sram存储器读写次数

A. DRAM，SDRAM和SRAM的区别

三者在数据存储、体积、特点不同：

1、数据存储不同：

SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。

而DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失。

SDRAM有一个同步接口，在响应控制输入前会等待一个时钟信号，这样就能和计算机的系统总线同步。时钟被用来驱动一个有限状态机，对进入的指令进行管线(Pipeline)操作。这使得SDRAM与没有同步接口的异步DRAM(asynchronous DRAM)相比，可以有一个更复杂的操作模式。

2、体积不同：

相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积。

同样面积的硅片可以做出更大容量的DRAM。

SDRAM的体积结构已经很优化了。

3、特点不同：

SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，功耗较DRAM大 ，通常DRAM是有一个异步接口的，这样它可以随时响应控制输入的变化。

同步动态随机存取内存（synchronous dynamic random-access memory，简称SDRAM）是有一个同步接口的动态随机存取内存（DRAM）。

由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象，导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据，而导致数据毁损。因此对于DRAM来说，周期性地充电是一个无可避免的要件。由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为“动态”存储器。

B. 内存类型中SRAM和DRAM什么区别

1. SRAM存储元件所用MOS管多，占硅片面积大，因而功耗大，集成度低；DRAM存储元件所用MOS管少，占硅片面积小，因而功耗小，集成度很高；

2. SRAM采用一个正负反馈触发器电路来存储信息，所以只要直流供电电源一直加在电路上，就能一直保持记忆状态不变，所以无需刷新。DRAM采用电容存储电荷来存储信息，会发生漏电现象，所以要使状态保持不变，必须定时刷新；因为读操作会使状态发生改变，故需读后再生。
   

3. SRAM不会因为读操作而使状态发生改变，故无需读后再生，特别是它的读写速度快，其存储原理可看作是对带时钟的RS触发器的读写过程。DRAM因为特别是它的读写速度相对SRAM元件要慢的多，其存储原理可看作是对电容充、放电的过程。

4. SRAM价格比较昂贵，因而适合做高速小容量的半导体存储器，如Cache。相比于SRAM、DRAM价格较低，因而适合做慢速大容量的半导体存储器，如主存。有三种刷新方式：集中、分散和异步。

(2)sram存储器读写次数扩展阅读：

静态随机存取存储器（StaticRandom-AccessMemory，SRAM）是随机存取存储器的一种。所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。相对之下，动态随机存取存储器（DRAM）里面所储存的数据就需要周期性地更新。然而，当电力供应停止时，SRAM储存的数据还是会消失（被称为volatile memory），这与在断电后还能储存资料的ROM或闪存是不同的。

C. 只读存储器和随机存储器有什么区别

只读存储器和随机存储器区别：作用不同、特点不同

1、作用不同

只读存储器的主要作用是完成对系统的加电自检、系统中各功能模块的初始化、系统的基本输入／输出的驱动程序及引导操作系统。

随机存储器是与CPU直接交换数据的内部存储器。它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统运改或其他正在运行中的程序的临时数据存储介质。

2、特点不同

RAM 是随机存取存储器，它的特点是易挥发性，即掉电失忆。ROM 通常指固化存储器（一次写入，反复读取），它的特点与RAM 相反。ROM又分一次性固化、光擦除和电擦除重写三种类型。

举个例子来说手亏也就是，如果突然停电或者没有保存就关闭了文件，那么ROM可以随机保存之前没有储存的文件但是RAM会使之前没有保存的文件消失。

(3)sram存储器读写次数扩展阅读：

随机存储器的分类：

1、静态随机存储器（SRAM）

静态存储单元是在静态触发器的基础上附加门毕悄神控管而构成的。因此，它是靠触发器的自保功能存储数据的。

2、动态随机存储器（DRAM）

动态RAM的存储矩阵由动态MOS存储单元组成。动态MOS存储单元利用MOS管的栅极电容来存储信息，但由于栅极电容的容量很小，而漏电流又不可能绝对等于0，所以电荷保存的时间有限。为了避免存储信息的丢失，必须定时地给电容补充漏掉的电荷。

只读存储器的种类：

1、ROM

只读内存（Read－Only Memory）是一种只能读取资料的内存。在制造过程中，将资料以一特制光罩（mask）烧录于线路中，其资料内容在写入后就不能更改，所以有时又称为“光罩式只读内存”（mask ROM）。此内存的制造成本较低，常用于电脑中的开机启动。

2、可编程只读存储器

可编程只读存储器（英文：Programmable ROM，简称：PROM）一般可编程一次。PROM存储器出厂时各个存储单元皆为1，或皆为0。用户使用时，再使用编程的方法使PROM存储所需要的数据。

D. 某SRAM芯片,其存储容量为64k*16位,该芯片的地址线和数据线目为多少

1、如果存储容量为512×8，则有8条数据线；因为2^19=512k，则有19条地址线。512表示可以存储512×1024=2^19位数据，同时读写8位数据。
2、数据线8根，地址线10根1k，11根2k，12根4k，13根8k，14根16k。当然是4pcs，16*4=64。
3、(1)：根据题意，许给1K*4的SARM需给他位扩展二倍，字扩展四倍，先用四片可构成一个4K*4的芯片，然后再用两片4K*4的芯片即可构成所需芯片，故共需要4*2=8块存储模版。
4、根地址线，表示容寻址范围为2的14次方，即16K，数据总线是8位的，所以实际容量是16KB。
5、位地址线最大寻址范围是64K，8000H-FFFFH地址范围是32K，当然就要4片8K×8的存储器芯片。