电存储器件

㈠ 铁电存储器和eeprom的区别是什么

铁电存贮器（FRAM）快速擦写和非易失性等特点，令系统工程师可以把现有设计中的SRAM和EEPROM器件整合到一个铁电存贮器（FRAM）里，或者简单地作为SRAM扩展。

在多数情况下，系统使用多种存储器类型，FRAM提供了只使用一个器件就能提供ROM,RAM和EEPROM功能的能力，节省了功耗，成本，空间，同时增加了整个系统的可靠性。

最常见的例子就是在一个有外部串行EEPROM嵌入式系统中，FRAM能够代替EEPROM,同时也为处理器提供了额外的SRAM功能。

典型应用：便携式设备中的一体化存储器，使用低端控制器的任何系统。

㈡ 电子元器件的储存方法及保管条件是什么

场所：立体式货架仓库：通风、干燥、无腐蚀性气体。仓库保持通风、通光、通气、通道通畅状态，严禁吸烟，禁止违章用火、用电并做好防火工作，消防标识明确。
4.2.2 贮存条件和期限
（1）无特殊要求的物品（合格原材料、半成品）
存储条件：遮阳、常温、保持通风，干燥。
（2）储存期限
①电子元器件的有效储存期为12个月；
②塑胶件的有效储存期为12个月；
③五金件的有效储存期6个月；
④包装材料的有效储存期为12个月；
⑤成品的有效储存期为12个月。
（3）特殊要求的物品
针对特殊要求的物料根据存储要求存放。
物料类别 存贮相对 温度 贮存相对
湿度 存贮高度、
容器 贮存期限

锡膏、胶水类 2－10℃ 无特殊要求 冰箱、冰柜 根据保质期规定
电子元器件 20±5℃ 40%~70% 电子仓，标准包装 12个月

4.4 防护
4.4.1 电子仓防护要求
4.4.1.1 电子仓要求有防静电地板，人员必须按照防静电的要求，着装防静电服，佩戴防静电手环。
4.4.1.2 要求按物品的类别分区存放，易燃易爆品要求有适当的隔离措施，针对特殊要求的物品应有显着的警示标识或安全标识。
4.4.1.3 物料摆放整齐，存料卡出、入库内容规范，做到帐、物、卡相符。
4.4.1.4 物品不可直接落地存放，需有托盘或货架防护。
4.4.1.5 物料叠放要求上小下大，上轻下重，一个托盘只能放置同一种物料，堆放高度有特殊要求的依据特殊要求堆放，但最高不得超过160cm。
4.4.1.6 散料、盘料及有特殊要求的物品存放具体参考相关规范。
4.4.1.7 对有防静电要求的物品必须根据实际情况选择以下方法：装入防静电袋和防静电周转箱存放等。
4.4.2 原材料防护要求
4.4.2.1 主要针对产品元器件、PCB板、五金件、塑胶件、包材等的防护。
4.4.2.2 电子元器件应充分考虑防尘和防潮等方面的要求。
4.4.2.3 对于真空包装的PCB光板、IC 等要将其完好包装,不能让铜箔和引脚直接暴露在空气中，以防止产品氧化。
4.4.2.4 针对特殊原材料的防护请依据其要求进行防护。
4.4.2.5 对于有引脚的元件特别是IC等引脚容易变形的元件在盛装时要采用原厂的包装形式，避免元件引脚变形导致不方便甚至不能作业。
4.4.2.6 原材料防护见下表

防护作业过程 防护设施或设备 防护要点 责任部门
元器件 库房、工位架、防静电袋、防静电箱 静电防护 物流部
PCB板 库房、工位架、防静电袋、防静电箱 静电防护 物流部
五金件 库房、工位架、纸箱、胶筐 磕碰、划伤 物流部
塑胶件 库房、工位架、纸箱、胶筐 挤压、磕碰、划伤 物流部
包材 库房、栈板 防雨防潮 物流部
附件及配件

磁铁 库房、工位架、栈板、纸箱

纸箱、胶筐
防雨防潮

与其他五金件隔离 物流部

物流部

4.4.3 成品仓防护要求
4.4.3.1 要求防雨防潮，遮阳，保持通风干燥。
4.4.3.2 出、入库要轻拿轻放，严禁乱摔、乱抛。
4.4.3.3 堆放合理，严格按照成品要求的堆放层数堆放。

㈢ 存储器为什么要分为外储存器和内储存器两者各有什么特点Cache的作用是什么

外存——非易失性存储器（速度慢）——代表性器件：硬盘
内存——电存储器（速度特别快）——代表性器件：内存
缓存（cache）——电存储器（比内存更快）——预读内存中的数据共处理器随时调用，减少直接读取内存，提高性能。

㈣ 电荷和电能的元件什么叫“储存电荷”“储存电能”

因为电是一种能量，它能使物体发热发光转动等等，是一种大自然的神力！把这种神力存起来不让它跑掉就叫储存电能，等用得着的时候再把它放出来就叫释放能量。电容具有储存电能的能力，它可以做到这一点，电阻就做不到这一点，二极管也不行，桌子凳子喝水的杯子也做不到，所以才说电容是存储电能的元件，电容属于电子元件，这是人们规定的，它不属于床上用品。

㈤ 电子元器件的存储条件及有效期的标准及标准来源

电子元器件存储条件：

1、电子元器件仓库储存要求：

1.1、环境要求： 电子元器件必须储存在清洁、通风、无腐蚀性气体的仓库内；除另有规定外，仓库的温 度和相对湿度必须满足如下要求： a.温度： -5~30℃； b.相对湿度：20%~75%； 仓库储存环境条件的优劣直接影响有限储存期的长短，参见附录 A。

1.2、特殊要求：对静电敏感器件 （如 MOS 场效应晶体管、 砷化镓场效应晶体管、 CMOS 电路等） ， 应存放在具有静电屏蔽作用的容器内。

(5)电存储器件扩展阅读：

电容在电路中一般用"C"加数字表示(如C13表示编号为13的电容)，电容是由两片金属膜紧靠，中间用绝缘材料隔开而组成的元件，电容的特性主要是隔直流通交流。

电容的容量大小表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。

晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示，如，D5表示编号为5的二极管。

作用：二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。

因为二极管具有上述特性，无绳电话机中常把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。

㈥ 电子元器件的储存方法及保管条件

场所：立体式货架仓库：通风、干燥、无腐蚀性气体。仓库保持通风、通光、通气、通道通畅状态，严禁吸烟，禁止违章用火、用电并做好防火工作，消防标识明确。
4.2.2 贮存条件和期限
（1）无特殊要求的物品（合格原材料、半成品）
存储条件：遮阳、常温、保持通风，干燥。
（2）储存期限
①电子元器件的有效储存期为12个月；
②塑胶件的有效储存期为12个月；
③五金件的有效储存期6个月；
④包装材料的有效储存期为12个月；
⑤成品的有效储存期为12个月。
（3）特殊要求的物品
针对特殊要求的物料根据存储要求存放。
物料类别 存贮相对 温度 贮存相对
湿度 存贮高度、
容器 贮存期限

锡膏、胶水类 2－10℃ 无特殊要求 冰箱、冰柜 根据保质期规定
电子元器件 20±5℃ 40%~70% 电子仓，标准包装 12个月

4.4 防护
4.4.1 电子仓防护要求
4.4.1.1 电子仓要求有防静电地板，人员必须按照防静电的要求，着装防静电服，佩戴防静电手环。
4.4.1.2 要求按物品的类别分区存放，易燃易爆品要求有适当的隔离措施，针对特殊要求的物品应有显着的警示标识或安全标识。
4.4.1.3 物料摆放整齐，存料卡出、入库内容规范，做到帐、物、卡相符。
4.4.1.4 物品不可直接落地存放，需有托盘或货架防护。
4.4.1.5 物料叠放要求上小下大，上轻下重，一个托盘只能放置同一种物料，堆放高度有特殊要求的依据特殊要求堆放，但最高不得超过160cm。
4.4.1.6 散料、盘料及有特殊要求的物品存放具体参考相关规范。
4.4.1.7 对有防静电要求的物品必须根据实际情况选择以下方法：装入防静电袋和防静电周转箱存放等。
4.4.2 原材料防护要求
4.4.2.1 主要针对产品元器件、PCB板、五金件、塑胶件、包材等的防护。
4.4.2.2 电子元器件应充分考虑防尘和防潮等方面的要求。
4.4.2.3 对于真空包装的PCB光板、IC 等要将其完好包装,不能让铜箔和引脚直接暴露在空气中，以防止产品氧化。
4.4.2.4 针对特殊原材料的防护请依据其要求进行防护。
4.4.2.5 对于有引脚的元件特别是IC等引脚容易变形的元件在盛装时要采用原厂的包装形式，避免元件引脚变形导致不方便甚至不能作业。
4.4.2.6 原材料防护见下表

防护作业过程 防护设施或设备 防护要点 责任部门
元器件 库房、工位架、防静电袋、防静电箱 静电防护 物流部
PCB板 库房、工位架、防静电袋、防静电箱 静电防护 物流部
五金件 库房、工位架、纸箱、胶筐 磕碰、划伤 物流部
塑胶件 库房、工位架、纸箱、胶筐 挤压、磕碰、划伤 物流部
包材 库房、栈板 防雨防潮 物流部
附件及配件

磁铁 库房、工位架、栈板、纸箱

纸箱、胶筐
防雨防潮

与其他五金件隔离 物流部

物流部

4.4.3 成品仓防护要求
4.4.3.1 要求防雨防潮，遮阳，保持通风干燥。
4.4.3.2 出、入库要轻拿轻放，严禁乱摔、乱抛。
4.4.3.3 堆放合理，严格按照成品要求的堆放层数堆放。

㈦ 存储器的类型

根据存储材料的性能及使用方法的不同，存储器有几种不同的分类方法。1、按存储介质分类：半导体存储器：用半导体器件组成的存储器。磁表面存储器：用磁性材料做成的存储器。
下面我们就来了解一下存储器的相关知识。
存储器大体分为两大类，一类是掉电后存储信息就会丢失，另一类是掉电后存储信息依然保留，前者专业术语称之为“易失性存储器”，后者称之为“非易失性存储器”。

1 RAM

易失性存储器的代表就是RAM（随机存储器），RAM又分SRAM（静态随机存储器）和DRAM（动态随机存储器）。

SRAM
SRAM保存数据是靠晶体管锁存的，SRAM的工艺复杂，生产成本高，但SRAM速度较快，所以一般被用作Cashe，作为CPU和内存之间通信的桥梁，例如处理器中的一级缓存L1 Cashe, 二级缓存L2 Cashe，由于工艺特点，SRAM的集成度不是很高，所以一般都做不大，所以缓存一般也都比较小。

DRAM
DRAM（动态随机存储器）保存数据靠电容充电来维持，DRAM的应用比SRAM更普遍，电脑里面用的内存条就是DRAM，随着技术的发展DRAM又发展为SDRAM（同步动态随机存储器）DDR SDRAM（双倍速率同步动态随机存储器），SDRAM只在时钟的上升沿表示一个数据，而DDR SDRAM能在上升沿和下降沿都表示一个数据。
DDR又发展为DDR2,DDR3,DDR4，在此基础上为了适应移动设备低功耗的要求，又发展出LPDDR(Low Power Double Data Rate SDRAM)，对应DDR技术的发展分别又有了LPDDR2, LPDDR3, LPDDR4。

目前手机中运行内存应用最多的就是 LPDDR3和LPDDR4，主流配置为3G或4G容量，如果达到6G或以上，就属于高端产品。

2 ROM

ROM(Read Only Memory)在以前就指的是只读存储器，这种存储器只能读取它里面的数据无法向里面写数据。所以这种存储器就是厂家造好了写入数据，后面不能再次修改，常见的应用就是电脑里的BIOS。
后来，随着技术的发展，ROM也可以写数据，但是名字保留了下来。
ROM中比较常见的是EPROM和EEPROM。

EPROM
EPROM(Easerable Programable ROM)是一种具有可擦除功能，擦除后即可进行再编程的ROM内存，写入前必须先把里面的内容用紫外线照射IC上的透明视窗的方式来清除掉。这一类芯片比较容易识别，其封装中包含有“石英玻璃窗”，一个编程后的EPROM芯片的“玻璃窗”一般使用黑色不干胶纸盖住， 以防止遭到紫外线照射。

EPROM (Easerable Programable ROM)

EPROM存储器就可以多次擦除然后多次写入了。但是要在特定环境紫外线下擦除，所以这种存储器也不方便写入。

EEPROM
EEPROM(Eelectrically Easerable Programable ROM)，电可擦除ROM，现在使用的比较多，因为只要有电就可擦除数据，再重新写入数据，在使用的时候可频繁地反复编程。

FLASH
FLASH ROM也是一种可以反复写入和读取的存储器，也叫闪存，FLASH是EEPROM的变种，与EEPROM不同的是，EEPROM能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，而FLASH的大部分芯片需要块擦除。和EEPROM相比，FLASH的存储容量更大。
FLASH目前应用非常广泛，U盘、CF卡、SM卡、SD/MMC卡、记忆棒、XD卡、MS卡、TF卡等等都属于FLASH，SSD固态硬盘也属于FLASH。

NOR FLAHS & NAND FLASH
Flash又分为Nor Flash和Nand Flash。
Intel于1988年首先开发出Nor Flash 技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面；随后，1989年，东芝公司发表了Nand Flash 结构，强调降低每比特的成本，有更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。
Nor Flash与Nand Flash不同，Nor Flash更像内存，有独立的地址线和数据线，但价格比较贵，容量比较小；而Nand Flash更像硬盘，地址线和数据线是共用的I/O线，类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一样，而且Nand Flash与Nor Flash相比，成本要低一些，而容量大得多。

如果闪存只是用来存储少量的代码，这时Nor Flash更适合一些。而Nand Flash则是大量数据存储的理想解决方案。
因此，Nor Flash型闪存比较适合频繁随机读写的场合，通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行，Nand Flash型闪存主要用来存储资料，我们常用的闪存产品，如U盘、存储卡都是用Nand Flash型闪存。
在Nor Flash上运行代码不需要任何的软件支持，在Nand Flash上进行同样操作时，通常需要驱动程序。

目前手机中的机身内存容量都比较大，主流配置已经有32G~128G存储空间，用的通常就是Nand Flash，另外手机的外置扩展存储卡也是Nand Flash。

㈧ 铁电存储器FRAM的FRAM优势

FRAM有三种不同的特性使其优于浮栅技术器件：
1. 快速写入
2. 高耐久性
3. 低功耗
以下列举了FRAM在一些行业应用领域中与其他存储器相比较的主要优势：
频繁掉电环境
任何非易失性存储器可以保留配置。可是，配置更改或电源失效情况随时可能发生，因此，更高写入耐性的FRAM允许无任何限制的变更记录。任何时间系统状态改变，都将写入新的状态。这样可以在电源关闭可用的时间很短或立即失效时状态被写入存储器。
高噪声环境
在嘈杂的环境下向EEPROM写数据是很困难的。在剧烈的噪音或功率波动情况下，EEPROM的写入时间过长会出现漏洞（以毫秒衡量），在此期间写入可能被中断。错误的概率跟窗口的大小成正比。FRAM的写入执行窗口少于200ns。
RFID系统
在非接触式存储器领域里，FRAM提供一个理想的解决方案。低功耗访问在RFID系统中至关重要，因为，能源消耗是以距离成指数下降的。想要以最小的能耗读写标签数据就必须保持标签有足够近的距离。通过对射频发射机和接收机改进写入距离，降低运动的灵敏性（区域内的时间）以及降低射频（RF）功率需求，使需要写入的应用（i.e.借记卡，在生产工序中使用的标签）获得优势。
诊断和维护系统
在一个复杂的系统里，记录系统失效时的操作历史和系统状态是非常宝贵的。如果没有这些数据，能够准确的解决或执行需求指令是很困难的。由于FRAM具备高耐久性的特点，可以生成一个理想的系统日志。从计算机工作站到工业过程控制不同的系统，都能从FRAM中获益。

㈨ 电子元器件的存储条件及有效期的标准及标准来源是什么

1. 电子元器件必须储存在清洁、通风、无腐蚀性气体的仓库内；除另有规定外，仓库的温 度和相对湿度必须满足如下要求： a.温度： -5~30℃； b.相对湿度：20%~75%； 仓库储存环境条件的优劣直接影响有限储存期的长短。

2. 对静电敏感器件 （如 MOS 场效应晶体管、 砷化镓场效应晶体管、 CMOS 电路等） ， 应存放在具有静电屏蔽作用的容器内。

3. 对磁场敏感但本身无磁屏蔽的电子元器件，应存放在具有磁屏蔽作用的容器内。

4. 油封的机电原件应保持油封的完整。

具体如下表：