相变存储器与应用基础

‘壹’ 2.请讲解下 存储器的发展过程3.光纤的应用领域

存储器的发展过程:

1.汞延迟线

汞延迟线是基于汞在室温时是液体，同时又是导体，每比特数据用机械波的波峰（1）和波谷（0）表示。机械波从汞柱的一端开始，一定厚度的熔融态金属汞通过一振动膜片沿着纵向从一端传到另一端，这样就得名“汞延迟线”。在管的另一端，一传感器得到每一比特的信息，并反馈到起点。设想是汞获取并延迟这些数据，这样它们便能存储了。这个过程是机械和电子的奇妙结合。缺点是由于环境条件的限制，这种存储器方式会受各种环境因素影响而不精确。

1950年，世界上第一台具有存储程序功能的计算机EDVAC由冯?诺依曼博士领导设计。它的主要特点是采用二进制，使用汞延迟线作存储器，指令和程序可存入计算机中。

1951年3月，由ENIAC的主要设计者莫克利和埃克特设计的第一台通用自动计算机UNIVAC-I交付使用。它不仅能作科学计算，而且能作数据处理。

2.磁带

UNIVAC-I第一次采用磁带机作外存储器，首先用奇偶校验方法和双重运算线路来提高系统的可靠性，并最先进行了自动编程的试验。

磁带是所有存储媒体中单位存储信息成本最低、容量最大、标准化程度最高的常用存储介质之一。它互换性好、易于保存，近年来，由于采用了具有高纠错能力的编码技术和即写即读的通道技术，大大提高了磁带存储的可靠性和读写速度。根据读写磁带的工作原理可分为螺旋扫描技术、线性记录（数据流）技术、DLT技术以及比较先进的LTO技术。

根据读写磁带的工作原理，磁带机可以分为六种规格。其中两种采用螺旋扫描读写方式的是面向工作组级的DAT（4mm）磁带机和面向部门级的8mm磁带机，另外四种则是选用数据流存储技术设计的设备，它们分别是采用单磁头读写方式、磁带宽度为1/4英寸、面向低端应用的Travan和DC系列，以及采用多磁头读写方式、磁带宽度均为1/2英寸、面向高端应用的DLT和IBM的3480/3490/3590系列等。

磁带库是基于磁带的备份系统，它能够提供同样的基本自动备份和数据恢复功能，但同时具有更先进的技术特点。它的存储容量可达到数百PB，可以实现连续备份、自动搜索磁带，也可以在驱动管理软件控制下实现智能恢复、实时监控和统计，整个数据存储备份过程完全摆脱了人工干涉。

磁带库不仅数据存储量大得多，而且在备份效率和人工占用方面拥有无可比拟的优势。在网络系统中，磁带库通过SAN（Storage Area Network，存储区域网络）系统可形成网络存储系统，为企业存储提供有力保障，很容易完成远程数据访问、数据存储备份或通过磁带镜像技术实现多磁带库备份，无疑是数据仓库、ERP等大型网络应用的良好存储设备。

3.磁鼓

1953年，第一台磁鼓应用于IBM 701，它是作为内存储器使用的。磁鼓是利用铝鼓筒表面涂覆的磁性材料来存储数据的。鼓筒旋转速度很高，因此存取速度快。它采用饱和磁记录，从固定式磁头发展到浮动式磁头，从采用磁胶发展到采用电镀的连续磁介质。这些都为后来的磁盘存储器打下了基础。

磁鼓最大的缺点是利用率不高， 一个大圆柱体只有表面一层用于存储，而磁盘的两面都利用来存储，显然利用率要高得多。 因此，当磁盘出现后，磁鼓就被淘汰了。

4.磁芯

美国物理学家王安1950年提出了利用磁性材料制造存储器的思想。福雷斯特则将这一思想变成了现实。

为了实现磁芯存储，福雷斯特需要一种物质，这种物质应该有一个非常明确的磁化阈值。他找到在新泽西生产电视机用铁氧体变换器的一家公司的德国老陶瓷专家，利用熔化铁矿和氧化物获取了特定的磁性质。

对磁化有明确阈值是设计的关键。这种电线的网格和芯子织在电线网上，被人称为芯子存储，它的有关专利对发展计算机非常关键。这个方案可靠并且稳定。磁化相对来说是永久的，所以在系统的电源关闭后，存储的数据仍然保留着。既然磁场能以电子的速度来阅读，这使交互式计算有了可能。更进一步，因为是电线网格，存储阵列的任何部分都能访问，也就是说，不同的数据可以存储在电线网的不同位置，并且阅读所在位置的一束比特就能立即存取。这称为随机存取存储器（RAM），它是交互式计算的革新概念。福雷斯特把这些专利转让给麻省理工学院，学院每年靠这些专利收到1500万～2000万美元。

最先获得这些专利许可证的是IBM，IBM最终获得了在北美防卫军事基地安装“旋风”的商业合同。更重要的是，自20世纪50年代以来，所有大型和中型计算机也采用了这一系统。磁芯存储从20世纪50年代、60年代，直至70年代初，一直是计算机主存的标准方式。

5.磁盘

世界第一台硬盘存储器是由IBM公司在1956年发明的，其型号为IBM 350 RAMAC（Random Access Method of Accounting and Control）。这套系统的总容量只有5MB，共使用了50个直径为24英寸的磁盘。1968年，IBM公司提出“温彻斯特/Winchester”技术，其要点是将高速旋转的磁盘、磁头及其寻道机构等全部密封在一个无尘的封闭体中，形成一个头盘组合件（HDA），与外界环境隔绝，避免了灰尘的污染，并采用小型化轻浮力的磁头浮动块，盘片表面涂润滑剂，实行接触起停，这是现代绝大多数硬盘的原型。1979年，IBM发明了薄膜磁头，进一步减轻了磁头重量，使更快的存取速度、更高的存储密度成为可能。20世纪80年代末期，IBM公司又对磁盘技术作出一项重大贡献，发明了MR（Magneto Resistive)磁阻磁头，这种磁头在读取数据时对信号变化相当敏感，使得盘片的存储密度比以往提高了数十倍。1991年，IBM生产的3.5英寸硬盘使用了MR磁头，使硬盘的容量首次达到了1GB，从此，硬盘容量开始进入了GB数量级。IBM还发明了PRML（Partial Response Maximum Likelihood）的信号读取技术，使信号检测的灵敏度大幅度提高，从而可以大幅度提高记录密度。

目前，硬盘的面密度已经达到每平方英寸100Gb以上，是容量、性价比最大的一种存储设备。因而，在计算机的外存储设备中，还没有一种其他的存储设备能够在最近几年中对其统治地位产生挑战。硬盘不仅用于各种计算机和服务器中，在磁盘阵列和各种网络存储系统中，它也是基本的存储单元。值得注意的是，近年来微硬盘的出现和快速发展为移动存储提供了一种较为理想的存储介质。在闪存芯片难以承担的大容量移动存储领域，微硬盘可大显身手。目前尺寸为1英寸的硬盘，存储容量已达4GB，10GB容量的1英寸硬盘不久也会面世。微硬盘广泛应用于数码相机、MP3设备和各种手持电子类设备。

另一种磁盘存储设备是软盘，从早期的8英寸软盘、5.25英寸软盘到3.5英寸软盘，主要为数据交换和小容量备份之用。其中，3.5英寸1.44MB软盘占据计算机的标准配置地位近20年之久，之后出现过24MB、100MB、200MB的高密度过渡性软盘和软驱产品。然而，由于USB接口的闪存出现，软盘作为数据交换和小容量备份的统治地位已经动摇，不久会退出历史舞台。

6. 光盘

光盘主要分为只读型光盘和读写型光盘。只读型指光盘上的内容是固定的，不能写入、修改，只能读取其中的内容。读写型则允许人们对光盘内容进行修改，可以抹去原来的内容，写入新的内容。用于微型计算机的光盘主要有CD-ROM、CD-R/W和DVD-ROM等几种。

上世纪60年代，荷兰飞利浦公司的研究人员开始使用激光光束进行记录和重放信息的研究。1972年，他们的研究获得了成功，1978年投放市场。最初的产品就是大家所熟知的激光视盘（LD，Laser Vision Disc）系统。

从LD的诞生至计算机用的CD-ROM，经历了三个阶段，即LD-激光视盘、CD-DA激光唱盘、CD-ROM。下面简单介绍这三个阶段性的产品特点。

LD-激光视盘，就是通常所说的LCD，直径较大，为12英寸，两面都可以记录信息，但是它记录的信号是模拟信号。模拟信号的处理机制是指，模拟的电视图像信号和模拟的声音信号都要经过FM（Frequency Molation）频率调制、线性叠加，然后进行限幅放大。限幅后的信号以0.5微米宽的凹坑长短来表示。

CD-DA激光唱盘 LD虽然取得了成功，但由于事先没有制定统一的标准，使它的开发和制作一开始就陷入昂贵的资金投入中。1982年，由飞利浦公司和索尼公司制定了CD-DA激光唱盘的红皮书（Red Book）标准。由此，一种新型的激光唱盘诞生了。CD-DA激光唱盘记录音响的方法与LD系统不同，CD-DA激光唱盘系统首先把模拟的音响信号进行PCM（脉冲编码调制）数字化处理，再经过EMF（8～14位调制）编码之后记录到盘上。数字记录代替模拟记录的好处是，对干扰和噪声不敏感，由于盘本身的缺陷、划伤或沾污而引起的错误可以校正。

CD-DA系统取得成功以后，使飞利浦公司和索尼公司很自然地想到利用CD-DA作为计算机的大容量只读存储器。但要把CD-DA作为计算机的存储器，还必须解决两个重要问题，即建立适合于计算机读写的盘的数据结构，以及CD-DA误码率必须从现有的10-9降低到10-12以下，由此就产生了CD-ROM的黄皮书(Yellow Book)标准。这个标准的核心思想是，盘上的数据以数据块的形式来组织，每块都要有地址，这样一来，盘上的数据就能从几百兆字节的存储空间上被迅速找到。为了降低误码率，采用增加一种错误检测和错误校正的方案。错误检测采用了循环冗余检测码，即所谓CRC，错误校正采用里德－索洛蒙(Reed Solomon)码。黄皮书确立了CD-ROM的物理结构，而为了使其能在计算机上完全兼容，后来又制定了CD-ROM的文件系统标准，即ISO 9660。

在上世纪80年代中期，光盘的发展非常快，先后推出了WORM光盘、磁光盘（MO）、相变光盘（Phase Change Disk，PCD）等新品种。20世纪90年代，DVD-ROM、CD-R、CD-R/W等开始出现和普及，目前已成为计算机的标准存储设备。

光盘技术进一步向高密度发展，蓝光光盘是不久将推出的下一代高密度光盘。多层多阶光盘和全息存储光盘正在实验室研究之中，可望在5年之内推向市场。

7.纳米存储

纳米是一种长度单位，符号为nm。1纳米=1毫微米，约为10个原子的长度。假设一根头发的直径为0.05毫米，把它径向平均剖成5万根，每根的厚度即约为1纳米。与纳米存储有关的主要进展有如下内容。

1998年，美国明尼苏达大学和普林斯顿大学制备成功量子磁盘，这种磁盘是由磁性纳米棒组成的纳米阵列体系。一个量子磁盘相当于我们现在的10万～100万个磁盘，而能源消耗却降低了1万倍。

1988年，法国人首先发现了巨磁电阻效应，到1997年，采用巨磁电阻原理的纳米结构器件已在美国问世，它在磁存储、磁记忆和计算机读写磁头等方面均有广阔的应用前景。

2002年9月，美国威斯康星州大学的科研小组宣布，他们在室温条件下通过操纵单个原子，研制出原子级的硅记忆材料，其存储信息的密度是目前光盘的100万倍。这是纳米存储材料技术研究的一大进展。该小组发表在《纳米技术》杂志上的研究报告称，新的记忆材料构建在硅材料表面上。研究人员首先使金元素在硅材料表面升华，形成精确的原子轨道；然后再使硅元素升华，使其按上述原子轨道进行排列；最后，借助于扫瞄隧道显微镜的探针，从这些排列整齐的硅原子中间隔抽出硅原子，被抽空的部分代表“0”，余下的硅原子则代表“1”，这就形成了相当于计算机晶体管功能的原子级记忆材料。整个试验研究在室温条件下进行。研究小组负责人赫姆萨尔教授说，在室温条件下，一次操纵一批原子进行排列并不容易。更为重要的是，记忆材料中硅原子排列线内的间隔是一个原子大小。这保证了记忆材料的原子级水平。赫姆萨尔教授说，新的硅记忆材料与目前硅存储材料存储功能相同，而不同之处在于，前者为原子级体积，利用其制造的计算机存储材料体积更小、密度更大。这可使未来计算机微型化，且存储信息的功能更为强大。

光纤应用领域:

计算机和微电子制造

用于各种不同的微电子制造工艺和数据储存处理。

.图像记录和打印

用于所有形式的图像处理和永久性图像记录。

.工业制造

用于传统的工业制造和用作高功率二极管激光泵浦光源

.医学用于医学诊断和治疗

.科学研究

用于科学研究，包括可调、窄带宽系统，超快和高能量激光器和高功率泵浦光源。

.通信

用于通信市场上的有源和无源光电产品。

‘贰’ pcm是什么意思，代表什么

PCM是Phase Change Memory的简称，中文名称为相变存储器，它利用硫族化合物在晶态和非晶态巨大的导电性差异来存储数据的。

PCM是一种非易失存储设备，它利用材料的可逆转的相变来存储信息。同一物质可以在诸如固体、液体、气体、冷凝物和等离子体等状态下存在，这些状态都称为相。相变存储器便是利用特殊材料在不同相间的电阻差异进行工作的。

原理：

一个电阻连接在GST层的下方。加热/熔化过程只影响该电阻顶端周围的一小片区域。擦除/RESET脉冲施加高电阻即逻辑0，在器件上形成一片非晶层区域。SET脉冲用于置逻辑1，使非晶层再结晶回到结晶态。晶态是一种低能态;因此，当对非晶态下的材料加热，温度接近结晶温度时，它就会自然地转变为晶态。

在非晶态下，GST材料具有短距离的原子能级和较低的自由电子密度，使得其具有较高的电阻率。由于这种状态通常出现在RESET操作之后，我们一般称其为RESET状态，在RESET操作中DUT的温度上升到略高于熔点温度，然后突然对GST淬火将其冷却。

在晶态下，GST材料具有长距离的原子能级和较高的自由电子密度，从而具有较低的电阻率。一般称其为SET状态，在SET操作中，材料的温度上升高于再结晶温度但是低于熔点温度，然后缓慢冷却使得晶粒形成整层。晶态的电阻范围通常从1千欧到10千欧。

以上内容参考：网络-PCM

‘叁’ PCM技术基础

PCM技术的基础特性体现在其可变性、非易失性和高速度上。与RAM或EEPROM类似，PCM的最小存储单元是位，这种特性使得在更改信息时，无需像闪存那样执行单独的擦除步骤，可以直接从1变为0或0变为1，提高了操作效率。

PCM是非易失性存储器，即使失去供电也能保持存储的数据。相比之下，RAM需要稳定的电力支持，且存在软错误的风险。早期的PCM实验，如Intel的兆比特存储阵列，显示出其优秀的非易失性性能，对于长期数据存储非常有利。

在读取速度方面，PCM与RAM和NOR闪存一样，能够实现快速的随机访问，使得代码可以直接执行，无需先复制到RAM。其读取反应时间与一比特NOR相当，且带宽接近DRAM，这与NAND闪存的几十微秒随机读取时间形成了鲜明对比。

尽管写入速度接近NAND，但PCM无需独立擦除步骤，反应时间更短。然而，当前PCM的写入速度和带宽仍不及RAM。随着技术的不断进步， PCM的存储单元将进一步缩小，性能有望得到提升。

在缩放性方面，PCM表现出独特的优点。由于PCM存储结构的优势，可以更容易地缩小尺寸，这与NOR和NAND因门电路厚度限制而难以缩小的情况不同。这种缩放性是PCM技术的一大优势，符合摩尔定律的存储密度提升趋势。

总的来说，相变存储器，如PCM，因其独特的性能和潜力，正在重新吸引研究者关注。它集成了NOR闪存、NAND闪存、EEPROM和RAM的优点，不仅具有低能耗，还为未来的应用和存储架构创新提供了广阔的空间。

中文称脉码调制，由A.里弗斯于1937年提出的，这一概念为数字通信奠定了基础，60年代它开始应用于市内电话网以扩充容量，使已有音频电缆的大部分芯线的传输容量扩大24～48倍。到70年代中、末期，各国相继把脉码调制成功地应用于同轴电缆通信、微波接力通信、卫星通信和光纤通信等中、大容量传输系统。80年代初，脉码调制已用于市话中继传输和大容量干线传输以及数字程控交换机，并在用户话机中采用。

‘肆’ 可移动存储设备的常见的可移动存储设备

PD是“相变式可重复擦写光盘驱动器（）”英文缩写的简称。
PD光盘采用相变光方式，其数据再 生原理与CD光盘一样，是根据反射光量的差以1和0来判别信号。PD光盘与CD光盘形状一样，为了保护盘面数据而装在盒内使用。
PD光盘系统采用了在计算机、工作站环境中被广泛使用，与软盘、硬盘同样数据构造的单元格式，而且还采用了在计算机环境内立即可被使用的512bit/单元的MCAV格式，采用该格式可比采用CLV格式的CD－R/CD－RW更高速地进行读写操作，并实现了寻找速度的高速化。依据以上优势，PD一开始就受到以Windows95为首的计算机OS的支持，并由于ATAPI接口的规格化，确立了其作为计算机标准装置的产品地位。相变光盘系统为了保护光盘，采用了将光盘放入保护盒中使用的做法，而CD光盘是裸盘使用。为了同时处理PD盒装盘、CD裸盘，PD光盘系统采取了新式托盘装填方式。这种方式也将在DVD－RAM上使用。 数据记录是热磁过程，它与磁性材料的居里温度的门槛性质有关，称为居里点写入。在写入过程中，聚焦光点的能量把记录材料加热超过居里点（约200℃），外加不大的磁场（约300高斯）就可对材料的磁畴产生作用。当材料冷却至居里点以下，磁畴方向就固定下来。这种记录过程在材料性能不退化的情况下表现出了高度的可重复性（百万次以上）。
传统的MO记录信息的写过程需三遍：第一遍擦除原有记录数据：用聚焦激光光束连续照射介质，使其温度超过居里点，同时外加向一个方向的磁场，介质就被向同一方向磁化；第二遍记录数据，这时外加相反的磁场，用记录时间调制的激光脉冲照射介质，使对应脉冲的地方被方向磁化；第三遍验证数据是否正确地写入。每一遍对应了盘片旋转一周。
今后将采用直接重写（DOW，DirectOverwrite，或OW，Over?Write）技术可把第一、二遍结合为一遍，使得MO的存取速度提高到能在一般场合代替硬磁盘应用。目前MO介质已成为了一个计算环境，用户可把其整个计算系统，包括操作系统、应用软件和自己的工作文件，装在一个MO介质上。从MO系统的性能来看，可达到了完全在MO上运行，而不用加载到HDD上的水平。这就大大拓宽了MO的应用领域。这也使得MO具有了更强的技术生命力和市场竞争力。目前的介质技术已使得MO光盘的速度、可靠性、位存储价格、可重写次数、存档时间等方面，达到了令人比较满意的水平。这些特点使得MO在与纯光记录设备CDRW/DVD-RAM的竞争中，处于不可替代的地位。 目前个人计算机，主要的存储设备是固定硬盘和软盘。固定硬盘为计算机提供了大容量的存储介质，但是其盘片无法更换，存储的信息也不便于携带和交换。
一般活动硬盘同样采用Winchester硬盘技术，所以具有固定硬盘的基本技术特征，速度快，平均寻道时间在12毫秒左右，数据传输率可达10M/s，容量从230MB到4．7GB。活动硬盘的盘片和软盘一样，是可以从驱动器中取出和更换的，存储介质是盘片中的磁合金盘片。根据容量不同，活动硬盘的盘片结构分为单片单面、单片双面和双片双面三种，相应驱动器就有单磁头、双磁头和四磁头之分。活动硬盘接口方式现有内置SCSI、内置EIDE、外置SCSI和外置并口等四种方式。用户可以根据自己的需求和计算机的配置情况选择不同的接口方式。
目前世界上主要有两个厂商生产活动硬盘：美国的SyQuest公司和Iomega公司。SyQuest生产的SparQ是一种典型的活动硬盘，大小同3.5英寸的软盘一样，只不过厚度是软盘的3倍，容量却是软盘的694倍，达到了1GB。
IOMega的JAZ驱动器有高达2GB的容量和8MB/s以上的持续数据传输速度（SCSI接口的JAZ甚至能达到20M/s），内建512K高速缓存。速度完全能和硬盘相比。另外现在后廉价的外置硬盘盒，可以使普通硬盘成为外置硬盘。 近十年来，3．5英寸的软磁盘驱动器一直是小型和微型计算机的必备外存储器，但是面对日益庞大的多媒体文件以及对数据备份的需求，容量小、速度慢、不稳定的传统1．44MB的软磁盘越来越显示出巨大的局限性。传统的1.44M软盘市场，正在逐年萎缩。
大容量FD是在原有磁盘的基础上发展起来的。目前主要有Zip、Supper软盘(原名LS120)、以及HiFD等。这三种大容量FD的发展目标都是取代现行的3.5英寸FD，争取在巨大的软盘市场上占居主导地位。目前国内市场上主要是zip与LS-120相争。
Zip磁盘的容量比1．44MB软盘大了70倍，Zip驱动器由于采用了硬盘磁头技术，因而实现了2945转/分的转速，平均寻道时间为29ms。ZIP的速度尽管较快，但使用Zip驱动器遇到的最大问题是：Zip驱动器不能读取现有上亿张的1．44MB软盘。因此3M、Compaq、O．R．、松下、三菱和日立等六家公司在1996年又推出了容量为120MB、并可兼容1．44MB软盘的LS－120软盘驱动器。 闪存是EPROM（电可擦除程序存储器）的一种，它使用浮动栅晶体管作为基本存储单元实现非易失存储，不需要特殊设备和方式即可实现实时擦写。闪存采用与CMOS工艺兼容的加工工艺，现在大多数闪存采用的是0.5mm、0.35mm工艺，三星已经推出了0.27mm工艺的闪存，不久0.25mm工艺也将实现。随着集成电路工艺技术的发展，闪存内部电路密度越来越大，每个晶体管的存储字节数也越来越多，从而使闪存的容量不断增大，三星和东芝计划到2001年推出容量达1GB的闪存芯片。近几年各种形式的基于闪存的存储设备如雨后春笋般诞生，它们的外形结构丰富多彩，尺寸越来越小，容量越来越大，接口方式越来越灵活。
目前最新的第四代闪存卡，主要有SanDisk的MultiMedia卡、NexcomTechnology的SerialFlash卡和Sony的MemoryStick记忆棒。第四代闪存卡均采用了串行闪存芯片，芯片外部引脚大大减少，同时由于采用串行方式读写数据，芯片功耗也降低了许多。MultiMedia卡采用7脚接口，外型尺寸为32mm×24mm×1.4mm，最大容量为32MB，数据传输速率为2MB/s，为扩展其应用范围，SanDisk还推出了并口和USB接口的MultiMedia卡适配器，计算机可以方便地读写MultiMedia卡。 尽管CD－ROM驱动器的价位低，并在电脑的存储领域得到了极为广泛的应用，但其不能写入的致命弱点，已逐步成为其发展的障碍，CD－R是英文CDRecordable的简称，意为小型可写光盘。它的特点是只写一次，写完后的CD－R光盘无法被改写，但可以在CD－ROM驱动器和CD－R刻录机上被多次读取。CD－R光盘的最大优点是其记录成本在各种光盘存储介质中最低，每兆字节所需花费的成本低于人民币0．1元，而且其使用寿命很长，因此CD－R已逐渐成为数据存储的主流产品，在数据备份、数据交换、数据库分发、档案存储和多媒体软件出版等领域获得了广泛应用。另外一种相关的成功技术：CD－RW，也显露出它是一个信息存储合适的可选择性的产品。CR－RW提供次数有限的读写功能。事实上，CD-R/CD－RW已经成为一种价廉通用的桌面系统文件交换的工具。今后CD-R/CD-RW将在以下方面得以发展：
最新的CD－R刻录机将支持CD－UDF格式，在支持CD－UDF格式的DOS或Windows环境下，CD－R刻录机具有和软驱一样的独立盘符或图标。用户无需使用刻录软件，就可象使用软驱一样直接对CD－R刻录机进行读写操作，大大简化了CD－R刻录机的操作和管理，给用户带来极大的方便。
除整盘刻写、轨道刻写和多段刻写三种刻录方式外，今后刻录机还将支持增量包刻写（IncrementalPacketWriting）刻录方式。
为了减少追加刻录过程中的盘片空间浪费，Philips公司开发出了增量包刻录（IncrementalPacketWriting）方式。增量包刻录方式的最大优点是允许用户在一条轨道中多次追加刻写数据，由于数据区的前间隙和后间隙只占用了7个扇区，因此增量包刻录方式与软硬盘的数据记录方式类似。增量包刻录方式特别适用于经常仅需备份少量数据的应用。 闪存卡是利用闪存（Flash Memory）技术达到存储电子信息的存储器，一般应用在数码相机、掌上电脑、MP3、MP4等小型数码产品中作为存储介质，所以样子小巧，犹如一张卡片，所以称之为闪存卡。根据不同的生产厂商和不同的应用，闪存卡有Smart Media（SM卡）、Compact Flash（CF卡），Multi Media Card（MMC卡），Secure Digital（SD卡）、Memory Stick（记忆棒），TF卡等多种类型，
这些闪存卡虽然外观、规格不同，但是技术原理都是相同的。由于闪存卡本身并不能直接被电脑辨认，读卡器就是一个两者的沟通桥梁。读卡器Card Reader）可使用很多种存储卡，如Compact Flash or Smart Media or Microdrive存储卡等，作为存储卡的信息存取装置。读卡器使用USB1.1/USB2.0的传输接口，支持热拔插。与普通USB设备一样，只需插入电脑的USB端口，然后插用存储卡就可以使用了。 按照速度来划分有USB1.1、USB2.0以及USB3.0，按用途来划分，有单一读卡器和多合一读卡器。

‘伍’ 关键时刻 这所高校与华为签署战略合作协议

据华中 科技 大学官方微信22日消息，5月6日，华中 科技 大学与华为技术有限公司签署战略合作协议，双方将进一步深化在人才培养、科学研究、成果转化等方面的合作， 探索 面向未来的前沿科学。华为公司董事、战略研究院院长徐文伟，校领导李元元、许晓东、张新亮参加活动。

徐文伟在签约仪式上表示，华为与华中大具有深厚的合作友谊，华为的发展离不开华中大长期以来的支持。他介绍了华为成立创新研究院的初衷与计划，未来华为将围绕信息全流程开展全方位的 探索 ，不断开拓创新。徐文伟表示，在面向未来的科学探究中，大学、科研机构是华为最重要的合作伙伴；希望通过与华中大的战略合作，共同促进基础研究水平的提升，积极应对产业发展面临的技术挑战。

华中 科技 大学校长李元元指出，华为是处于行业国际领先地位的龙头企业，引领着国内相关产业的发展方向，华中科大始终高度重视与华为的各项合作。他强调，当前华为与华中科大都处在 历史 发展的重要阶段，都面对新的发展机遇与挑战。双方应共同站高望远，紧密合作，把握科学和产业发展大方向，共同推动中国创新走向新的高度。李元元希望双方通过战略合作，继续在人才培养、科学研究、成果转化等方面发挥各自的优势，为双方更好的发展创造新局面，为国家前沿科学研究提供更大助力。

华中科大科发院院长朱宏平、人事处处长周莉萍分别介绍了学校 科技 工作、人才引进与人才培养的相关情况。华为武汉研究所技术合作处处长凌黎介绍了华为与华中科大合作的情况。

签约仪式前，张新亮陪同徐文伟一行前往武汉光电国家研究中心，观看了研究中心形象宣传片《创新点亮未来》，听取相关专家的项目介绍。甘棕松教授、国伟华教授、张静宇教授、熊伟教授、朱䒟教授、韩宏伟教授先后介绍了相变存储器及三维相变存储器、多通道干涉大范围波长可调谐半导体激光器、纳米晶玻璃五维光存储技术、大功率连续光纤激光器、3D打印、9nm线宽双光束超衍射极限光刻技术、飞秒激光微纳4D打印技术、数字PET、脑连接图谱、可印刷介观钙钛矿太阳能电池等项目。缪向水教授专题汇报了下一代信息存储技术的相关研究进展。

下午，副校长许晓东陪同徐文伟一行先后前往国家脉冲强磁场科学中心、引力中心及下一代互联网接入系统国家工程实验室参观。

在国家脉冲强磁场科学中心，中心主任李亮教授介绍了强磁场中心的国际排名、在建项目、部分装置的科学原理、技术应用等。徐文伟深入了解了中心的电磁成形技术、电涡流制动技术等，并参观了控制室、物性测试站、低温物性站等场所。座谈会上，双方就材料研究方面的合作进行洽谈，并就芯片可靠性检验方式、磁控软体机器人及永磁电机方面的研究进行了探讨。

在引力中心，物理学院党委书记张凯介绍了引力中心在地球测量方面取得的成就，以及未来在太空领域的研究计划“天琴计划”。座谈会上，周敏康副教授介绍了引力中心的科学研究平台、应用基础研究等。双方就量子精密测量、MEMS时钟，以及引力波在通信方面的应用可能性等进行了探讨。

在下一代互联网接入系统国家工程实验室，闫志君副教授、邓磊教授、鲁平教授、付松年教授分别介绍了分布式微结构光纤DAS系统、安全光纤通信技术、分布式光纤气敏传感技术、高速全光信号处理等，并与徐文伟一行就相关技术在通信方面的应用进行探讨。

华为武汉研究所、华为战略研究院等相关部门负责人，华中科大相关单位负责人参加活动。

据长江日报此前报道，在对华为6000多名员工信息的分析整理发现，毕业于华中 科技 大学的华为员工与电子 科技 大学并列总人数第二，约有2.1%。而任正非之女孟晚舟也是其中一员，她毕业于华中科大前身之一的华中理工大学，拥有该校管理学硕士学位。

位于湖北武汉的华中科大是国家教育部直属重点综合性大学，由原华中理工大学、同济医科大学、武汉城市建设学院于2000年5月26日合并成立，是国家“211工程”重点建设和“985工程”建设高校之一，是首批“双一流”建设高校。