存储周期最短的是

① 下列存储器中，存取周期最短的是（） A：硬盘存储器 B：CD-ROM C：DRAM D：SRAM

SRAM，即静态随机存取存储器，主要用于二级高速缓存（Level2 Cache），它利用晶体管来存储数据。相较于DRAM，SRAM速度更快，但同样面积下的存储容量较小。SRAM的工作原理基于双稳态电路，不需要像DRAM那样不断刷新，因此其工作速度更快。然而，SRAM由于存储单元的器件较多，集成度不高，且功耗较大。

SRAM主要由五大部分构成：存储单元阵列、行/列地址译码器、灵敏放大器、控制电路以及缓冲/驱动电路。存储单元阵列是存储数据的核心部分；行/列地址译码器负责将地址信号转换为相应的行和列地址；灵敏放大器用于检测存储单元中的微弱电平变化；控制电路用于控制整个存储器的操作；缓冲/驱动电路则用于信号的放大和传输。

存取周期是衡量存储器性能的重要指标之一，直接影响电子计算机的技术性能。存取周期越短，运算速度越快，但对存储元件及工艺的要求也越高。例如，磁芯存储器的存取周期通常在零点几到几个微秒之间；而半导体存储器的存取周期则在几十到几百毫微秒之间。

由此可见，半导体存储器的性能相较于磁芯存储器要优越得多。其中，SRAM作为半导体存储器的一种，其存取周期最短，因此存取速度最快。因此，在选项中，SRAM是存取周期最短的存储器。

SRAM的工作原理及其性能优势使其在高速缓存系统中得到广泛应用，尤其是在需要快速访问数据的场合。尽管其功耗较高且集成度较低，但在高性能计算和嵌入式系统等领域中仍具有不可替代的地位。

② 下列存储器中,存取周期最短的是（） A：硬盘存储器 B：CD-ROM C：DRAM D：SRAM

D：SRAM
A,和B,不用说吧,一定不可能的.硬盘存储,和CDROM存储,都是慢极了的,那就只有.C 和D了,那看下,DRAM,和SRAM的不同吧..
SRAM的速度非常快,在快速读取和刷新时可以保持数据完整性,即保持数据不丢失.SRAM在PC平台上就只能用于CPU内部的一级缓存以及内置的二级缓存.而我们所说的“系统内存”使用的应该是DRAM.
DRAM的应用比SRAM要广泛,结构较SRAM要简单许多,无论是集成度、生产成本以及体积,DRAM都比SRAM具有优势 .

③ 下列存储器中，存取周期最短的是（） A：硬盘存储器 B：CD-ROM C：DRAM D：SRAM

SRAM。

SRAM主要用于二级高速缓存掘敬（Level2 Cache)。它利用晶体管来存储数据。与DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面积中SRAM的容量要比其他类型的内存小。

SRAM是静态存储方式，以双稳态电路作为存储单元，SRAM不像DRAM一样需要不断刷新，而且工作速度较快，但由于存储单元器件较多，集成度不太高，功耗也较大。

(3)存储周期最短的是扩展阅读

SRAM可分为五大部分：存储单元阵列（core cells array），行/列地址译码器(decode），灵敏放大器(Sense Amplifier），控制电路（control circuit），缓冲/驱动电路（FFIO）判山慎。

存取周期为存储器的性能指标之一，直接影响电子计算机的技术性能。存储周期愈短，运算速度愈快，但对存储元件及工艺的要求也愈高。

例如磁芯存储器的存取周期为零点几到几个微秒。半导体存储器的存取周期通常在几十到几百毫微秒之间。那么半导体存储器的性能比磁芯存储器的性能要好。