东芝闪存存储

⑴ 东芝闪存颗粒命名规则

命名规则解析：THGAF4G9N4LBAIR（UFS2.1，15nm，MLC）

该命名规则由一系列字符组成，每个字符代表不同的信息。

T: “Toshiba” 东芝，代表该产品的制造商。

H: “Multi-chip” 多芯片封装，表示该产品采用多芯片封装技术。

G: 符号，代表该产品的闪存类型为“IC”（集成电路）。

A: 符号，表示供电电压类型。具体含义需根据后续字符确定。

F: 表示该产品的NAND接口类型为“UFS”（Universal Flash Storage）。

4: 唯一代码，表示内置控制器的版本为4。

G至I: 表示存储密度和封装大小等信息。其中，G代表以G bits表示的容量，9表示2的9次方，即512G bits（64GB）。

N: 符号，表示该产品的架构为MLC（Multi-Level Cell）。

4: 数字，表示封装内含堆叠芯片数为4。

L: 符号，表示制程为15nm。其中K代表19nm，J代表24nm。

BA: 组合符号，表示封装类型为无铅无卤素BGA（Ball Grid Array）。

I: 符号，表示该产品的模式为工业版本，工作温度为-25°C至85°C。

R: 符号，表示封装大小为11.5mmx13mmx1.0mm。

此外，第9个字符与闪存架构有关。其中：

1）SLC（Single-Level Cell）为S或H；

2）DLC（Dua-Level Cell）为D或E（不常见）；

3）TLC（Triple-Level Cell）为T或U；

4）MLC（Multi-Level Cell）为B、C、J、K、L、N等。

⑵ 东芝XL-Flash如何通过高带宽和低延迟提升性能

在FMS闪存峰会上，东芝揭晓了XL-FLASH，一款专为高性能应用设计的新型3D NAND闪存，旨在提升存储速度和响应效率。与传统3D NAND的聚焦不同，XL-FLASH凭借其独特的设计，瞄准了低延迟和高带宽的领域。

XL-FLASH在BiCS架构下采用SLC构型，且通过16个Plane的增加，实现了存储并发存取的大幅提升，这在读取速度上尤为明显，能满足PCIe4.0及更高技术对固态硬盘高速读取的需求。然而，写入速度一直是NAND闪存的瓶颈，XL-FLASH通过16Plane结构，有望缓解这一问题。

对于内存扩充的需要，XL-Flash的低延迟特性使其在海量内存场景中具备高性价比，可能成为部分替代DRAM内存的选项。尤其在数据分层存储中，随着QLC和PLC闪存的出现，不同性能层级的闪存之间差距会扩大，XL-Flash作为高速数据载体，能够有效填充这一性能空白。

虽然XL-Flash的实用化还有一定距离，但其在RD500/RC500 M.2 NVMe固态硬盘上的应用，预示着高性能和大容量的融合。东芝更名为Kioxia铠侠，体现了其存储技术推动世界进步的承诺。

总之，XL-Flash是东芝对存储结构和延迟的一次重大创新，旨在填补高性能和大容量存储的空白，为未来的存储市场带来革命性变化。不过，消费者可能还需要一段时间才能在消费级产品中体验到这一技术的全面魅力。

⑶ 东芝UFS闪存不完全一览（含命名规则举例）

东芝UFS闪存技术自2013年首次推出，经过一系列迭代，至今已成为移动设备存储领域的关键技术之一。以下为东芝UFS闪存的不完全概述，包括命名规则举例。

第一代（2013年1月），采用24nm制程，UFS1.1接口协议，HS-G2 1-Lane（2.9Gbps）。

第二代（2014年4月），升级为19nm制程，接口协议升级为UFS2.0，HS-G3 2-Lane（11.6Gbps）。提供了32GB和64GB两种容量。

第三代（2015年12月前），继续沿用15nm制程与UFS2.0接口协议，HS-G3 2-Lane（11.6Gbps），提供32GB和64GB两种容量。

第四代（2016年3月前），同样使用15nm制程和UFS2.0接口，HS-G3 2-Lane（11.6Gbps），提供了32GB、64GB和128GB三种容量。

第五代（2016年10月），采用15nm制程，接口协议升级为UFS2.1，HS-G3 2-Lane（11.6Gbps），提供32GB、64GB和128GB三种容量。

命名规则以THGAF4G9N4LBAIR为例，解析如下：

字符1至字符3：标识东芝（T）的多芯片（H）集成电路（G）。

字符4：表示供电电压类型（A）。

字符5：闪存接口类型为UFS（F）。

字符6：内置控制器版本为4（4）。

字符7：容量用G bits表示（G）。

字符8：容量为512G bits，即64GB（9）。

字符9：架构为MLC（N）。

字符10：封装内含4个堆叠芯片（4）。

字符11：制程为15nm（L）。

字符12至13：无铅无卤素BGA封装（BA）。

字符14：工业版本（I）。

字符15：封装大小为11.5mmx13mmx1.0mm（R）。

其中，第9个字符指示闪存架构，例如SLC（S或H）、DLC（D或E）、TLC（T或U）和MLC（B、C、J、K、L、N）。

东芝UFS闪存技术的迭代，不仅提升了存储速度，也优化了存储密度，为移动设备提供了更高效、更灵活的存储解决方案。