只读存储器有

1. 计算机的主存储器是指

计算机主存储器是ROM（只读内存）和RAM（随机存取存储器）。

主存储器一般采用半导体存储器，与辅助存储器相比有容量小、读写速度快、价格高等特点。计算机中的主存储器主要由存储体、控衡薯制线路、地址寄存器、数据寄存器和地址译码电路五部分组成。

从70年代起，主存储器已逐步采用大规模集成电路构成。用得最普遍的也是最经济的动态随机存储器芯片（DRAM）。

(1)只读存储器有扩展阅读：

1995年集成度为64Mb（可存储400万个汉字）的DRAM芯片已经开始商业性生产，16MbDRAM芯片已成为市场主流产品。DRAM芯片的存取速度适中，一般为50~70ns。有一些改进型的DRAM，如EDO DRAM（即扩充数据输出的DRAM），其性能可较普通DRAM提高10%以上。

又如SDRAM（即同步DRAM），其性能又可较EDO DRAM提高10%左右。1998年SDRAM的后继产品为SDRAMⅡ（或称DDR，即双倍数据速率）的品种已上市。在追求速度和可靠性的场合，通常采用价格较贵的静态随机存储器芯片（SRAM），其存取速度可以达到了1~15ns。

无论主存采用DRAM还是SRAM芯片构成，在断电时存储的信息都会“丢失”，因此计算机设计者应考虑发生这种情况时，设法维持若干毫秒的供电以保存主存中的重要信息，以便供电恢复时计算机能恢复正常运行。

鉴知枝于上述情况，在某些应用中主存中存储重要而相对固定的程序和数据的部分采用“非易失性”存储器芯片（如EPROM，快闪存储芯片等）构成；对于完全固定的程序，数据搭拦敏区域甚至采用只读存储器（ROM）芯片构成；主存的这些部分就不怕暂时供电中断，还可以防止病毒侵入。

2. 内部存储器包括哪些

内部存储器包括：RAM （随机存储器）和 ROM（只读存储器）。

内存(Memory)是计算机的重要部件，也称内存储器和主存储器，它用于暂时存放CPU中的运算数据，以及与硬盘孙携等外部存储器交换的数据。它是外存与CPU进行沟通的桥梁，计算机中所有程序的判凯芹运行都在内存中进行，内存性能的强弱影响计算机整体发挥的水平。

只要计算机开始运行，操作系统就会把需要运算的数据从内存调到CPU中进行运算，当运算完成，掘毕CPU将结果传送出来。内存的运行决定计算机整体运行快慢。内存条由内存芯片、电路板、金手指等部分组成。

在计算机的组成结构中有一个很重要的部分是存储器。它是用来存储程序和数据的部件。对于计算机来说，有了存储器，才有记忆功能，才能保证正常工作。存储器的种类很多。按其用途可分为主存储器和辅助存储器，主存储器又称内存储器（简称内存，港台称之为记忆体）。

内存又称主存。它是CPU能直接寻址的存储空间，由半导体器件制成。特点是存取速率快。内存是电脑中的主要部件，它是相对于外存而言的。

以上内容参考：网络-内部存储器

3. RAM中信息只读不写

信息如下：

首先这句话是错误的。RAM是可以读可以写的，ROM才是只读的一般情况下不可以写的。存储器是数字系统中用以存储大量信息的设备或部件，是计算机和数字设备中的重要组成部分。存储器可分为随机存取存储器（RAM）和只读存储器（ROM）两大类。

简介：

存储器是用来存储程序和各种数据信息的记忆部件。存储器可分为主存储器(简称主存或内存)和辅助存储器(简称辅存或外存)两大类。和CPU直接交换信息的是主存。

主存的工作方式是按存储单元的地址存放或读取各类信息，统称访问存储器。主存中汇集存储单元的载体称为存储体，存储体中每个单元能够存放一串二进制码表示的信息，该信息的总位数称为一个存储单元的字长。

4. 只读存储器的种类

ROM
只读内存（Read-Only Memory）是一种只能读取资料的内存。在制造过程中，将资料以一特制光罩（mask）烧录于线路中，其资料内容在写入后就不能更改，所以有时又称为“光罩式只读内存”（mask ROM）。此内存的制造成本较低，常用于电脑中的开机启动。
可编程只读存储器
可编程只读存储器（英文：Programmable ROM，简称：PROM）一般可编程一次。PROM存储器出厂时各个存储单元皆为1，或皆为0。用户使用时，再使用编程的方法使PROM存储所需要的数据。
PROM需要用电和光照的方法来编写与存放的程序和信息。但仅仅只能编写一次，第一次写入的信息就被永久性地保存起来。 例如，双极性PROM有两种结构：一种是熔丝烧断型，一种是PN结击穿型。它们只能进行一次性改写，一旦编程完毕，其内容便是永久性的。由于可靠性差，又是一次性编程，目前较少使用。
可编程可擦除只读存储器
可编程可擦除只读存储器（英文：Erasable Programmable Read Only Memory，简称：EPROM）可多次编程。这是一种便于用户根据需要来写入，并能把已写入的内容擦去后再改写，即是一种多次改写的ROM。由于能够改写，因此能对写入的信息进行校正，在修改错误后再重新写入。
擦除远存储内容的方法可以采用以下方法：电的方法（称电可改写ROM）或用紫外线照射的方法（称光可改写ROM）。 光可改写ROM可利用高电压将资料编程写入，抹除时将线路曝光于紫外线下，则资料可被清空，并且可重复使用。通常在封装外壳上会预留一个石英透明窗以方便曝光。
一次编程只读内存
一次编程只读内存（One Time Programmable Read Only Memory，OPTROM）之写入原理同EPROM，但是为了节省成本，编程写入之后就不再抹除，因此不设置透明窗。
电子可擦除可编程只读存储器
电子可擦除可编程只读存储器（英文：Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，简称：EPROM）之运作原理类似EPROM，但是抹除的方式是使用高电场来完成，因此不需要透明窗。
闪速存储器
闪速存储器（英文：Flash memory）是英特尔公司90年代中期发明的一种高密度、非易失性的读/写半导体存储器它既有EEPROM的特点，又有RAM的特点，因而是一种全新的存储结构。