存储密度1

‘壹’ 存储密度

在数据结构中，存储密度：结点数据本身所占的存储量和整个结点结构所占的存储量之比。
存储密度 = （结点数据本身所占的存储量）/（结点结构所占的存储总量）

‘贰’ 闪存有哪几种

由于闪存颗粒中存储密度存在差异，所以闪存又分为SLC、MLC、TLC和QLC。简单的说，NAND闪存的基本原理，QLC容量大，但性能也变差了。

SLC：每个Cell单元存储1bit信息，也就是只有0、1两种电压变化，结构简单，电压控制也快速，反映出来的特点就是寿命长，性能强，P/E寿命在1万到10万次之间，但缺点就是容量低而成本高，毕竟一个Cell单元只能存储1bit信息。

MLC：每个cell单元存储2bit信息，需要更复杂的电压控制，有00,01,10,11四种变化，这也意味着写入性能、可靠性能降低了。其P/E寿命根据不同制程在3000-5000次不等。

TLC：每个cell单元存储3bit信息，电压从000到001有8种变化，容量比MLC再次增加1/3，成本更低，但是架构更复杂，P/E编程时间长，写入速度慢，P/E寿命也降至1000-3000次，部分情况会更低。寿命短只是相对而言的，通常来讲，经过重度测试的TLC颗粒正常使用5年以上是没有问题的。

QLC或者可以叫4bit MLC，电压有16种变化，但是容量能增加33%，就是写入性能、P/E寿命与TLC相比会进一步降低。具体的性能测试上，美光有做过实验。读取速度方面，SATA接口中的二者都可以达到540MB/S，QLC表现差在写入速度上。

因为其P/E编程时间就比MLC、TLC更长，速度更慢，连续写入速度从520MB/s降至360MB/s，随机性能更是从9500 IOPS降至5000 IOPS，损失将近一半。

分类

按种类分

U盘、CF卡、SM卡、SD/MMC卡、记忆棒、XD卡、MS卡、TF卡、PCIe闪存卡。

按品牌分

矽统（SIS）、金士顿、索尼、LSI、闪迪、Kingmax、鹰泰、创见、爱国者、纽曼、威刚、联想、台电、微星、SSK、三星、海力士。

以上内容参考：网络-闪存

‘叁’ 单链表的存储密度是多少

单链表的存储密度小于1。
原因：“存储密度=单链表数据项所占空间/结点所占空间”，而“结点所占空间＝数据项所占空间＋存放后继结点地址的链域”；所以，存储密度小于1。
数据结构中单链表的存储密度：链表的每个节点除了数据域用来存储元素外，还要额外的设置指针域，用来存储用来存储指示元素之间的逻辑关系的指针。
存储密度是指数据元素本身所占的存储量和整个结点结构所占的存储量之比。
假设单链表数据元素本身的存储量为N，指针域所占的存储量为M，则存储密度为：N/（N+M）。而结点所占空间＝数据项所占空间＋存放后继结点地址的链域。