行列式存储

A. 常见的非易失性存储器有哪几种

常见的非易失性存储器有以下几种：

一、可编程只读内存：PROM（Programmable read-only memory）

其内部有行列式的_丝，可依用户（厂商）的需要，利用电流将其烧断，以写入所需的数据及程序，_丝一经烧断便无法再恢复，亦即数据无法再更改。

二、电可擦可编程只读内存：EEPROM（Electrically erasable programmable read only memory）

电子抹除式可复写只读存储器（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory，EEPROM）之运作原理类似EPROM，但是抹除的方式是使用高电场来完成，因此不需要透明窗。

三、可擦可编程只读内存：EPROM（Erasable programmable read only memory）

可利用高电压将数据编程写入，但抹除时需将线路曝光于紫外线下一段时间，数据始可被清空，再供重复使用。因此，在封装外壳上会预留一个石英玻璃所制的透明窗以便进行紫外线曝光。

四、电可改写只读内存：EAROM（Electrically alterable read only memory）

内部所用的芯片与写入原理同EPROM，但是为了节省成本，封装上不设置透明窗，因此编程写入之后就不能再抹除改写。

五、闪存：Flash memory

是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式，允许在操作中被多次擦或写的存储器。这种科技主要用于一般性数据存储，以及在电脑与其他数字产品间交换传输数据，如储存卡与U盘。闪存是一种特殊的、以宏块抹写的EEPROM。早期的闪存进行一次抹除，就会清除掉整颗芯片上的数据。

B. 电脑的储存器有哪些种类 每种的特点是什么 分别用在什么地方

电脑的存储器分为随机存储器RAM和只读存储器ROM。功能为随机的是临时存储数据，电源断了之后数据就会丢失。
ROM不会丢失。只读内存（Read-Only
Memory，ROM）是一种半导体内存，其特性是一旦储存资料就无法再将之改变或删除。通常用在不需经常变更资料的电子或电脑系统中，资料并且不会因为电源关闭而消失。例如早期的个人电脑如Apple
II或IBM
PC
XT/AT的开机程序（操作系统）或是其他各种微电脑系统中的轫体（Firmware）。
ROM
种类
1.ROM
只读内存（Read-Only
Memory）是一种只能读取资料的内存。在制造过程中，将资料以一特制光罩（mask）烧录于线路中，其资料内容在写入后就不能更改，所以有时又称为“光罩式只读内存”（mask
ROM）。此内存的制造成本较低，常用于电脑中的开机启动。
2.PROM
可编程程序只读内存（Programmable
ROM，PROM）之内部有行列式的镕丝，视需要利用电流将其烧断，写入所需的资料，但仅能写录一次。
3.EPROM
可抹除可编程只读内存（Erasable
Programmable
Read
Only
Memory，EPROM）可利用高电压将资料编程写入，抹除时将线路曝光于紫外线下，则资料可被清空，并且可重复使用。通常在封装外壳上会预留一个石英透明窗以方便曝光。
4.OTPROM
一次编程只读内存（One
Time
Programmable
Read
Only
Memory，OPTROM）之写入原理同EPROM，但是为了节省成本，编程写入之后就不再抹除，因此不设置透明窗。
5.EEPROM
电子式可抹除可编程只读内存（Electrically
Erasable
Programmable
Read
Only
Memory，EEPROM）之运作原理类似EPROM，但是抹除的方式是使用高电场来完成，因此不需要透明窗。
6.快闪存储器
快闪存储器（Flash
memory）的每一个记忆胞都具有一个“控制闸”与“浮动闸”，利用高电场改变浮动闸的临限电压即可进行编程动作。
7.快闪存储器
指从游戏机主文件存储器里或者正版游戏卡带提取的游戏主文件，可以在各类模拟器上使用。例如街机模拟器，GBA模拟器的ROM，正是此意。
外部存储器可以有
硬盘
，软盘，光盘，U盘，移动硬盘等，其特点是光盘只可以写一次，读数次，其他的可以读次多次。

C. ROM分类介绍

据编程方式的不同，ROM共分为以下5种：

1、掩膜工艺ROM。这种 ROM 是工艺厂家根据客户所要存储的信息，设计专用的掩膜板进行生产的。一旦生产出成品后，ROM 中的信息即可被读出使用，但不能改，一般用于批量生产，成本比较低。

2、可一次性编程ROM（PROM）。是用熔丝制造的，用户可以烧断这些熔丝，以实现存储器存储元件之间的互联，从而写入信息，一旦写入之后，信息就会永久的固定下来，只可读出，不可再改变其内容。

3、紫外线擦除可改写ROM（EPROM）。内容可由用户写入，也允许用户反复擦除重新写入。由于太阳光含紫外线，当程序写好后要使用昂贵的带有石英窗口的陶瓷封装，避免阳光射入破坏程序。而且在擦除过程中不能选择性地擦除存储字单元，如果用户需要改程序，必须擦除整个存储阵列。

4、电擦除可改写ROM（EEROM）。EEROM是ROM发展过程中的一个主要进展，它的写操作采用了热载流子隧穿，擦除操作采用了热电子的量子力学隧穿效应。

5、快闪ROM（flash ROM）。是一种把热载流子编程和隧穿擦除结合在一起实现一个单管 EPROM 单元的方法。这种技术结合了 EPROM 的编程能力和 EEPROM 的擦除能力，读写速度都很快。这种芯片的改写次数最大能达到 100 万次。

(3)行列式存储扩展阅读：

ROM所存数据，一般是装入整机前事先写好的，整机工作过程中只能读出，而不像随机存储器那样能快速地、方便地加以改写。ROM所存数据稳定，断电后所存数据也不会改变；其结构较简单，读出较方便，因而常用于存储各种固定程序和数据。

除少数品种的只读存储器（如字符发生器）可以通用之外，不同用户所需只读存储器的内容不同。为便于使用和大批量生产 ，进一步发展了可编程只读存储器、可擦可编程序只读存储器和电可擦可编程只读存储器。