存储器制程

‘壹’ 为什么NAND闪存的制程比同期CPU制程先进

eMMC的技术演进
[什么是eMMC]
eMMC全称为embeded MultiMedia Card.eMMC为MMC协会所订立的内嵌式存储器标准规格,主要是针对手机和移动嵌入式产品为主.eMMC是一种嵌入式非易失性存储器系统,由闪存和闪存控制器两部组成.eMMC的一个明显优势是在封装中集成了一个闪存控制器,它采用JEDEC标准BGA封装,并采用统一闪存接口管理闪存.
[eMMC的结构]
eMMC 结构由一个嵌入式存储解决方案组成,带有MMC （多媒体卡）接口、快闪存储器设备及主控制器——所有在一个小型的BGA 封装.同时其接口电压可以是1.8v 或者是3.3v.接口速度高达每秒50MB甚至100MB以上.由于采用标准封装,eMMC也很容易升级,并不用改变硬件结构.
[eMMC的优势]
闪存Flash的制程和技术变化很快,特别是TLC技术和制程下降到20nm阶段后,对Flash的管理是个巨大挑战,使用eMMC产品,主芯片厂商和客户就无需关注Flash内部的制成和产品变化,只要通过eMMC的标准接口来管理闪存就可以了.这样可以大大的降低产品开发的难度和加快产品上市时间.eMMC可以很好的解决对MLC和TLC的管理,ECC除错机制(Error Correcting Code)、区块管理(Block Management)、平均抹写储存区块技术(Wear Leveling)、区块管理（Command Management）,低功耗管理等.

‘贰’ 储存器的工艺特征

随机存储器对于任意一个地址，以相同速度高速地、随机地读出和写入数据的存储器(写入速度和读出速度可以不同)。存储单元的内部结构一般是组成二维方矩阵形式，即一位一个地址的形式(如64k×1位)。但有时也有编排成便于多位输出的形式(如8k×8位)。存储器技术特点分析，这种存储器的特点是单元器件数量少，集成度高，应用最为广泛(见金属-氧化物-半导体动态随机存储器)。
只读存储器用来存储长期固定的数据或信息，如各种函数表、字符和固定程序等。其单元只有一个二极管或三极管。一般规定，当器件接通时为“1”,断开时为“0”，反之亦可。若在设计只读存储器掩模版时,就将数据编写在掩模版图形中，光刻时便转移到硅芯片上。存储器技术特点分析，其优点是适合于大量生产。但是，整机在调试阶段，往往需要修改只读存储器的内容，比较费时、费事，很不灵活(见半导体只读存储器)。
串行存储器的单元排列成一维结构，犹如磁带。首尾部分的读取时间相隔很长，因为要按顺序通过整条磁带。半导体串行存储器中单元也是一维排列，数据按每列顺序读取，如移位寄存器和电荷耦合存储器等。存储器技术特点分析，砷化镓半导体存储器如1024位静态随机存储器的读取时间已达2毫秒，预计在超高速领域将有所发展。

‘叁’ DRAM，SDRAM和SRAM的区别

三者在数据存储、体积、特点不同：

1、数据存储不同：

SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。

而DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失。

SDRAM有一个同步接口，在响应控制输入前会等待一个时钟信号，这样就能和计算机的系统总线同步。时钟被用来驱动一个有限状态机，对进入的指令进行管线(Pipeline)操作。这使得SDRAM与没有同步接口的异步DRAM(asynchronous DRAM)相比，可以有一个更复杂的操作模式。

2、体积不同：

相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积。

同样面积的硅片可以做出更大容量的DRAM。

SDRAM的体积结构已经很优化了。

3、特点不同：

SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，功耗较DRAM大 ，通常DRAM是有一个异步接口的，这样它可以随时响应控制输入的变化。

同步动态随机存取内存（synchronous dynamic random-access memory，简称SDRAM）是有一个同步接口的动态随机存取内存（DRAM）。

由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象，导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据，而导致数据毁损。因此对于DRAM来说，周期性地充电是一个无可避免的要件。由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为“动态”存储器。

‘肆’ 国产芯片三大龙头股是哪三个

1、兆易创新

兆易创新位列全球Nor flash市场前三位，且随着日美公司的退出，市场份额不断提高；存储价格不断高涨，公司的盈利能力亮眼。

公司产品线覆盖刻蚀机、PVD、CVD、氧化炉、清洗机、扩散炉、MFC等七大核心品类，下游客户以中芯国际、长江存储、华力微电子等国内一线晶圆厂为主。

‘伍’ 武汉新芯值得去吗

摘要 成立于 2006 年，湖北省和武汉市政府决策实施武汉 12 英寸集成电路生产线项目的企业载体，是国家认定的首批重点集成电路生产企业。

‘陆’ Cpu制作工艺中的65nm.45nm. 32nm.22nm.14nm为什么是这几个数据

你所说的这些尺寸，是半导体工艺中的特征尺寸。在数字电路中，晶体管的栅极走线是最细的，所以用栅极线宽来衡量每一代的水平。理论山，每一代之间本着0.7的比例进行缩小。Intel一直是秉承0.7比例的厂家。而世界第一大Fab——台积电（TSMC）和Intel相比，自90nm之后，会有一个过渡代。特征尺寸并没有行业标准，大家都是在朝更小的方向去做。在数字逻辑电路中，1nm的性能提升很有限。所以，TSMC的28nm工艺和Intel的32nm工艺是在同一代的，尽管28nm看似小于32nm。
另外，在半导体存储器领域，也有特征尺寸，并不是按照0.7的比例缩小的。而且Flash中的晶体管是浮栅管。所以，NAND Flash芯片的制程工艺可比CPU混乱多了。因为我们更关注Flash芯片的单位面积成本，所以哪怕缩小1nm，也能带来成本的下降。你所看见的19nm应该就是英特尔镁光（IMFT）或者SAMSUNG用在Flash芯片上的。
现在关于硅基CMOS数字电路的制程极限，认为在5nm左右。事实上，早在1、2年前，CMOS逻辑的制程发展就已经变得很困难了。目前Intel的Roadmap上，还是能看见9nm产品的计划的。

‘柒’ 存储器的容量单位有哪些若内存的大小为256MB，则它有多少个字节

存储器的容量单位有：
1、Byte中文名字节，简写为B；
2、KByte中文名千字节，简写为KB；
3、Myte中文名兆字节，简写为MB；
4、GByte中文名吉字节，简写为GB；
5、TByte中文名太字节，简写为TB；
进制换算：
1KB=1024B
1MB=1024KB
1GB=1024MB
1TB=1024GB
所以256MB=268435456B

‘捌’ EMMC是什么、什么是eMMC

eMMC是“嵌入式多媒体控制器”的缩写，是指由闪存和集成在同一硅片上的闪存控制器组成的封装。eMMC 解决方案至少包含三个组件–MMC（多媒体卡）接口，闪存和闪存控制器 – 并采用行业标准 BGA 封装。

今天的数码相机，智能手机和平板电脑等嵌入式应用程序几乎总是将其内容存储在闪存中。过去，这需要一个专用控制器来管理由应用程序 CPU 驱动的数据读写。然而，随着半导体技术的发展以允许大大增加的存储密度，控制器从闪存芯片外部管理这些功能变得低效。

因此，eMMC 被开发为将控制器捆绑到闪存芯片中的标准化方法。随着 eMMC 的改进，该标准还提供了安全擦除和修整以及高优先级中断等功能，以满足高性能和安全性的需求。

(8)存储器制程扩展阅读：

eMMC优点：

1、简化手机存储器的设计。eMMC目前是当前最红的移动设备本地存储解决方案，目的在于简化手机存储器的设计。

由于NAND Flash芯片的不同厂牌包括三星、KingMax、东芝（Toshiba）或海力士（Hynix）、美光（Micron）等，所以都需要根据每家公司的产品和技术特性来重新设计，而并没有技术能够通用所有厂牌的NAND Flash芯片。

2、更新速度快。每次NAND Flash制程技术改朝换代，包括70纳米演进至50纳米，再演进至40纳米或30纳米制程技术，手机客户也都要重新设计，但半导体产品每1年制程技术都会推陈出新。

存储器问题也拖累手机新机种推出的速度，因此像eMMC这种把所有存储器和管理NAND Flash的控制芯片都包在1颗MCP上的概念，随着不断地发展逐渐流行在市场中。

3、加速产品研发速度。eMMC的设计概念，就是为了简化手机内存储器的使用，将NAND Flash芯片和控制芯片设计成1颗MCP芯片，手机客户只需要采购eMMC芯片，放进新手机中，不需处理其它繁复的NAND Flash兼容性和管理问题，最大优点是缩短新产品的上市周期和研发成本，加速产品的推陈出新速度。

‘玖’ 存储器的关键为什么是半导体工艺和材料科学

现在存储器无非是半导体或者金属络合物/高分子材料混合作为储存介质，在同样材料和大小下下，越精细的设计和加工工艺能储存更多的信息。
反之，在相同设计和加工工艺下，不同材料储存的信息容量也是不同的。所以。开发新材料也是重要的一点。