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提高访问速度用什么存储器

发布时间: 2022-04-14 10:34:12

‘壹’ 访问速度最快的存储器是Cache 还是内存

CACHE速度比内存快,因为CPU的速度太快,内存跟不上,所以就出现了CHCHE,就是我们平时说的L1和L2,L1和L2会提前把CPU可能要用到的信息提前从内存中提取,这样就可以提高CPU的效率,不用等待缓慢的内存了,因为CACHE成本高,而且因为速度快和用途的原因,不会代替内存,只是作为提高CPU运算效率的一种解决方案.希望以后完全代替内存,这样CPU也不会有什么1级或2级缓存了. 仁者见仁智者见智吧。后面发展成什么样大家谁都说不准,可能以后核更多了,速度更快了,还会出新东西呢。

‘贰’ 在计算机中,访问速度最快的存储器是什么

在计算机的各种存储器中,访问速度最快的是磁带存储器

磁带存储器:以磁带为存储介质,由磁带机及其控制器组成的存储设备,是计算机的一种辅助存储器。磁带机由磁带传动机构和磁头等组成,能驱动磁带相对磁头运动,用磁头进行电磁转换,在磁带上顺序地记录或读出数据。磁带存储器是计算机外围设备之一。磁带控制器是中央处理器在磁带机上存取数据用的控制电路装置。磁带存储器以顺序方式存取数据。存储数据的磁带可脱机保存和互换读出。

(2)提高访问速度用什么存储器扩展阅读:

磁带存储器物理特性

磁性材料被磁化以后,工作点总是在磁滞回线上。只要外加的正向脉冲电流(即外加磁场)幅度足够大,那么在电流消失后磁感应强度B并不等于零,而是处在+Br状态(正剩磁状态)。反之,当外加负向脉冲电流时,磁感应强度B将处在-Br状态(负剩磁状态)。

当磁性材料被磁化后,会形成两个稳定的剩磁状态,就像触发器电路有两个稳定的状态一样。如果规定用+Br状态表示代码1,-Br状态表示代码0,那么要使磁性材料记忆1,就要加正向脉冲电流,使磁性材料正向磁化;要使磁性材料记忆0,则要加负向脉冲电流,使磁性材料反向磁化。磁性材料上呈现剩磁状态的地方形成了一个磁化元或存储元,它是记录一个二进制信息位的最小单位。

‘叁’ 为什么多结构体存储器可以提高访问速度

多个人的力不比一个人的力大吗?

‘肆’ 提高存储器速度可采用哪些措施,请说出至少五种措施。

1、采用高速器件

2、采用cache

3、采用多体交叉存储器

4、采用用双端口存储器

5、采用相联存储器,加长存储器的字长。

(4)提高访问速度用什么存储器扩展阅读

磁盘存储访问时间

磁盘设备在工作时以恒定速率旋转。

为了读或写,磁头必须能移动到所要求的磁道上,并等待所要求的扇区的开始位置旋转到磁头下,然后再开始读或写数据。故可把对磁盘的访问时间分成以下三部分。

1)寻道时间

这是指把磁臂(磁头)移动到指定磁道上所经历的时间。该时间是启动磁臂的时间s与磁头移动n条磁道所花费的时间之和,即

=m×n+s

其中,m是一常数,与磁盘驱动器的速度有关。对于一般磁盘,m=0.2;对于高速磁盘,

m≤0.1,磁臂的启动时间约为2ms。

这样,对于一般的温盘,其寻道时间将随寻道距离的

增加而增大,大体上是5~30ms。

2)旋转延迟时间

这是指定扇区移动到磁头下面所经历的时间。不同的磁盘类型中,旋转速度至少相差一个数量级,如软盘为300r/min,硬盘一般为7200~15000r/min,甚至更高。

对于磁盘旋转延迟时间而言,如硬盘,旋转速度为15000r/min,每转需时4ms,平均旋转延迟时间为2ms;而软盘,其旋转速度为300r/min或600r/min,这样,平均为50~100ms。

3)传输时间

这是指把数据从磁盘读出或向磁盘写入数据所经历的时间。Tt的大小与每次所读/写的字节数b和旋转速度有关:

其中,r 为磁盘每秒钟的转数;N 为一条磁道上的字节数,当一次读/写的字节数相当于半条

磁道上的字节数时,与相同。因此,可将访问时间表示为

由上式可以看出,在访问时间中,寻道时间和旋转延迟时间基本上都与所读/写数据的多少无关,而且它通常占据了访问时间中的大头。

例如,我们假定寻道时间和旋转延迟时间平均为20ms,而磁盘的传输速率为10MB/s,如果要传输10KB的数据,此时总的访问时间为21ms,可见传输时间所占比例是非常小的。

当传输100KB数据时,其访问时间也只是30ms,即当传输的数据量增大10倍时,访问时间只增加约50%。

目前磁盘的传输速率已达80MB/s以上,数据传输时间所占的比例更低。可见,适当地集中数据(不要太零散)传输,将有利于提高传输效率。

‘伍’ 在计算机中,访问速度最快的存储器是 A硬盘B U盘C光盘D内存

在计算机中,访问速度最快的存储器是:D内存

‘陆’ 在计算机的各种存储器中,访问速度最快的是( )。

选择D,磁带存储器。

磁带存储器的记录方式主要以形成不同写入电流波形的方式记录,所以访问速度最快。而且能驱动磁带相对磁头运动,用磁头进行电磁转换,在磁带上顺序地记录或读出数据。

磁带存储器可以通过磁带控制器模型大型机所共享。磁带存储器可以处理最多4Gbps传输速度的光纤连接装置——这是大型机光纤连通道连接专利。磁带存储器控制器也能够支持磁盘驱动或者是光纤通道交换机多达4个标准的8 Gbps传输速度的光纤通道连接。

如果磁带存储器没有足够的FICON与合适长度和类型的光纤通道布线,各驱动、大型机以及存储网络之间的连通性将不能实现。磁带存储器以及控制器也需要软件升级和许可支持。这取决于数据中心当前的操作系统和许可模式。

(6)提高访问速度用什么存储器扩展阅读:

磁带机结构原理:

普遍使用的磁带机是快启停式磁带机。它由主动轮和带盘驱动机构、磁带导向和缓冲机构、磁头、读写和驱动控制电路等组成。

磁带传动:以真空缓冲箱式磁带机为例,磁带由供带盘经右缓冲箱、磁头、主动轮、左缓冲箱到卷带盘。

磁带读写:磁带运动时与磁头接触。磁头线圈中通有电流时,磁头间隙附近产生磁场,将磁带上一个很小区域磁化。

数据组织:一盘磁带有始端标记(BOT)和尾端标记(EOT),中间可记若干个文件。每个文件由1至若干个数据块组成,两个文件之间有带标隔开。

磁带控制器:一个磁带控制器可联数台磁带机,控制磁带机执行写、读、进退文件、进退数据块等操作。

参考资料来源:网络-磁带存储器

‘柒’ 计算机中访问速度最快的存储器是

内存

瑞萨发布世界上速度最快的闪存存储器

目前,瑞萨科技公司宣布开发出R1FV04G13R和R1FV04G14R 4千兆位(Gbit) AG-AND*1型闪存存储器,可以提供世界上最快的10 M字节/秒编程速度,用于电影和类似应用中的大容量数据的高速记录。在2004年9月,将从日本开始样品发货,随后在12月将开始批量生产。

R1FV04G13R和R1FV04G14R分别具有´8和´16位配置,可以提供下面的主要性能。

(1) 世界上最快的4千兆位闪存存储器(芯片)

作为实现了多级单元技术*2和高速度的第二阶段AG-AND型闪存存储器,R1FV04G13R和R1FV04G14R即使在4千兆位容量下,也能达到10 M字节/秒的快速编程速度。复制一个2小时的MPEG-4格式的电影,大约需要2分钟就可以完成录制。

(2) 小型芯片尺寸

由于使用90 nm工艺和改进的AG-AND闪存存储器单元设计,实现了世界上最小的存储单元。与1千兆位AG-AND型闪存存储器相比,每千兆位的芯片面积大约缩小了三分之二。

这些新产品的发布使得电影和音乐等大容量内容的快速下载和传送成为可能。相应地,其应用领域也从过去仅局限于数码相机和个人计算机,现在可以扩展到移动终端和数字家用设备,扩大了使用闪存存储器作为存储介质的系统解决方案的应用范围。

产品背景 >

高密度闪存存储器作为一种桥接介质,正在溶入我们的生活之中,尤其是在移动应用方面,可以用作数码相机和移动电话的图像存储存储器、USB存储器用作软盘的替代物。下一代的闪存存储卡需要更高的密度和更快的编程速度以处理快速数据下载,可以为大容量、高质量的动画数据如电影提供便携性。

为满足这些需要,目前瑞萨科技大量生产130 nm工艺1千兆位AG-AND型闪存存储器,通过使用辅助门(AG)防止单元间的干扰,以及使用公司在常规AND型闪存领域开发的多级单元技术,可以提供更小的单元面积和高达10 M字节/秒的高编程速度。

为满足更高密度的需要,同时又实现高速度,在2003年12月瑞萨科技开发出了第二代AG-AND型闪存存储单元,通过改进第一代AG-AND型闪存存储器单元的设计和使用90 nm工艺,使存储器单元面积大约缩小了三分之一。现在瑞萨科技已经完成了R1FV04G13R和R1FV04G14R的商用开发,它们是世界上速度最快的 4千兆位小型AG-AND型闪存存储器,使用第二代存储器单元。

产品详情 >

使用R1FV04G13R和R1FV04G14R,可以在单个芯片上配置512M字节的记录介质,提供的存储能力大约相当于160分钟的MPEG-4电影数据,大约等同于130个磁道的MP3音乐数据,或大约500张4兆象素的数码相机相片。

R1FV04G13R和 R1FV04G14R的特性总结如下。

(1) 世界上编程速度最快的4千兆位闪存存储器(芯片),速度高达10 M字节/秒。

和1千兆位产品一样,使用热电子注入编程方法*3和在单个芯片内同时进行4组编程操作,通过使用多级单元技术,实现了高达10 M字节/秒的编程速度。

(2) 小型芯片尺寸

通过使用90 nm工艺和改进的第一代AG-AND型闪存存储器源-漏*4结构,实现了世界上最小的0.016 μm2存储单元面积。

与1千兆位 AG-AND型闪存存储器相比,每千兆位芯片面积大约缩小了三分之二。

* 源-漏结构的改进:

使用了一种新结构,在AG上加电压时,硅衬底上形成的逆温层*5构成了存储单元晶体管的源和漏。在常规的扩散层*6结构中,源和漏趋向于横向扩散,但是,由于逆温层仅在AG下面的衬底的极浅区域形成,因此可以缩小存储单元的面积。

(3) 支持加电读出功能(2K字节大小)

系统加电时,不需要命令或地址输入,通过控制两个控制线(/CE 针和/RE针)就可以读出多达2K字节的数据。

(4) 在编程操作过程中具有高速缓冲存储器编程功能,在擦除操作过程中,具有可编程数据输入功能。

在器件编程过程中,可以对下一步2 K字节的数据进行高速缓冲存储器编程的功能,最多可以进行两次(4 K字节)。这使得系统可以很容易地分配总线进行下一个任务。在器件擦除过程中,可以进行一次高达2 K字节的下一步数据输入的功能。

(5) NAND接口

在命令级,R1FV04G13R和R1FV04G14R与NAND型闪存存储器兼容,因此,对目前使用NAND型闪存存储器的系统进行很少的软件修改,就可以使用它们。

电源电压是3.3 V,使用的封装形式是48针TSOP 1型封装,与1千兆位AG-AND型闪存存储器的封装尺寸相同。

未来的计划包括为R1FV04G13R和R1FV04G14R开发控制器,面向高速闪存卡的应用开发,以及开发2千兆位AG-AND型闪存存储器产品和使用新型存储单元的1.8 V低压产品。

我们也计划开发具有两个层迭4千兆位AG-AND型闪存存储器的大容量8千兆位产品,使用新的封装形式(WFLGA: 超细节距栅格阵列),在2004年12月将开始高密度安装。

‘捌’ 微机中访问速度最快储存器是什么

微机中访问速度最快的存储器是内存。中央处理器(CPU)直接与内存打交道,即CPU可以直接访问内存。而外存储器只能先将数据指令先调入内存然后再由内存调入CPU,CPU不能直接访问外存储器。CD-ROM、硬盘和U盘都属于外存储器,因此,内存储器比外存储器的访问周期更短。

硬盘的特点是存储容量大、存取速度快。硬盘可以进行格式化处理,格式化后,硬盘上的数据丢失。每台计算机可以安装一块以上的硬盘,扩大存储容量。

CPU只能通过访问硬盘存储在内存中的信息来访问硬盘。断电后,硬盘中存储的数据不会丢失。

内存是计算机写入和读取数据的中转站,它的速度是最快的。存取周期最短的是内存,其次是硬盘,再次是光盘,最慢的是软盘。

中央处理器(CPU)直接与内存打交道,即CPU可以直接访问内存。而外存储器只能先将数据指令先调入内存然后再由内存调入CPU,CPU不能直接访问外存储器。

‘玖’ 在微型计算机中,访问速度最快的存储器是什么

CPU中的一级缓存最快

CPU进行处理的数据信息多是从内存中调取的,但CPU的运算速度要比内存快得多,为此在此传输过程中放置一存储器,存储CPU经常使用的数据和指令。这样可以提高数据传输速度。可分一级缓存和二级缓存。

一级缓存

即L1 Cache。集成在CPU内部中,用于CPU在处理数据过程中数据的暂时保存。由于缓存指令和数据与CPU同频工作,L1级高速缓存缓存的容量越大,存储信息越多,可减少CPU与内存之间的数据交换次数,提高CPU的运算效率。但因高速缓冲存储器均由静态RAM组成,结构较复杂,在有限的CPU芯片面积上,L1级高速缓存的容量不可能做得太大。

二级缓存

即L2 Cache。由于L1级高速缓存容量的限制,为了再次提高CPU的运算速度,在CPU外部放置一高速存储器,即二级缓存。工作主频比较灵活,可与CPU同频,也可不同。CPU在读取数据时,先在L1中寻找,再从L2寻找,然后是内存,在后是外存储器。所以L2对系统的影响也不容忽视。

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