，寻道则由音圈马达控制。
2、转速与数据传输率：
在很多人的印象和厂商的宣传中，更高的转速的主要用意在于提高数据传输率，但这并不正确。持续数据传输率决定于很多指标，并不光只是转速。当然，有人会说转速更高，磁头单位时间划过的扇区就越多，不错，但前提是线密度一样。
3、真正的内部数据传输率：
随着硬盘知识的普及，又出现了新的误区——拿以Mbps为单位的最高内部DTR说事，厂商也投其所好，在产品资料中基本都公布了最大内部传输率，但多是以Mbps为单位。但是，它恰恰不能通过除8来换算成MBPS，因为这个数值是磁头处理二进制0/1信号(即bit)的纯理论性能，而磁头处理的信号很大部分并不是用户需要的数据(存入的数据都是经过编码的，包含许多辅助信息)，因此不能以字节为单位。很多硬盘这一数值都是相当高的，如以前的富士通硬盘，指标很好，但实际性能却是另一码事。完全可以说，这个Mbps值没有什么实际价值，给人的是一种假象。
在硬盘中，真正重要的是内部持续DTR，它分为单磁道瞬间DTR与持续DTR两个指标，单磁道瞬间DTR的计算公式是“512字节×SPT×磁盘每秒所转圈数”或“512字节×SP T÷磁盘转一圈所用时间”，由于磁盘转一圈所用时间一般不能除尽，所以经常用前一种公式。持续DTR的计算公式则为“512字节×SPT×磁头数/总耗时”，其中“总耗时=(磁头数-1)×磁头切换时间+道间寻道时间+磁头数×磁盘转一圈的时间”。磁头切换时间一般在产品的用户手册中有标注，大约在1ms左右。单磁道瞬间DTR表明了硬盘实际上所能达到的最大内部DTR，持续DTR则体现了硬盘真正的数据传输能力。很遗憾的是，目前只有迈拓和IBM提供了内部持续DTR数据，其他厂商仍然用Mbps数值迷惑普通大众。但是，厂商心里是明白的，他们自己也不会混淆概念(只是没事偷着乐)，在数据的说法上也是非常严谨，如果你哪天发现厂商公布的内部DTR使用了MB/s为单位，那么这很可能就是我们所真正需要的数据，而不要再用Mbps去除8了。
4、缓冲区容量与性能：
理论上讲，缓冲区越大，即使内部DTR不变，硬盘的性能也会更好，这就好比CPU中的缓存一样。不过，要做到缓冲区容量的增加并提高性能还是有一定难度的。
大容量缓冲区的数据安全性主要是指在突然断电的情况下，缓冲区中的待写数据将如何处理的问题。这方面笔记本

㈤ 希捷硬盘1t和intel/英特尔 530固体硬盘和用怎么设置

Intel SSD和HDD（机械硬盘）可以用下述方法组建：
1）系统安装在SSD上（SSD容量较大）；
2）使用SSD当缓存盘（SSD容量小），此时可以使用Intel Rapid Start技术来实现。

㈥ 530u3c ssd重新安装系统之后 ssd怎么设置做缓存

您好，感谢您使用三星笔记本电脑！
根据您的描述，请您按以下方法尝试：

请您到磁盘管理内查看RAID1磁盘是否挂起（ISSD）显示未分配证明ISSD未发挥作用，建议按以下方法尝试：
1.先下载SWUpdate软件，下载地址：http://downloadcenter.samsung.com/content/DR/201211/20121120210418340/SWUpdate_2.1.5.30.ZIP
2.通过SW软件搜索笔记本型号依次下载安装 Intel英特尔Rapid Storage Technology驱动、Intel Rapid start technology快速启动软件、ExpressCache 软件。
3.下载安装 Easy Settings软件，在该软件下的常规选项下重置ExpressCache系统缓存即可。
4.重启计算机

欢迎登陆三星数字服务平台提问：http://support.samsung.com.cn/ask

㈦ 英特尔 530 系列固态硬盘 120g 简包sata3接口 笔记本能用吗

您好，可以的。
最新的英特尔530系列则采用Intel 20nm ONFI MLC闪存芯片，并且主控制器也更换为Intel BF29AS41BB0 SSD。
英特尔530系240GB SSD采用银色的金属外壳设计，正面外壳打磨抛光处理，右上角贴有彩色英特尔镭射贴纸，背面外壳经过磨砂处理，不会留下手印等痕迹。
您还可以到中关村或京东商城查询更多产品信息！
希望以上信息可以帮到您！

㈧ 英特尔530 系列固态硬盘 240G 简包 这个硬盘有缓存吗，多大的

有，这个硬盘缓存256M

㈨ 英特尔 530 系列sata 6gb/s固态硬盘 240g 有缓存吗

你好
根据你的情况
该固态硬盘是没有缓存的

希望对你有所帮助，望采纳