只读存储器可以分为哪三类
‘壹’ 计算机存储器可分为哪三类
RAM
ROM和
外部存储器(RAM
和ROM经常提供内部存储器使用,也有时是外部存储器)
RAM:就是内存的形式,关机(断电)就没有了。
ROM:只读存储器,就像老式的主板信息存储单元一样,只可以读而不可以写,就是我们平常用的DVD-ROM就是一类,只读取光盘。
外部存储器则通常是即可读又可写的,而且永久存储。
‘贰’ 存储器可分为哪三类
第一类,第二类和第三类。
‘叁’ 只读存储器的种类
ROM
只读内存(Read-Only Memory)是一种只能读取资料的内存。在制造过程中,将资料以一特制光罩(mask)烧录于线路中,其资料内容在写入后就不能更改,所以有时又称为“光罩式只读内存”(mask ROM)。此内存的制造成本较低,常用于电脑中的开机启动。
可编程只读存储器
可编程只读存储器(英文:Programmable ROM,简称:PROM)一般可编程一次。PROM存储器出厂时各个存储单元皆为1,或皆为0。用户使用时,再使用编程的方法使PROM存储所需要的数据。
PROM需要用电和光照的方法来编写与存放的程序和信息。但仅仅只能编写一次,第一次写入的信息就被永久性地保存起来。 例如,双极性PROM有两种结构:一种是熔丝烧断型,一种是PN结击穿型。它们只能进行一次性改写,一旦编程完毕,其内容便是永久性的。由于可靠性差,又是一次性编程,目前较少使用。
可编程可擦除只读存储器
可编程可擦除只读存储器(英文:Erasable Programmable Read Only Memory,简称:EPROM)可多次编程。这是一种便于用户根据需要来写入,并能把已写入的内容擦去后再改写,即是一种多次改写的ROM。由于能够改写,因此能对写入的信息进行校正,在修改错误后再重新写入。
擦除远存储内容的方法可以采用以下方法:电的方法(称电可改写ROM)或用紫外线照射的方法(称光可改写ROM)。 光可改写ROM可利用高电压将资料编程写入,抹除时将线路曝光于紫外线下,则资料可被清空,并且可重复使用。通常在封装外壳上会预留一个石英透明窗以方便曝光。
一次编程只读内存
一次编程只读内存(One Time Programmable Read Only Memory,OPTROM)之写入原理同EPROM,但是为了节省成本,编程写入之后就不再抹除,因此不设置透明窗。
电子可擦除可编程只读存储器
电子可擦除可编程只读存储器(英文:Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory,简称:EPROM)之运作原理类似EPROM,但是抹除的方式是使用高电场来完成,因此不需要透明窗。
闪速存储器
闪速存储器(英文:Flash memory)是英特尔公司90年代中期发明的一种高密度、非易失性的读/写半导体存储器它既有EEPROM的特点,又有RAM的特点,因而是一种全新的存储结构。
‘肆’ 只读存储器的分类
只读存储器(ROM)分为:
1.只读存储器(ROM)
2.可编程存储器(PROM)
3.可擦写可编程存储器(EPROM)
‘伍’ 储存器可分为哪三类
储存器可分为随机存储器、只读存储器和外存储器三类。
一、随机存储器:随机存取存储器(random access memory)又称作“随机存储器”,是与CPU直接交换数据的内部存储器,也叫主存(内存)。它可以随时读写,而且速度很快,通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。
二、只读存储器:其英文简称是ROM,它所存储的数据通常都是装入主机之前就写好的,在工作的时候只能读取而不能像随机存储器那样随便写入,但是只读存储器有的所存储的数据十分稳定。而且只读存储器的结构十分简单,读出很简便,因此一般用于存储各种的程序与数据的地方。
三、外存储器:外存储器包括软盘存储器、硬盘存储器、移动存储器、闪存盘(优盘)、移动硬盘、固态硬盘(SSD)、光盘存储器等。外储存器是指除计算机内存及CPU缓存以外的储存器,此类储存器一般断电后仍然能保存数据。
(5)只读存储器可以分为哪三类扩展阅读
储存器主要采用半导体器件和磁性材料。存储器中最小的存储单位就是一个双稳态半导体电路或一个CMOS晶体管或磁性材料的存储元,它可存储一个二进制代码。由若干个存储元组成一个存储单元,然后再由许多存储单元组成一个存储器。
一个存储器包含许多存储单元,每个存储单元可存放一个字节。每个存储单元的位置都有一个编号,即地址,一般用十六进制表示。一个存储器中所有存储单元可存放数据的总和称为它的存储容量。
‘陆’ 计算机存储器可分为哪几类只要区别是什么
计算机存储器可分为内存和外存两大类。
内存和外存的区别:
1,性质不同:
外部存储器是指除计算机存储器和CPU缓存以外的存储器,在断电后仍能存储数据。常用外存包括硬盘、软盘、光盘、U盘等。
存储器是计算机中最重要的部件之一。它是与CPU通信的桥梁。计算机中的所有程序都在内存中运行,因此内存的性能对计算机有很大的影响。
2,信息存储方面不同:
计算机完成作业后,内存存储设备不需要存储任何信息。因此,如果内存中没有信息,则在内存中找不到所需的内容。无法保存在内存模块上。
保存的信息只能保存在外部存储器中,如U盘和软盘。同时,外部存储容量大,便于携带,您可以随时找到想要的存储信息。
3,两者的运行速度不同:
外部存储器可以长期保存数据,交换速度比较慢,存储器的交换速度很快,但文件不能永久保存,断电文件消失。
内存作为一种临时存储设备,在计算数据或执行程序时是一种临时存储设备。在日常生活中,它不适合长期存储设备,因此使用时间有限。
(6)只读存储器可以分为哪三类扩展阅读:
内存的工作速度和存储容量对系统的整体性能、系统的规模和效率都有很大的影响。存储器是由大规模集成电路构成的半导体存储器。它可以分为RAM和ROM。
RAM中的信息可以随机读写,但不能长期保存。一旦电源关闭,RAM中的信息将不会被保存。
随机存取存储器所采用的存储单元工作原理的不同又分为静态随机存储器SRAM和静态随机存器DRAM。
SRAM采用稳态电路(如触发器)作为存储单元,在正常工作状态下存储信息,保持稳定,可多次读取,存取速度比DRAM快,但由于单元电路的复杂性,集成度低于DRAM,价格较高。
‘柒’ 只读存储器可分为哪五种
只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。英文简称ROM。ROM所存数据,一般是装入整机前事先写好的,整机工作过程中只能读出,而不像随机存储器那样能快速地、方便地加以改写。ROM所存数据稳定 ,断电后所存数据也不会改变;其结构较简单,读出较方便,因而常用于存储各种固定程序和数据。除少数品种的只读存储器(如字符发生器)可以通用之外,不同用户所需只读存储器的内容不同。为便于使 用和大批 量 生产 ,进一步发展了可编程只读存储器(PROM)、可擦可编程序只读存储器(EPROM)和电可擦可编程只读存储器(EEPROM)。EPROM需用紫外光长时间照射才能擦除,使用很不方便。20世纪 80 年代制出的 EEPROM ,克服了EPROM的不足,但集成度不高 ,价格较贵。于是又开发出一种新型的存储单元结构同 EPROM 相似的快闪存储器 。其集成度高、功耗低 、体积小 ,又能在线快速擦除 ,因而获得飞速发展,并有可能取代现行的硬盘和软盘而成为主要的大容量存储媒体。大部分只读存储器用金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管制成。
只读存储器(ROM)分为:
1.只读存储器(ROM)
2.可编程存储器(PROM)
3.可擦写可编程存储器(EPROM)
‘捌’ 根据计算机存储器记录信息原理的不同可分为哪三类
存储器不仅可以分为三类。因为按照不同的划分方法,存储器可分为不同种类。常见的分类方法如下。
一、按存储介质划分
1、半导体存储器:用半导体器件组成的存储器。
2、磁表面存储器:用磁性材料做成的存储器。
二、按存储方式划分
1、随机存储器:任何存储单元的内容都能被随机存取,且存取时间和存储单元的物理位置无关。
2、顺序存储器:只能按某种顺序来存取,存取时间和存储单元的物理位置有关。
三、按读写功能划分
1、只读存储器(ROM):存储的内容是固定不变的,只能读出而不能写入的半导体存储器。
2、随机读写存储器(RAM):既能读出又能写入的存储器。
四、按资料保存师
1、非永久存储器:断电时信息消失的存储器。
2、永久存储器:断电后仍能保存信息的存储器。
五、按用途分类
1、主存:主存用于存储计算机运行过程中大量的程序和数据,存取速度快,存储容量小。
2、外部存储:外部存储系统程序和大数据文件及数据库存储容量,单位成本低。
3、高速缓存存储器:高速缓存存储器访问指令和数据速度快,但存储容量小。
(8)只读存储器可以分为哪三类扩展阅读:
1、内部存储和外部存储
一般来说,内部存储是最经济但最不灵活的,因此用户必须确定未来对存储的需求是否会增长,以及是否有某种方法可以升级到具有更多代码空间的微控制器。用户通常根据成本选择能满足应用要求的内存容量最小的单片机。
2、启动存储
在较大的微控制器或基于处理器的系统中,用户可以用引导代码进行初始化。应用程序本身通常决定是否需要引导代码,以及是否需要专用的引导存储。
3、配置存储
对于现场可编程门阵列(fpga)或片上系统(SoC),存储器可以用来存储配置信息。这种存储器必须是非易失的EPROM、EEPROM或闪存。在大多数情况下,FPGA使用SPI接口,但一些较老的设备仍然使用FPGA串行接口。
4、程序存储
所有有处理器的系统都使用程序内存,但是用户必须决定内存是在处理器内部还是外部。做出此决定后,用户可以进一步确定存储的容量和类型。
5、数据存储
类似于程序存储器,数据存储器可以位于一个微控制器或一个外部设备,但有一些不同的两种情况。有时微控制器内部包含SRAM(易失性)和EEPROM(非易失性)数据存储器,但有时它不包含内部EEPROM,在这种情况下,当需要存储大量数据时,用户可以选择外部串行EEPROM或串行闪存设备。
6、易失性和非易失性存储器
内存可以分为易失性内存(在断电后丢失数据)和非易失性内存(在断电后保留数据)。用户有时会将易失性内存与备用电池一起使用,以实现类似于非易失性设备的功能,但这可能比简单地使用非易失性内存更昂贵。
7、串行存储器和并行存储器
对于较大的应用程序,微控制器通常没有足够大的内存。必须使用外部存储器,因为外部寻址总线通常是并行的,外部程序存储器和数据存储器也将是并行的。
8、EEPROM和闪存
内存技术的成熟已经模糊了RAM和ROM之间的区别,现在有一些类型的内存(如EEPROM和闪存)结合了两者的特点。这些设备像RAM一样读写,在断电时像ROM一样保存数据。它们都是电可擦可编程的,但各有优缺点。
‘玖’ 存储器的分类及其各自的特点
存储器(Memory)是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备。其概念很广,有很多层次,在数字系统中,只要能保存二进制数据的都可以是存储器;在集成电路中,一个没有实物形式的具有存储功能的电路也叫存储器,如RAM、FIFO等;在系统中,具有实物形式的存储设备也叫存储器,如内存条、TF卡等。计算机中全部信息,包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。有了存储器,计算机才有记忆功能,才能保证正常工作。计算机中的存储器按用途存储器可分为主存储器(内存)和辅助存储器(外存),也有分为外部存储器和内部存储器的分类方法。外存通常是磁性介质或光盘等,能长期保存信息。内存指主板上的存储部件,用来存放当前正在执行的数据和程序,但仅用于暂时存放程序和数据,关闭电源或断电,数据会丢失。
存储器的分类特点及其应用
在嵌入式系统中最常用的存储器类型分为三类:
1.随机存取的RAM;
2.只读的ROM;
3.介于两者之间的混合存储器
1.随机存储器(Random Access Memory,RAM)
RAM能够随时在任一地址读出或写入内容。 RAM的优点是读/写方便、使用灵活;
RAM的缺点是不能长期保存信息,一旦停电,所存信息就会丢失。 RAM用于二进制信息的临时存储或缓冲存储
2.只读存储器(Read-Only Memory,ROM)
ROM中存储的数据可以被任意读取,断电后,ROM中的数据仍保持不变,但不可以写入数据。
ROM在嵌入式系统中非常有用,常常用来存放系统软件(如ROM BIOS)、应用程序等不随时间改变的代码或数据。
ROM存储器按发展顺序可分为:掩膜ROM、可编程ROM(PROM)和可擦写可编程ROM(EPROM)。
3. 混合存储器
混合存储器既可以随意读写,又可以在断电后保持设备中的数据不变。混合存储设备可分为三种:
EEPROM NVRAM FLASH
(1)EEPROM
EEPROM是电可擦写可编程存储设备,与EPROM不同的是EEPROM是用电来实现数据的清除,而不是通过紫外线照射实现的。
EEPROM允许用户以字节为单位多次用电擦除和改写内容,而且可以直接在机内进行,不需要专用设备,方便灵活,常用作对数据、参数等经常修改又有掉电保护要求的数据存储器。
(2) NVRAM
NVRAM通常就是带有后备电池的SRAM。当电源接通的时候,NVRAM就像任何其他SRAM一样,但是当电源切断的时候,NVRAM从电池中获取足够的电力以保持其中现存的内容。
NVRAM在嵌入式系统中使用十分普遍,它最大的缺点是价格昂贵,因此,它的应用被限制于存储仅仅几百字节的系统关键信息。
(3)Flash
Flash(闪速存储器,简称闪存)是不需要Vpp电压信号的EEPROM,一个扇区的字节可以在瞬间(与单时钟周期比较是一个非常短的时间)擦除。
Flash比EEPROM优越的方面是,可以同时擦除许多字节,节省了每次写数据前擦除的时间,但一旦一个扇区被擦除,必须逐个字节地写进去,其写入时间很长。
存储器工作原理
这里只介绍动态存储器(DRAM)的工作原理。
工作原理
动态存储器每片只有一条输入数据线,而地址引脚只有8条。为了形成64K地址,必须在系统地址总线和芯片地址引线之间专门设计一个地址形成电路。使系统地址总线信号能分时地加到8个地址的引脚上,借助芯片内部的行锁存器、列锁存器和译码电路选定芯片内的存储单元,锁存信号也靠着外部地址电路产生。
当要从DRAM芯片中读出数据时,CPU首先将行地址加在A0-A7上,而后送出RAS锁存信号,该信号的下降沿将地址锁存在芯片内部。接着将列地址加到芯片的A0-A7上,再送CAS锁存信号,也是在信号的下降沿将列地址锁存在芯片内部。然后保持WE=1,则在CAS有效期间数据输出并保持。
当需要把数据写入芯片时,行列地址先后将RAS和CAS锁存在芯片内部,然后,WE有效,加上要写入的数据,则将该数据写入选中的存贮单元。
存储器芯片
由于电容不可能长期保持电荷不变,必须定时对动态存储电路的各存储单元执行重读操作,以保持电荷稳定,这个过程称为动态存储器刷新。PC/XT机中DRAM的刷新是利用DMA实现的。首先应用可编程定时器8253的计数器1,每隔1⒌12μs产生一次DMA请求,该请求加在DMA控制器的0通道上。当DMA控制器0通道的请求得到响应时,DMA控制器送出到刷新地址信号,对动态存储器执行读操作,每读一次刷新一行。