存储器的写

‘壹’ 4. 存储器的读写操作是怎样的

1.存储器通过加法处理器对CS:IP进行处理,得到一个物理地址;
2.通过地址总线在内存中找到物理地址,在物理地址内存中找到对应的机器码即汇编指令
3.机器码通过数据总线到达指令缓冲器
4.执行机器码
至于是读还是写就要看汇编指令是怎么的了

‘贰’ 存储器可分为哪三类

存储器不仅可以分为三类。因为按照不同的划分方法，存储器可分为不同种类。常见的分类方法如下。

一、按存储介质划分

1. 半导体存储器：用半导体器件组成的存储器。

2. 磁表面存储器：用磁性材料做成的存储器。

二、按存储方式划分

1. 随机存储器：任何存储单元的内容都能被随机存取，且存取时间和存储单元的物理位置无关。

2. 顺序存储器：只能按某种顺序来存取，存取时间和存储单元的物理位置有关。

三、按读写功能划分

1. 只读存储器(ROM)：存储的内容是固定不变的，只能读出而不能写入的半导体存储器。

2. 随机读写存储器(RAM)：既能读出又能写入的存储器。

二、选用各种存储器，一般遵循的选择如下：

1、内部存储器与外部存储器

一般而言，内部存储器的性价比最高但灵活性最低，因此用户必须确定对存储的需求将来是否会增长，以及是否有某种途径可以升级到代码空间更大的微控制器。基于成本考虑，用户通常选择能满足应用要求的存储器容量最小的微控制器。

2、引导存储器

在较大的微控制器系统或基于处理器的系统中，用户可以利用引导代码进行初始化。应用本身通常决定了是否需要引导代码，以及是否需要专门的引导存储器。

3、配置存储器

对于现场可编程门阵列(FPGA）或片上系统(SoC)，可以使用存储器来存储配置信息。这种存储器必须是非易失性EPROM、EEPROM或闪存。大多数情况下，FPGA采用SPI接口，但一些较老的器件仍采用FPGA串行接口。

4、程序存储器

所有带处理器的系统都采用程序存储器，但是用户必须决定这个存储器是位于处理器内部还是外部。在做出了这个决策之后，用户才能进一步确定存储器的容量和类型。

5、数据存储器

与程序存储器类似，数据存储器可以位于微控制器内部，或者是外部器件，但这两种情况存在一些差别。有时微控制器内部包含SRAM(易失性)和EEPROM(非易失)两种数据存储器，但有时不包含内部EEPROM，在这种情况下，当需要存储大量数据时，用户可以选择外部的串行EEPROM或串行闪存器件。

6、易失性和非易失性存储器

存储器可分成易失性存储器或者非易失性存储器，前者在断电后将丢失数据，而后者在断电后仍可保持数据。用户有时将易失性存储器与后备电池一起使用，使其表现犹如非易失性器件，但这可能比简单地使用非易失性存储器更加昂贵。

7、串行存储器和并行存储器

对于较大的应用系统，微控制器通常没有足够大的内部存储器。这时必须使用外部存储器，因为外部寻址总线通常是并行的，外部的程序存储器和数据存储器也将是并行的。

8、EEPROM与闪存

存储器技术的成熟使得RAM和ROM之间的界限变得很模糊，如今有一些类型的存储器（比如EEPROM和闪存）组合了两者的特性。这些器件像RAM一样进行读写，并像ROM一样在断电时保持数据，它们都可电擦除且可编程，但各自有它们优缺点。

参考资料来源：网络——存储器

‘叁’ 存储器中读写这两个字是什么意思

读就是读取磁盘上的数据，写就是把数据写入磁盘。

‘肆’ 存储器的读写

RAM、硬盘、光盘、储蓄器

‘伍’ 什么是存储器的读操作什么是存储器的写操作

是把值存在寄存器里吧，然后可以从寄存器里读，类似于使用变量

‘陆’ 存储器分类及各自特点有哪些

存储器分类依据不同的特性有多种分类方法。
（1）按工作性质/存取方式分类
•随机存取存储器 (RAM) -每个单元读写时间一样，且与各单元所在位置无关。如：内存。
•顺序存取存储器 (SAM) -数据按顺序从存储载体的始端读出或写入，因而存取时间的长短与信息所在位置有关。例如：磁带。
•直接存取存储器 (DAM) -直接定位到读写数据块，在读写数据块时按顺序进行。如磁盘。
•相联存储器 -按内容检索到存储位置进行读写。例如：快表。
（2）按存储介质分类
半导体存储器：双极型，静态MOS型，动态MOS型
磁表面存储器：磁盘、磁带
光存储器：CD，CD-ROM，DVD
（3）按信息的可更改性分类
读写存储器：可读可写
只读存储器：只能读不能写
（4）按断电后信息的可保存性分类
非易失（不挥发）性存储器：信息可一直保留， 不需电源维持。
易失（挥发）性存储器
（5）按功能/容量/速度/所在位置分类
•寄存器 -封装在CPU内，用于存放当前正在执行的指令和使用的数据 -用触发器实现，速度快，容量小（几~几十个）
•高速缓存-位于CPU内部或附近，用来存放当前要执行的局部程序段和数据 -用SRAM实现，速度可与CPU匹配，容量小（几MB）
•内存储器 -位于CPU之外，用来存放已被启动的程序及所用的数据 -用DRAM实现，速度较快，容量较大（几GB）
•外存储器-位于主机之外，用来存放暂不运行的程序、数据或存档文件 -用磁表面或光存储器实现，容量大而速度慢

‘柒’ 存储器是什么

存储器（Memory）是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备。在数字系统中，只要能保存二进制数据的都可以是存储器。

在集成电路中，一个没有实物形式的具有存储功能的电路也叫存储器，如RAM、FIFO等。

在系统中，具有实物形式的存储设备也叫存储器，计算机中全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。

(7)存储器的写扩展阅读：

1、分类

cf闪存卡：一种袖珍闪存卡。像pc卡那样插入数码相机，它可用适配器，使之适应标准的pc卡阅读器或其他的pc卡设备。

sd闪存卡：存储的速度快，非常小巧，外观和MMC一样，市面上较多数数码相机使用这种格式的存储卡。

数字胶卷：一种数码相机的存储介质，同日立的sm卡、松下的sd卡、索尼的memorystick属同类的数字存储媒体。

2、特性

优异性能支持高并发、带宽饱和利用。存储系统将控制流和数据流分离，数据访问时多个存储服务器同时对外提供服务，实现高并发访问。

无论系统是采用电池供电还是由市电供电，应用需求将决定存储器的类型以及使用目的。另外，在选择过程中,存储器的尺寸和成本也是需要考虑的重要因素。

‘捌’ 存储器的读写过程是什么样的

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5.1 存储器系统基本知识

作者： 时间： 2008-04-10 来源：

5.1.1存储器的分类

按照存储介质不同，可以将存储器分为半导体存储器、磁存储器、激光存储器。

这里我们只讨论构成内存的半导体存储器。

按照存储器的存取功能不同，半导体存储器可分为只读存储器（Read Only Memory简称ROM）和随机存储器（Random Access Memory简称RAM）

1.只读存储器（ROM）

ROM的特点是把信息写入存储器以后，能长期保存，不会因电源断电而丢失信息。计算机在运行过程中，只能读出只读存储器中的信息，不能再写入信息。一般地，只读存储器用来存放固定的程序和数据，如微机的监控程序、汇编程序、用户程序、数据表格等。根据编程方式的不同，ROM共分为以下5种：

(1)掩模工艺ROM

这种ROM是芯片制造厂根据ROM要存贮的信息，设计固定的半导体掩模版进行生产的。一旦制出成品之后，其存贮的信息即可读出使用，但不能改变。这种ROM常用于批量生产，生产成本比较低。微型机中一些固定不变的程序或数据常采用这种ROM存贮。

(2)可一次性编程ROM（PROM）

为了使用户能够根据自己的需要来写ROM，厂家生产了一种PROM。允许用户对其进行一次编程──写入数据或程序。一旦编程之后，信息就永久性地固定下来。用户可以读出和使用，但再也无法改变其内容。

(3)紫外线擦除可改写ROM（EPROM）

可改写ROM芯片的内容也由用户写入，但允许反复擦除重新写入。EPROM是用电信号编程而用紫外线擦除的只读存储器芯片。在芯片外壳上方的中央有一个圆形窗口，通过这个窗口照射紫外线就可以擦除原有的信息。由于阳光中有紫外线的成分，所以程序写好后要用不透明的标签封窗口，以避免因阳光照射而破坏程序。EPROM的典型芯片是Intel公司的27系列产品，按存储容量不同有多种型号，例如2716（2KB′8）、2732（4KB′8）、2764（8KB′8）、27128（16KB′8）、27256（32KB′8）等，型号名称后的数字表示其存储容量。

(4)电擦除可改写ROM（EEPROM或E2PROM）

这是一种用电信号编程也用电信号擦除的ROM芯片，它可以通过读写操作进行逐个存储单元读出和写入，且读写操作与RAM存储器几乎没有什么差别，所不同的只是写入速度慢一些。但断电后却能保存信息。典型E2PROM芯片有28C16、28C17、2817A等。

(5)快擦写ROM（flash ROM）

E2PROM虽然具有既可读又可写的特点，但写入的速度较慢，使用起来不太方便。而flash ROM是在EPROM和E2PROM的基础上发展起来的一种只读存储器，读写速度都很快，存取时间可达70ns，存储容量可达16MB~128MB。这种芯片可改写次数可从1万次到100万次。典型flash ROM芯片有28F256、28F516、AT89等。

2.随机存储器RAM（也叫读写存储器）

读写存储器RAM按其制造工艺又可以分为双极型RAM和金属氧化物RAM。

(1) 双极型RAM
双极型RAM的主要特点是存取时间短，通常为几到几十纳秒（ns）。与下面提到的MOS型RAM相比，其集成度低、功耗大，而且价格也较高。因此，双极型RAM主要用于要求存取时间短的微型计算机中。

(2) 金属氧化物（MOS）RAM
用MOS器件构成的RAM又分为静态读写存储器（SRAM）和动态读写存储器（DRAM）。

j静态RAM（SRAM）

静态RAM的基本存储单元是MOS双稳态触发器。一个触发器可以存储一个二进制信息。静态RAM的主要特点是，其存取时间为几十到几百纳秒（ns），集成度比较高。目前经常使用的静态存储器每片的容量为几KB到几十KB。SRAM的功耗比双极型RAM低，价格也比较便宜。

k动态RAM（DRAM）

动态RAM的存取速度与SRAM的存取速度差不多。其最大的特点是集成度特别高。其功耗比SRAM低，价格也比SRAM便宜。DRAM在使用中需特别注意的是，它是靠芯片内部的电容来存贮信息的。由于存贮在电容上的信息总是要泄漏的，所以，每隔2ms到4ms，DRAM要求对其存贮的信息刷新一次。

l集成RAM（i RAM）

集成RAM――Integrated RAM，缩写为i RAM，这是一种带刷新逻辑电路的DRAM。由于它自带刷新逻辑，因而简化与微处理器的连接电路，使用它和使用SRAM一样方便。

m非易失性RAM（NVRAM）

非易失性RAM――Non-Volatile RAM，缩写为NVRAM，其存储体由SRAM和EEPROM两部分组合而成。正常读写时，SRAM工作；当要保存信息时（如电源掉电），控制电路将SRAM的内容复制到EEPROM中保存。存入EEPROM中的信息又能够恢复到SRAM中。

NVRAM既能随机存取，又具有非易失性，适合用于需要掉电保护的场合。

5.1.2存储器的主要性能指标
1.存贮容量
不同的存储器芯片，其容量不一样。通常用某一芯片有多少个存贮单元，每个存贮单元存贮若干位来表示。例如，静态RAM6264的容量为8KB′8bit，即它有8K个单元（1K＝1024），每个单元存贮8位（一个字节）数据。

2.存取时间
存取时间即存取芯片中某一个单元的数据所需要的时间。在计算机工作时，CPU在读写RAM时，它所提供的读写时间必须比RAM芯片所需要的存取时间长。如果不能满足这一点，微型机则无法正常工作。

3.可靠性
微型计算机要正确地运行，必然要求存储器系统具有很高的可靠性。内存的任何错误就足以使计算机无法工作。而存储器的可靠性直接与构成它的芯片有关。目前所用的半导体存储器芯片的平均故障间隔时间（MTBF）大概是（5′106∽1′108）小时左右。

4.功耗
使用功耗低的存储器芯片构成存储器系统，不仅可以减少对电源容量的要求，而且还可以提高存贮系统的可靠性。

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‘玖’ 存储器的分类

计算机中的存储器按用途存储器可分为主存储器和辅助存储器，也有分为外部存储器和内部存储器的分类方法。