flash存储厂商

1. 长江存储是国企还是私企

私企。因为其公司性质为其他有限责任公司。

长江存储科技有限责任公司（“长江存储”）于2016年7月在中国武汉成立，是一家专注于3DNAND闪存芯片设计、生产和销售的IDM存储器公司。长江存储为全球工商业客户提供存储器产品，广泛应用于移动设备、计算机、数据中心和消费电子产品等领域。

2017年，长江存储在全资子公司武汉新芯12英寸集成电路制造工厂的基础上，通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计并制造了中国首批3DNAND闪存芯片。长江存储在武汉、上海、北京等地设有研发中心，通过不懈努力和技术创新，致力于成为的NAND闪存解决方案提供商。

发展历史

中国存储芯片产业以投入NAND Flash市场的长江存储、专注于移动存储芯片的合肥长鑫以及致力于普通存储芯片的晋华集成三大企业为主。

以三家厂商的进度来看，试产时间预计将在2018年下半年，量产时间可能都在2019年上半年，这预示着2019年将成为中国存储芯片生产元年。

以上内容参考：网络-长江存储科技有限责任公司

2. nandflash和norflash的区别

NANDflash和NORflash的区别
两种并行FLASH
Flash存储器又称闪存，是一种可以在线多次擦除的非易失性存储器，即掉电后数据不会丢失，具体积小、功耗低、抗振性强等优点，为嵌入式系统中典型的两种存储设备。
1、NOR型Flash：如SST39VF160，可以直接读取芯片内存储器的数据，速度比较快，但价格较高；芯片内执行（XIP，eXecute
In
Place），应用程序可以直接在Flash上运行，不必再把代码读到系统RAM中；
2、NAND型Flash：如K9F2808U0C，内部数据以块为单位存储，地址线和数据线共用，使用控制信号选择；极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也快，应用NAND型的困难在于Flash的管理需要特殊的系统接口。
3、细述二者的差别：
（1）、接口差别：
NOR型Flash采用的SRAM接口，提供足够的地址引脚来寻址，可以很容易的存取其片内的每一个字节；NAND型Flash使用复杂的I/O口来串行的存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同，通常是采用8个I/O引脚来传送控制、地址、数据信息。
（2）、读写的基本单位：
NOR型Flash操作是以“字”为基本单位，而NAND型Flash以“页面”为基本单位，页的大小一般为512字节。
（3）、性能比较：
NOR型Flash的地址线和数据线是分开的，传输效率很高，程序可以在芯片内部执行，NOR型的读速度比NAND稍快一些；NAND型Flash写入速度比NOR型Flash快很多，因为NAND读写以页为基本操作单位。
（4）、容量和成本：
NAND型Flash具有较高的单元密度，容量可以做得比较大，加之其生产过程更为简单，价格较低；NOR型Flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NAND型Flash只是用在8～128MB的产品中，这也说明NOR主要用在代码存储介质中，NAND适合数据存储在CompactFlash、PC
Cards、MMC存储卡市场上所占的份额最大。
（5）、软件支持：
NAND型和NOR型Flash在进行写入和擦除时都需要MTD（Memory
Technology
Drivers，MTD已集成在Flash芯片内部，它是对Flash进行操作的接口。），这是它们的共同特点；但在NOR型Flash上运行代码不需要任何的软件支持，而在NAND型Flash上进行同样操作时，通常需要驱动程序，即内存技术驱动程序MTD。

3. 在立创商城中的FLASH存储器有哪些品牌，好用吗

有很多，像st、安森美、三星的都有。种类不少，立创的东西质量还是很不错的。

4. spi flash存储芯片有哪些厂商

不同厂家生产的，相对于计算机用的cpu手机的没有那么多的功能和指令集，但是又具有其自己的特点，比如说功耗很低，命令短小，编程容易等特点。说白了，就是功能强大的单片机。其cpu有摩托罗拉生产的，有三星生产的等几个大的it厂商都能自己生产。

5. Flash 到底是哪个公司出品的软件

Flash是美国Macromedia公司所设计的一种二维动画软件。通常包括Macromedia Flash （包括8即以前版本），用于设计和编辑Flash文档，以及Macromedia Flash Player，用于播放Flash文档。

现在，Flash已经被Adobe公司购买（包括Adobe Flash CS3或4两个版本），最新版本为：Adobe Flash CS4

6. 立创商城中的FLASH存储器哪个品牌的好用点

都挺不错的，都是原装正品。

7. 帮忙解释下solid state storage device 详细点最好

固态存储设备
一、固态存储设备的应用
在航空航天信息处理系统中，大容量固态存储器有磁泡和半导体盘。其主
要优点是没有机械运动部件、比磁盘、磁带存储器更能承受温度、振动、冲击
。90年代初Intel公司推出新型闪速存储器（Flash Memor
y）后，受到宇航系统及其它抗恶劣环境计算机应用领域高度重视。这种半导
体存储器是非易失性的，当电源有故障或被切断后，信息仍保存完整。
闪速存器基本特点是可以电擦除，并且可按字节重新编程，特别适合用在
实时模拟和电子战场合。Flash Memory现也译为快速擦写存储器
。
在宇航系统中Flash Memory主要用在以下领域：
（1）数据采集子系统。所采集的数据可以周期性地从芯片中取出，进行
分析、综合。电擦除后，Flash Memory成为空白芯片，可反复使
用万次以上。
（2）需要周期性地修改已存储的代码和数据表。过去用EPROM（可
擦、可编程只读存储器），修改一次代码耗时15～20分钟，用Flash
只要一秒左右。擦除和重新编程可在同一系统或同一编程器插座中现场进行。
（3）宇航计算机研制阶段（组装、装配），用它存放硬件诊断、调试程
序，芯片直接装焊在电路板上，既可提高系统可靠性，又增加了调试灵活性。
此外，Flash可维修性优异，可通过串行通信口对电路上的芯片直接进行
改写，可显着降低维修费用。
（4）固化操作系统，可以比装在软盘或硬盘上的操作系统开机等待时间
大大减少，提高系统实时性。
（5）当要求系统关键数据安全性时，例如飞行员（领航、驾驶员）携带
飞机数据库中保密信息时，一旦被击落，要有安全措施或清除掉上述信息。美
国海军空战中心信息存储部门十分强调：要在几秒钟内全部清除掉所存信息。
对此磁盘或磁带机难以胜任。
因此，在航空航天及军事系统中，Flash具有非易失性、可电擦除、
高密度和快速诸优点。即使价格昂贵，一般也倾向优选此方案。
二、闪速存储器的基本工作原理
ETOX－Ⅱ（Eprom Tannel OXide）闪速存储器是
Intel公司推出的典型Flash产品，其工艺是由标准的Cmos E
prom工艺发展而来的，单元结构一样。两者差别在于ETOX－Ⅱ的栅极
氧化层较薄，为100～120�，使它具有电擦除功能。而Epron的氧
化层一般为325�。
下面从编程（信息写入）和擦除原理方面进行分析。
1．编程原理
Flash和Eprom的编程原理相同。控制栅上接＋12V±5％的
编程电村Vpp，漏极（drain）上外加5V电压，源极（Source
）接地。漏源极间的电场作用使电子空越沟道，在控制栅的高电压吸引下，这
些自由电子越过氧化导进入浮置栅，（Floating gate），一旦
该栅获得足够多的自由电子，源漏极间便形成导电沟道（接通状态）。信息存
储在周围都绝缘的浮置栅上，即使电源切断，信息仍然保存。
2．擦除原理
Flash的擦除原理和Eprom完全不同。电擦除可编程只读存储器
（EEPROM）每位信息可用电来擦除；而紫外（UV）型Eprom（U
VEPROM）是靠紫外光束来“中和”浮置栅上的电荷实现整体擦除的。
Flash备两种Eprom特点。在源极上施加高电压Vpp，而控制
栅接地，在这种电场作用下，浮置栅上的电子就越过氧化层进入源极区域，被
外加电源全部中和掉，实现整体擦除。随着存储容量增大，Flash也可采
取分区擦除。
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三、Flash存储器芯片及半导体固态盘产品现状
美国两大供应Flash存储芯片的厂商是Intel和AMD。前者约
占70％，AMD占16～30％市场。
Intel公司16Mbits芯片1993年面市，1994年春已推
出单片32Mbits第四代产品。AMD公司将于1994年推出16Mb
its芯片，比商用产品推迟一季度交付军品芯片。
日本有四家公司生产供应4Mb FlashE〔2〕prom，它们是
东芝、日本电气（MEC）、三菱电机和日立，分别用512K×8b、25
6K×16b、或512K×6b以及512K×8b组成，可重写次数10
≥〔4〕次，生产工艺为CMOS、0．7～1．0μm，批量生产时间均为
1992年以后。
从逻辑结构上看，Flash是与或（NOR）逻辑，一般电源电压是＋
5V、＋12V。1987年东芝推出NAND与非逻辑的Nand Epr
om利用Fowler－Nerdhein隧道进行擦除和重写，电源电压只
用单一＋5V。它的位面积仅为Fash的36％，成本比Flash更低。
缺点是读出时间比Flash约慢10倍，在要求体积紧凑、电源单一、可靠
性高的场合Nand型更有潜在优势。第一个Flash产品是在美国的日本
公司开发的，但在生产和应用方面美国处于领先地位。
四、现有Flash存在的主要问题
虽然Flash具有电气整体擦除、高速编程（每个芯片总编程时间仍需
以秒计，每字节花费10～100μs）、低功耗、抗噪声、内部命令寄存器
结构可以和微处理器、单机片机微控制器写入接口兼容，以及比E〔2〕pr
om密度大、价兼、可靠等优点，但仍存在以下缺点和问题：
1．入时间过长（读出速度可与RAM相当）。不适合在军事宇航控制系
统中作随机存储器，适宜用作只读存储器（ROM）。
2．数据传输率不高。一般为270KB／S，而温盘机一般都超过1M
B／S。
3．Flash芯片仍存在极限寿命。过去几年，写入一擦除周期已从1
0〔5〕次提高到10〔6〕次。由于芯片的写入耐疲劳度所限，如果一个扇
区（Sector）被写入5万到10万次，它的氧化层就被磨损。
目前解决上述寿命问题的技术方案有以下三点：
（1）为回避此问题，Targa Electronics）公司研制
一种IDE（Integrated Device Electronic
s）接口的板级固态盘产品，该产品内装软件以保证数据完整性，一旦执行存
取操作就将数据重新安排并且在扇区磁道上标注出已损坏的扇区号。
（2）Sundisk公司作为Flash盘的最早厂家之一已经较好地
解决了这一问题。它采用了纠错码（ECC）技术、磨损调整（Wear－L
eveling）技术，以及动态缺陷管理技术等。
所谓磨损调整技术就像更换汽车轮胎安装部位那样，当某一扇区已经写入
太多次数时，就把基中数据搬移到另一扇区去。
动态降管理技术，必要时把某一已坏的信息位（bit）重新映像到另一
位。Sundisk公司不让任一位写入次数超过5万次，据称使用具备这些
技术的存储系统工作100年也不会破坏。尽管Flash有寿命极限问题，
但可以克服。
Sundisk公司称它不依靠另加软件就可实现磨损调整功能并且该存
储系统能和DOS及Windows系统100％全兼容。虽然它主要面向商
用，但已在波音777飞机上安装使用。
4．在提高可靠性方面存在的问题及改进措施
（1）偶然性的擦除使信息丢失：为此Intel公司1990年在其F
lash芯片中增加了字组保护结构（boot block archit
ecture），它能保持一部分重要代码不被偶然擦除丢失。
（2）传统的Flash芯片为实现重新编程需要单独的外电源＋12伏
电路。为适应军品宽温（－55℃～＋125℃）变化，要求＋12伏±5％
严格控制允差范围，这对军用固态盘存储系统不合适。为此AND公司于19
93年4月推出一种单一＋5伏电源供电、1Mb Flash芯片，其写入
次数至少有10万次。采用这种芯片既提高了可靠性又使写入周期次数增大。
写入周期耐疲劳度（Write cycle enrance）指在每
一扇区内可以反复存储数据的次数。
今后，要求双电源（＋5，＋12伏）的芯片将渐被淘汰。
5．在仿真硬磁盘（HDD）时，占用主机CPU时间
传统的Flash芯片构成存储器时由主机系统的软件命令控制，花费C
PU时间。
AMD公司单电源（＋5伏）芯片中已装入“嵌入式算法”（Embed
ded algorithm）命令由它给出。
许多固态盘仿真旋转式HDD时，主要是CPU花费时间在它的I／O端
口上访问传统的驱动器。
五、现有抗恶劣环境固态盘
我们将适应宽温、耐冲击、抗振动并经过美国军标质量论证过的各公司产
品型号扼要列于表中，以供参考。

8. 请问国内外生产Nand Flash Memory 的公司有哪些，是生产商，不是代理商哦。

国内 。中芯国际。

韩国。 三星。现代

美国。英特尔。镁光

日本。东芝。瑞萨。

欧洲。意法半导体，

剩下就是一些没什么名气和市占率的。台湾没有能生产闪存芯片的公司。台湾只是芯片封装厂和半导体代工厂比较多。

9. FLASH存储器DDR存储器RAM存储器SRAM存储器DRAM存储器有什么区别各有什么作用

Flash存储器：

它属于内存器件的一种，是一种非易失性( Non-Volatile )内存。闪存的物理特性与常见的内存有根本性的差异:目前各类 DDR 、 SDRAM 或者 RDRAM 都属于挥发性内存，只要停止电流供应内存中的数据便无法保持，因此每次电脑开机都需要把数据重新载入内存;闪存在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘，这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。

DDR存储器：

DDR=Double Data Rate双倍速率同步动态随机存储器。严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的缩写，即同步动态随机存取存储器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。

RAM存储器：

存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。 按照存储单元的工作原理，随机存储器又分为静态随机存储器(英文:Static RAM，SRAM)和动态随机存储器(英文Dynamic RAM，DRAM)。

SRAM存储器：

是Static Random Access Memory的缩写，静态存储器，和动态存储器DRAM相对。由于SRAM工作原理是依靠晶体管组合来锁住电平，并不需要进行刷新，只要不断电，数据就不会丢失，因此称为静态RAM。

DRAM存储器：

DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新(refresh)一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。 (关机就会丢失数据)

10. Flash是哪个公司的产品

Flash又被称之为闪客，是由macromedia公司推出的交互式矢量图和 Web 动画的标准，由Adobe公司收购。网页设计者使用 Flash 创作出既漂亮又可改变尺寸的导航界面以及其他奇特的效果。Flash的前身是Future Wave公司的Future Splash，是世界上第一个商用的二维矢量动画软件，用于设计和编辑Flash文档。1996年11月，美国Macromedia公司收购了Future Wave，并将其改名为Flash。后又于2005年12月3日被Adobe公司收购。Flash通常也指Macromedia Flash Player(现Adobe Flash Player)。2012年8月15日，Flash退出Android平台，正式告别移动端。