芯片存储计算

Ⅰ 某存储器芯片有地址12根，数据线16条。存储容量是多少怎么算就步骤

主存容量为8KB。

ram芯片的存储容量 ＝地址线条数×数据线的条数bit ＝ 字数（存储单元个数）×字长。

地址线12根，表示能指示2^12个内存单元；而数据线16根，表明通过数据线每次可以传送16位(每根线每次只能传送1位)，即2B(16bit= 2*8bit = 2B)，那么可以理解为内存单元的大小等同于数据线每次的传送位数，同样为2B，所以主存容量为2^12*2B=8KB。

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每一千个字节称为1KB，注意，这里的“千”不是我们通常意义上的1000，而是指1024。即：1KB=1024B。但如果不要求严格计算的话，也可以忽略地认为1K就是1000。 4）。

每1024个KB就是1MB（同样这里的K是指1024），即：1MB=1024KB=1024×1024B=1,048,576B这是准确的计算。如果不精确要求的话，也可认为1MB=1,000KB=1,000,000B。

另外需要注意的是，存储产品生产商会直接以1GB=1000MB，1MB=1000KB ，1KB=1000B的计算方式统计产品的容量，这就是为何买回的存储设备容量达不到标称容量的主要原因（如320G的硬盘只有300G左右）

每1024MB就是1GB，即1GB=1024MB，例如一张软盘是1.44MB、一张CD光盘是650MB、一块硬盘是120GB。一篇10万汉字的小说，如果我们把存到磁盘上，需要占用100,000汉字=200,000B=200,000B÷1024≈195.3KB≈195.3KB÷1024≈0.19MB。

Ⅱ EPROM芯片容量如何计算

512K个存储单元，具体容量还要看数据总线宽度，如果宽度为8位，则容量为512K*8bit=512KB，如果宽度是16位的，则容量为512K*16bit=1MB

Ⅲ 计算机组成原理中存储芯片计算问题

举例子吧，如果是2k*4的芯片，2k是容量，由地址线决定，计算方法：2^n=容量,n就是地址线的位数，这里算出来是11位；4是一个存储单元的位数，也就是数据线的位数，所以这个芯片的地址线11位，数据线4位。

Ⅳ 芯片存储数据的原理是什么

1、 sram 里面的单位是若干个开关组成一个触发器, 形成可以稳定存储 0, 1 信号, 同时可以通过时序和输入信号改变存储的值。

2、dram, 主要是根据电容上的电量, 电量大时, 电压高表示1, 反之表示0
芯片就是有大量的这些单元组成的, 所以能存储数据。

所谓程序其实就是数据. 电路从存储芯片读数据进来, 根据电路的时序还有电路的逻辑运算, 可以修改其他存储单元的数据

Ⅳ 芯片 如何运算的

中央处理器（CPU，Central Processing Unit）是一块超大规模的集成电路，是一台计算机的运算核心（Core）和控制核心（ Control Unit）。它的功能主要是解释计算机指令以及处理计算机软件中的数据。

中央处理器主要包括运算器（算术逻辑运算单元，ALU，ArithmeTIc Logic Unit）和高速缓冲存储器（Cache）及实现它们之间联系的数据（Data）、控制及状态的总线（Bus）。它与内部存储器（Memory）和输入/输出（I/O）设备合称为电子计算机三大核心部件。

CPU是在特别纯净的硅材料上制造的。一个CPU芯片包含上百万个精巧的晶体管。人们在一块指甲盖大小的硅片上，用化学的方法蚀刻或光刻出晶体管。因此，从这个意义上说，CPU正是由晶体管组合而成的。简单而言，晶体管就是微型电子开关，它们是构建CPU的基石，你可以把一个晶体管当作一个电灯开关，它们有个操作位，分别代表两种状态：ON（开）和OFF（关）。这一开一关就相当于晶体管的连通与断开，而这两种状态正好与二进制中的基础状态“0”和“1”对应！这样，计算机就具备了处理信息的能力。

其实，所有电子设备都有自己的电路和开关，电子在电路中流动或断开，完全由开关来控制，如果你将开关设置为OFF，电子将停止流动，如果你再将其设置为ON，电子又会继续流动。晶体管的这种ON与OFF的切换只由电子信号控制，我们可以将晶体管称之为二进制设备。

如果能够将任意数字准确的用算盘上的珠子的状态变化进行表示，并且能正确的读出算盘上珠子状态所表示的数字，那就具备了使用算盘进行计算的入门要求。那么接下类我们详细了解一下cpu晶体管为什么会计算。

cpu晶体管为什么会计算

CPU的计算方式像算盘，算盘是打上多一个，打下来少一个，晶体管的开关用1和0表示，以二进制的方法来计算和读取结果，算盘则是直接数，表达方式不同而已，但无论是算盘或cpu计算，都不能直接乘除，只能加减，乘以几就加几次，除以几就减几次。

感谢数学和数学家，数学让这个世界变得逻辑透明，数学家让我们明白这一切，cpu的逻辑单元依靠改变电平高低显示0和1两个状态，当几十个乃至几亿个逻辑单元并排，就能依靠读取电平状态得到很大的二进制数据1100010101…001010，这是计算的基础，对于简单数学1+1或者2+（-1），按照二进制进位计算就好，复杂计算怎么办12345*54321，化乘法为加法，化除法为减法，ok，那更复杂的函数计算呢，感谢傅立叶变换，任何周期函数都可以看作是正余弦函数的叠加，原理不在这里解释，反正记住因为各种数学工具，平方开方微分积分，数据都能换成加法计算，当然，算法不同也决定了效率不同，这个是后话了，回到问题，cpu就是这么在集成电路里面掰手指，然后自然而然的给了21世纪新的发展动力

理解这个问题，首先你要具备一定的数电知识，CPU是由晶体管组成的，利用晶体管可以很轻易的搭建与门，或门，非门，这一点毋庸置疑吧，然后利用这些逻辑们就可以组成各种触发器，这一点也不用多解释，数电的基础内容，然后利用触发器进一步组成移位寄存器等，到这里，你就可以轻易的组建一个加法器，减法器了，数字用0，1表示，对应到电路中就是高电平和低电平，至于乘法和除法，最基本的运算单元也是加减法，到了这里，具备了基本的四则运算，也就具备了信息处理能力，无非就是用一定的规则组成成不同的0和1，当你动手焊接出一个加法器的时候，你就彻底明白了。

计算是对人来说的，晶体管才不会知道什么叫计算，他们只有两种状态，高电平和低电平，也就是通常所说的0和1，晶体管通过不同的组合形成大的输入输出元件，这些元件再通过组合形成逻辑电路，这就说我们说的运算基础，逻辑电路再组合就形成运算电路，运算电路集成到一起形成CPU，再配合时钟，就是我们所说的计算！所以计算是对整个CPU来说的，不是单一的晶体管！

Ⅵ 怎么根据芯片的地址范围求该芯片的存储容量

用末地址减首地址，加1即为十六进制数，再用二进制的权位表示即可。所以根据该题中EPROM芯片的地址范围为：30800H ~ 30FFFH。

可得芯片的存储容量为2KB。另外EPROM芯片的存储容量为4KB，再由于无地址重叠，所以芯片存储容量为2KB。

片容量=2的地址线位数次方乘以数据线位数，比如地址线8位，数据线4位，芯片容量就是2的8次方乘以4=1024位。

按位计算 (b) ： 存储容量 = 存储单元个数 x 存储字长。

按字节计算(B)： 存储容量 = 存储单元个数 x 存储字长 / 8。

存储单元 ：CPU访问存储器的最小单位，每个存储单元都有一个地址。

存储字长 ：存储器中一个存储单元(存储地址)所存储的二进制代码的位数。

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芯片储存之间的关系：

存储单元与地址线的关系： CPU访问存储器的最小单位是存储单元且每个存储单元都有一个地址，1 根地址线可以查找 2 个地址既2个存储单元，16根地址线则可以查找 2^16个存储单元。

存储字长与数据线的关系 ： 存储字长是指存储器中一个存储单元(存储地址)所存储的二进制代码的位数，而二进制代码的位数是由数据线的根数决定的，也就是说： 存储字长 = 数据线根数字节（B）与位(b)的关系 : 计算机里规定 1Byte = 8bit 。

Ⅶ 某SRAM芯片的存储容量为64k*16位，该芯片的地址线和数据线数目为多少

SRAM芯片的存储容量为64k*16位，该芯片的地址线是16根，数据线是16根。

存储容量的计算公式是：2^n，其中n就表示地址线的数目。2^16=65536，在计算机中就称其存储容量最大可扩展为64K。存储器芯片容量=单元数×数据线位数，因此64k*16位芯片的数据线是16根。

SRAM的中文意思就是静态随机存取存储器，是随机存取存储器的一种。所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。

相对之下，动态随机存取存储器（DRAM）里面所储存的数据就需要周期性地更新。然而，当电力供应停止时，SRAM储存的数据还是会消失（被称为volatile memory），这与在断电后还能储存资料的ROM或闪存是不同的。

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SRAM主要用途：

SRAM主要用于二级高速缓存（Level2 Cache)。它利用晶体管来存储数据。与DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面积中SRAM的容量要比其他类型的内存小。

SRAM的速度快但昂贵，一般用小容量的SRAM作为更高速CPU和较低速DRAM 之间的缓存（cache）。

SRAM也有许多种，如AsyncSRAM (Asynchronous SRAM，异步SRAM）、Sync SRAM (Synchronous SRAM，同步SRAM）、PBSRAM (Pipelined Burst SRAM，流水式突发SRAM），还有INTEL没有公布细节的CSRAM等。

SRAM一般可分为五大部分：存储单元阵列（core cells array），行/列地址译码器(decode），灵敏放大器(Sense Amplifier），控制电路（control circuit），缓冲/驱动电路（FFIO）。

SRAM是静态存储方式，以双稳态电路作为存储单元，SRAM不像DRAM一样需要不断刷新，而且工作速度较快，但由于存储单元器件较多，集成度不太高，功耗也较大。

Ⅷ 某ROM芯片有8个地址输入端和8个数据输入端，该芯片的存储容量是多少尽量说下计算方法，多谢各位了！

这个不难请听我道来。首先有8位数据线，可知此存储器为八位存储器。然后有八条地址线可寻址2^8=256个的单元。所以可见存储器有256个存储单元，而每个单元又是8位，所以存储容量是256*8bit即256B。
动态RAM ,静态RAM可随时存储。SRAM（静态RAM）不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM（动态RAM)每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积，且功耗较大。PROM，一次性编程写入，不可再改。EPROM，可擦除的可编程只读存储器。擦除条件比较特殊。例如12V高压，或者光照一类。参看http://..com/question/505537932.html?oldq=1

Ⅸ 芯片存储容量计算

芯片容量=2的地址线位数次方 乘以 数据线位数

比如地址线8位，数据线4位 芯片容量就是2的8次方乘以4=1024位

Ⅹ 芯片是如何储存信息的

芯片储存信息的原理如下：

对动态存储器进行写入操作时，行地址首先将RAS锁存于芯片中，然后列地址将CAS锁存于芯片中，WE有效，写入数据，则写入的数据被存储于指定的单元中。

对动态存储器进行读出操作时，CPU首先输出RAS锁存信号，获得数据存储单元的行地址，然后输出CAS锁存信号，获得数据存储单元的列地址，保持WE=1，便可将已知行列地址的存储单元中数据读取出来。

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主存储器的两个重要技术指标：

读写速度：常常用存储周期来度量，存储周期是连续启动两次独立的存储器操作（如读操作）所必需的时间间隔。

存储容量：通常用构成存储器的字节数或字数来计量。

地址总线用于选择主存储器的一个存储单元，若地址总线的位数k，则最大可寻址空间为2k。如k=20,可访问1MB的存储单元。数据总线用于在计算机各功能部件之间传送数据。控制总线用于指明总线的工作周期和本次输入/输出完成的时刻。

主存储器分类：

按信息保存的长短分：ROM与RAM。

按生产工艺分：静态存储器与动态存储器。

静态存储器（SRAM）：读写速度快，生产成本高，多用于容量较小的高速缓冲存储器。动态存储器（DRAM）：读写速度较慢，集成度高，生产成本低，多用于容量较大的主存储器。