准非易失存储

1. 中国科学家开创新存储技术如何

科研人员称，基于二维半导体的准非易失性存储器可在大尺度合成技术基础上实现高密度集成，将在极低功耗高速存储、数据有效期自由度利用等多领域发挥重要作用。

这项科学突破由复旦大学科研团队独立完成，复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室为唯一单位。该项工作得到国家自然科学基金优秀青年项目和重点研究项目的支持。

2. 复旦大学研发什么新型存储技术

近日，复旦大学某团队研发出具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件，开创了第三类存储技术，解决了国际半导体电荷存储技术中“写入速度”与“非易失性”难以兼得的难题。

目前半导体电荷存储技术主要有两类，第一类是易失性存储，例如计算机的内存，可在几纳秒左右写入数据，但掉电后数据会立即消失；第二类是非易失性存储，例如U盘，需要几微秒到几十微秒才能把数据保存下来，但在写入数据后无需额外能量可保存10年。

这项研究创新性地选择了二硫化钼、二硒化钨、二硫化铪、氮化硼等多重二维材料堆叠构成了半浮栅结构晶体管，制成阶梯能谷结构的范德瓦尔斯异质结。其中一部分如同一道可随手开关的门，电子易进难出；另一部分则像一面密不透风的墙，电子难以进出。对“写入速度”与“非易失性”的调控，就在于这两部分的比例。这一重要突破，从技术定义、结构模型到性能分析的全过程，均由复旦大学科研团队独立完成。

3. 非易失性存储器有哪些

非易失性存储器主要包括以下几种：

1. EEPROM

EEPROM 是一种能在现场编程或者更改的存储器，即可以在不改装的情况下更改数据，同时具有记忆能力。当不需要修改数据或者需要擦除和重写时，它可以保留原有数据。因此，这种存储器被广泛应用于汽车电子、消费电子产品等。EEPROM 主要通过电场来改变数据状态，可以实现快速擦除和写入数据。它通常不需要外部电源就能保存数据，即使在断电情况下也能保存数据很长时间。这使得它在需要长期存储数据且无法经常供电的情况下具有极大的优势。

2. NAND闪存

NAND闪存是一种基于浮栅技术的非易失性存储器，它允许在非常小的单元内存储信息。由于其体积小、重量轻、耐用性强等特点，NAND闪存广泛应用于手机、平板电脑等便携式设备中。NAND闪存具有高存储密度、低功耗等优点，使其成为现代电子设备中不可或缺的存储组件。同时，NAND闪存的读写速度也很快，能够满足现代电子设备对存储速度的需求。

3. NOR闪存

NOR闪存是一种只读存储器，它可以被编程或擦除来存储用户自定义的数据信息。相比于EEPROM和NAND闪存，NOR闪存的读写速度较慢，但它的存储容量更大，成本更低。NOR闪存被广泛用于嵌入式系统中，例如汽车电子和工业控制等领域。它的数据保留时间非常长，即使在长时间断电的情况下也不会丢失数据。这使得它在需要长期存储和传输信息的领域中占据重要的位置。 以上三种非易失性存储器都有着不同的应用环境和特性优势。

总结：非易失性存储器主要包括EEPROM、NAND闪存和NOR闪存等几种类型。它们在存储容量、操作速度等方面各有不同，可以应对不同领域的需求。在实际应用中，可以根据具体需求选择合适的存储器类型。