磁镀线存储器
‘壹’ 存储器的发展史
存储器设备发展
1.存储器设备发展之汞延迟线
汞延迟线是基于汞在室温时是液体,同时又是导体,每比特数据用机械波的波峰(1)和波谷(0)表示。机械波从汞柱的一端开始,一定厚度的熔融态金属汞通过一振动膜片沿着纵向从一端传到另一端,这样就得名“汞延迟线”。在管的另一端,一传感器得到每一比特的信息,并反馈到起点。设想是汞获取并延迟这些数据,这样它们便能存储了。这个过程是机械和电子的奇妙结合。缺点是由于环境条件的限制,这种存储器方式会受各种环境因素影响而不精确。
1950年,世界上第一台具有存储程序功能的计算机EDVAC由冯.诺依曼博士领导设计。它的主要特点是采用二进制,使用汞延迟线作存储器,指令和程序可存入计算机中。
1951年3月,由ENIAC的主要设计者莫克利和埃克特设计的第一台通用自动计算机UNIVAC-I交付使用。它不仅能作科学计算,而且能作数据处理。
2.存储器设备发展之磁带
UNIVAC-I第一次采用磁带机作外存储器,首先用奇偶校验方法和双重运算线路来提高系统的可靠性,并最先进行了自动编程的试验。
磁带是所有存储器设备发展中单位存储信息成本最低、容量最大、标准化程度最高的常用存储介质之一。它互换性好、易于保存,近年来,由于采用了具有高纠错能力的编码技术和即写即读的通道技术,大大提高了磁带存储的可靠性和读写速度。根据读写磁带的工作原理可分为螺旋扫描技术、线性记录(数据流)技术、DLT技术以及比较先进的LTO技术。
根据读写磁带的工作原理,磁带机可以分为六种规格。其中两种采用螺旋扫描读写方式的是面向工作组级的DAT(4mm)磁带机和面向部门级的8mm磁带机,另外四种则是选用数据流存储技术设计的设备,它们分别是采用单磁头读写方式、磁带宽度为1/4英寸、面向低端应用的Travan和DC系列,以及采用多磁头读写方式、磁带宽度均为1/2英寸、面向高端应用的DLT和IBM的3480/3490/3590系列等。
磁带库是基于磁带的备份系统,它能够提供同样的基本自动备份和数据恢复功能,但同时具有更先进的技术特点。它的存储容量可达到数百PB,可以实现连续备份、自动搜索磁带,也可以在驱动管理软件控制下实现智能恢复、实时监控和统计,整个数据存储备份过程完全摆脱了人工干涉。
磁带库不仅数据存储量大得多,而且在备份效率和人工占用方面拥有无可比拟的优势。在网络系统中,磁带库通过SAN(Storage Area Network,存储区域网络)系统可形成网络存储系统,为企业存储提供有力保障,很容易完成远程数据访问、数据存储备份或通过磁带镜像技术实现多磁带库备份,无疑是数据仓库、ERP等大型网络应用的良好存储设备。
3.存储器设备发展之磁鼓
1953年,随着存储器设备发展,第一台磁鼓应用于IBM 701,它是作为内存储器使用的。磁鼓是利用铝鼓筒表面涂覆的磁性材料来存储数据的。鼓筒旋转速度很高,因此存取速度快。它采用饱和磁记录,从固定式磁头发展到浮动式磁头,从采用磁胶发展到采用电镀的连续磁介质。这些都为后来的磁盘存储器打下了基础。
磁鼓最大的缺点是利用率不高, 一个大圆柱体只有表面一层用于存储,而磁盘的两面都利用来存储,显然利用率要高得多。 因此,当磁盘出现后,磁鼓就被淘汰了。
4.存储器设备发展之磁芯
美国物理学家王安1950年提出了利用磁性材料制造存储器的思想。福雷斯特则将这一思想变成了现实。
为了实现磁芯存储,福雷斯特需要一种物质,这种物质应该有一个非常明确的磁化阈值。他找到在新泽西生产电视机用铁氧体变换器的一家公司的德国老陶瓷专家,利用熔化铁矿和氧化物获取了特定的磁性质。
对磁化有明确阈值是设计的关键。这种电线的网格和芯子织在电线网上,被人称为芯子存储,它的有关专利对发展计算机非常关键。这个方案可靠并且稳定。磁化相对来说是永久的,所以在系统的电源关闭后,存储的数据仍然保留着。既然磁场能以电子的速度来阅读,这使交互式计算有了可能。更进一步,因为是电线网格,存储阵列的任何部分都能访问,也就是说,不同的数据可以存储在电线网的不同位置,并且阅读所在位置的一束比特就能立即存取。这称为随机存取存储器(RAM),在存储器设备发展历程中它是交互式计算的革新概念。福雷斯特把这些专利转让给麻省理工学院,学院每年靠这些专利收到1500万~2000万美元。
最先获得这些专利许可证的是IBM,IBM最终获得了在北美防卫军事基地安装“旋风”的商业合同。更重要的是,自20世纪50年代以来,所有大型和中型计算机也采用了这一系统。磁芯存储从20世纪50年代、60年代,直至70年代初,一直是计算机主存的标准方式。
5.存储器设备发展之磁盘
世界第一台硬盘存储器是由IBM公司在1956年发明的,其型号为IBM 350 RAMAC(Random Access Method of Accounting and Control)。这套系统的总容量只有5MB,共使用了50个直径为24英寸的磁盘。1968年,IBM公司提出“温彻斯特/Winchester”技术,其要点是将高速旋转的磁盘、磁头及其寻道机构等全部密封在一个无尘的封闭体中,形成一个头盘组合件(HDA),与外界环境隔绝,避免了灰尘的污染,并采用小型化轻浮力的磁头浮动块,盘片表面涂润滑剂,实行接触起停,这是现代绝大多数硬盘的原型。1979年,IBM发明了薄膜磁头,进一步减轻了磁头重量,使更快的存取速度、更高的存储密度成为可能。20世纪80年代末期,IBM公司又对存储器设备发展作出一项重大贡献,发明了MR(Magneto Resistive)磁阻磁头,这种磁头在读取数据时对信号变化相当敏感,使得盘片的存储密度比以往提高了数十倍。1991年,IBM生产的3.5英寸硬盘使用了MR磁头,使硬盘的容量首次达到了1GB,从此,硬盘容量开始进入了GB数量级。IBM还发明了PRML(Partial Response Maximum Likelihood)的信号读取技术,使信号检测的灵敏度大幅度提高,从而可以大幅度提高记录密度。
目前,硬盘的面密度已经达到每平方英寸100Gb以上,是容量、性价比最大的一种存储设备。因而,在计算机的外存储设备中,还没有一种其他的存储设备能够在最近几年中对其统治地位产生挑战。硬盘不仅用于各种计算机和服务器中,在磁盘阵列和各种网络存储系统中,它也是基本的存储单元。值得注意的是,近年来微硬盘的出现和快速发展为移动存储提供了一种较为理想的存储介质。在闪存芯片难以承担的大容量移动存储领域,微硬盘可大显身手。目前尺寸为1英寸的硬盘,存储容量已达4GB,10GB容量的1英寸硬盘不久也会面世。微硬盘广泛应用于数码相机、MP3设备和各种手持电子类设备。
另一种磁盘存储设备是软盘,从早期的8英寸软盘、5.25英寸软盘到3.5英寸软盘,主要为数据交换和小容量备份之用。其中,3.5英寸1.44MB软盘占据计算机的标准配置地位近20年之久,之后出现过24MB、100MB、200MB的高密度过渡性软盘和软驱产品。然而,由于USB接口的闪存出现,软盘作为数据交换和小容量备份的统治地位已经动摇,不久会退出存储器设备发展历史舞台。
6. 存储器设备发展之光盘
光盘主要分为只读型光盘和读写型光盘。只读型指光盘上的内容是固定的,不能写入、修改,只能读取其中的内容。读写型则允许人们对光盘内容进行修改,可以抹去原来的内容,写入新的内容。用于微型计算机的光盘主要有CD-ROM、CD-R/W和DVD-ROM等几种。
上世纪60年代,荷兰飞利浦公司的研究人员开始使用激光光束进行记录和重放信息的研究。1972年,他们的研究获得了成功,1978年投放市场。最初的产品就是大家所熟知的激光视盘(LD,Laser Vision Disc)系统。
从LD的诞生至计算机用的CD-ROM,经历了三个阶段,即LD-激光视盘、CD-DA激光唱盘、CD-ROM。下面简单介绍这三个存储器设备发展阶段性的产品特点。
LD-激光视盘,就是通常所说的LCD,直径较大,为12英寸,两面都可以记录信息,但是它记录的信号是模拟信号。模拟信号的处理机制是指,模拟的电视图像信号和模拟的声音信号都要经过FM(Frequency Molation)频率调制、线性叠加,然后进行限幅放大。限幅后的信号以0.5微米宽的凹坑长短来表示。
CD-DA激光唱盘 LD虽然取得了成功,但由于事先没有制定统一的标准,使它的开发和制作一开始就陷入昂贵的资金投入中。1982年,由飞利浦公司和索尼公司制定了CD-DA激光唱盘的红皮书(Red Book)标准。由此,一种新型的激光唱盘诞生了。CD-DA激光唱盘记录音响的方法与LD系统不同,CD-DA激光唱盘系统首先把模拟的音响信号进行PCM(脉冲编码调制)数字化处理,再经过EMF(8~14位调制)编码之后记录到盘上。数字记录代替模拟记录的好处是,对干扰和噪声不敏感,由于盘本身的缺陷、划伤或沾污而引起的错误可以校正。
CD-DA系统取得成功以后,使飞利浦公司和索尼公司很自然地想到利用CD-DA作为计算机的大容量只读存储器。但要把CD-DA作为计算机的存储器,还必须解决两个重要问题,即建立适合于计算机读写的盘的数据结构,以及CD-DA误码率必须从现有的10-9降低到10-12以下,由此就产生了CD-ROM的黄皮书(Yellow Book)标准。这个标准的核心思想是,盘上的数据以数据块的形式来组织,每块都要有地址,这样一来,盘上的数据就能从几百兆字节的存储空间上被迅速找到。为了降低误码率,采用增加一种错误检测和错误校正的方案。错误检测采用了循环冗余检测码,即所谓CRC,错误校正采用里德-索洛蒙(Reed Solomon)码。黄皮书确立了CD-ROM的物理结构,而为了使其能在计算机上完全兼容,后来又制定了CD-ROM的文件系统标准,即ISO 9660。
在上世纪80年代中期,光盘存储器设备发展速度非常快,先后推出了WORM光盘、磁光盘(MO)、相变光盘(Phase Change Disk,PCD)等新品种。20世纪90年代,DVD-ROM、CD-R、CD-R/W等开始出现和普及,目前已成为计算机的标准存储设备。
光盘技术进一步向高密度发展,蓝光光盘是不久将推出的下一代高密度光盘。多层多阶光盘和全息存储光盘正在实验室研究之中,可望在5年之内推向市场。
7.存储器设备发展之纳米存储
纳米是一种长度单位,符号为nm。1纳米=1毫微米,约为10个原子的长度。假设一根头发的直径为0.05毫米,把它径向平均剖成5万根,每根的厚度即约为1纳米。与纳米存储有关的主要进展有如下内容。
1998年,美国明尼苏达大学和普林斯顿大学制备成功量子磁盘,这种磁盘是由磁性纳米棒组成的纳米阵列体系。一个量子磁盘相当于我们现在的10万~100万个磁盘,而能源消耗却降低了1万倍。
1988年,法国人首先发现了巨磁电阻效应,到1997年,采用巨磁电阻原理的纳米结构器件已在美国问世,它在磁存储、磁记忆和计算机读写磁头等方面均有广阔的应用前景。
2002年9月,美国威斯康星州大学的科研小组宣布,他们在室温条件下通过操纵单个原子,研制出原子级的硅记忆材料,其存储信息的密度是目前光盘的100万倍。这是纳米存储材料技术研究的一大进展。该小组发表在《纳米技术》杂志上的研究报告称,新的记忆材料构建在硅材料表面上。研究人员首先使金元素在硅材料表面升华,形成精确的原子轨道;然后再使硅元素升华,使其按上述原子轨道进行排列;最后,借助于扫瞄隧道显微镜的探针,从这些排列整齐的硅原子中间隔抽出硅原子,被抽空的部分代表“0”,余下的硅原子则代表“1”,这就形成了相当于计算机晶体管功能的原子级记忆材料。整个试验研究在室温条件下进行。研究小组负责人赫姆萨尔教授说,在室温条件下,一次操纵一批原子进行排列并不容易。更为重要的是,记忆材料中硅原子排列线内的间隔是一个原子大小。这保证了记忆材料的原子级水平。赫姆萨尔教授说,新的硅记忆材料与目前硅存储材料存储功能相同,而不同之处在于,前者为原子级体积,利用其制造的计算机存储材料体积更小、密度更大。这可使未来计算机微型化,且存储信息的功能更为强大。
以上就是本文向大家介绍的存储器设备发展历程的7个关键时期
‘贰’ 硬盘属于什么设备
硬盘属于外部数据存储器。
硬盘分为固态硬盘(SSD)和机械硬盘(HDD);SSD采用闪存颗粒来存储,HDD采用磁性盘片来存储。
机械硬盘介绍:
使用坚硬的旋转盘片为基础的非易失性(non-volatile)存储设备。它在平整的磁性表面存储和检索数字数据。信息通过离磁性表面很近的写头,由电磁流来改变极性方式被电磁流写到磁盘上。由于它体积小、容量大、速度快、使用方便,已成为PC的标准配置。它以铝合金等金属作为盘基,盘面敷有磁性记录层,磁层可以采和甩涂工世制成,此时磁粉呈不连续的颗粒存在;也可以和电镀,化学镀和溅射等方法制取连续膜磁盘
固态硬盘介绍:
固态硬盘SSD(Solid State Disk、IDE FLASH DISK、Serial ATA Flash Disk)是由控制单元和存储单元(FLASH芯片)组成,简单的说就是用固态电子存储芯片阵列而制成的硬盘(目前最大容量为1.6TB),固态硬盘的接口规范和定义、功能及使用方法上与普通硬盘的完全相同。在产品外形和尺寸上也完全与普通硬盘一致,包括3.5",2.5",1.8"多种类型。由于固态硬盘没有普通硬盘的旋转介质,因而抗震性极佳,同时工作温度很宽,扩展温度的电子硬盘可工作在-45℃~+85℃。广泛应用于军事、车载、工控、视频监控、网络监控、网络终端、电力、医疗、航空等、导航设备等领域。
注:现在还有一种网络硬盘的称呼:即“网络优(U)盘”,是将用户的文件存放在互联网上,方便用户"携带"他们的文件,方便用户与他的亲朋好友"分享"他们的文件,所有操作在网站的页面上完成。文件类型不作限制。
‘叁’ U盘储存的原理是什么
U盘,作为我们生活、工作中必不可少移动存储设备,对我们来说可以说是不可或缺,帮助我们存储着一些重要的数据文件,但是,这么重要的设备我们对它又了解多少呢?现在让我们一起去解读一下U盘的存储原理吧,让我们更加熟悉它的工作原理。
闪存(Flash Memory)盘是一种采用USB接口的无需物理驱动器的微型高容量移动存储产品,大家都管他叫U盘,是非挥发存储的一种,具有关掉电源仍可保存数据的优点,同时又可重复读写且读写速度快、单位体积内可储存最多数据量,以及低功耗特性等优点。 其存储物理机制实际上为一种新型EEPROM(电可擦除可编程只读存储)。是SCM(半导体存储器)的一种。
早期的SCM采用典型的晶体管触发器作为存储位元,加上选择、读写等电路构成存储器。现代的SCM采用超大规模集成电路工艺制成存储芯片,每个芯片中包含相当数量的存储位元,再由若干芯片构成存储器。目前SCM广泛采用的主要材料是金属氧化物场效应管(MOS),包括PMOS、NMOS、CMOS三类,尤其是NMOS和CMOS应用最广泛。
RAM(随机存取存储),是一种半导体存储器。必须在通电情况下工作,否则会丧失存储信息。RAM又分为DRAM(动态)和SRAM(静态)两种,我们现在普遍使用的PC机内存即是SDRAM(同步动态RAM),它在运行过程当中需要按一定频率进行充电(刷新)以维持信息。DDR DDR2内存也属于SDRAM。而SRAM不需要频繁刷新,成本比DRAM高,主要用在CPU集成的缓存(cache)上。
PROM(可编程ROM)则只能写入一次,写入后不能再更改。
EPROM(可擦除PROM)这种EPROM在通常工作时只能读取信息,但可以用紫外线擦除已有信息,并在专用设备上高电压写入信息。
EEPROM(电可擦除PROM),用户可以通过程序的控制进行读写操作。
闪存实际上是EEPROM的一种。一般MOS闸极(Gate)和通道的间隔为氧化层之绝缘(gate oxide),而Flash Memory的特色是在控制闸(Control gate)与通道间多了一层称为“浮闸”(floating gate)的物质。拜这层浮闸之赐,使得Flash Memory可快速完成读、写、抹除等三种基本操作模式;就算在不提供电源给存储的环境下,也能透过此浮闸,来保存数据的`完整性。
Flash Memory芯片中单元格里的电子可以被带有更高电压的电子区还原为正常的1。Flash Memory采用内部闭合电路,这样不仅使电子区能够作用于整个芯片,还可以预先设定“区块”(Block)。在设定区块的同时就将芯片中的目标区域擦除干净,以备重新写入。传统的EEPROM芯片每次只能擦除一个字节,而Flash Memory每次可擦写一块或整个芯片。Flash Memory的工作速度大幅领先于传统EEPROM芯片。
MSM(磁表面存储)是用非磁性金属或塑料作基体,在其表面涂敷、电镀、沉积或溅射一层很薄的高导磁率、硬矩磁材料的磁面,用磁层的两种剩磁状态记录信息“0”和“1”。基体和磁层合称为磁记录介质。依记录介质的形状可分别称为磁卡存储器、磁带存储器、磁鼓存储器和磁盘存储器。计算机中目前广泛使用的MSM是磁盘和磁带存储器。硬盘属于MSM设备。
ODM(光盘存储)和MSM类似,也是将用于记录的薄层涂敷在基体上构成记录介质。不同的是基体的圆形薄片由热传导率很小,耐热性很强的有机玻璃制成。在记录薄层的表面再涂敷或沉积保护薄层,以保护记录面。记录薄层有非磁性材料和磁性材料两种,前者构成光盘介质,后者构成磁光盘介质。
ODM是目前辅存中记录密度最高的存储器,存储容量很大且盘片易于更换。缺点是存储速度比硬盘低一个数量级。现已生产出与硬盘速度相近的ODM。CD-ROM、DVD-ROM等都是常见的ODM。
‘肆’ 谁知道MEMORY 是啥意思
memory
(拉丁词memoria留心;注意)
n
-ries
记忆力
Grandmother has a good memory;she can remember things which happened many years ago.
祖母的记忆力很好,她能记起多少年前发生的事。
There have been two wars within the memory of my grandfather.
有两次战争是我祖父所记得的。
回忆
I had happy memories of my school.
我对我们学校有着幸福的回忆。
追忆得起的年限
〈计〉内存;存储器
memory
[5memEri]
n.
记忆力; 记忆
留在记忆中的人[事物]; 回忆
【自】存储; 存储器; 记忆装置
纪念
死后的名声
追想得起的年限[范围]
【化】【物】弹性复原性, 塑性记忆
speak from memory ...
根据记忆而讲述
This has been the hottest summer within my memory.
就我所记得的, 这是最热的一个夏天。
He has a bad memory for dates.
他对日期的记忆很差。
It brought back to me -ies of my schooldays.
它使我回想起我的学生时代。
I got him to write his -ies of his early days.
我要他写他早年时代的回忆录。
memory-cycle
n.
存储[记忆]循环, 存储[存取]周期
memoryless
adj.
无记忆的
artificial memory (=art of memory)
记忆法, 记忆术
as memory serves
每逢想起
bear [have, keep] in memory
记着, 没有忘记
beyond [within] the memory of man [men]
在有史以前[来]
blot out of one's memory
忘却, 从记忆中抹掉
bring back [call] to memory
使想起
burden [load, store, stuff] the memory with sth.
勉强记着某事
cherish the memory of
怀念(某人)
come to one's memory
想起, 清醒过来
commit sth. to memory
记住, 背熟
die away from sb.'s memory
被某人忘掉, 记不起来
draw on one's memory
尽力回想, 凭记忆去编造
dwell [live, remain] in sb.'s memory
留在某人记忆中; 活在某人心中
embedded in one's memory
记在心里, 永志不忘
escape [slip] sb.'s memory
使某人一时想不起来
engrave [impress, imprint, stamp] in sb.'s memory
牢记在某人心中, 深刻印在某人头脑里
fresh in one's memory
记忆犹新
from memory
凭记忆
have a [no] memory of
(不)记得
have a memory like a sieve
记忆力极差
have a memory like an elephant
记忆力特别好
honour the memory of
纪念
if my memory serves me right (=if my memory does not fail me)
如果我没有记错的话
in memory of
纪念...
jog sb.'s memory
唤起某人的记忆, 使...想起
leave a sad memory behind
留下一个悲哀的回忆
lodge in the memory
留在记忆中
make memory of sth.
保存记录; 记载
memory work
记忆功夫
of blessed memory
先, 故(加于已故君王等称呼后面,表示敬意)
out of memory
被忘却, 被遗忘
play sth. from memory
凭着记忆演奏听来的音乐
refresh one's memory
唤起记忆
retain thememoryof
记得...
search one's memory
寻思, 追忆
sink into the memory of sb.
深深印在某人脑海里
speak from memory
单凭记忆讲
to the best of one's memory
就记忆所及
to the memory of
献给...(作者书前纪念性题词)
treasure up in one's memory
铭记在心, 永记不忘
within [in] living memory
现在还被人记着
acoustic memory
声存储器; 超声波延迟线存储器
active memory
有源[元件]存储器; 快速[主动式]存储器
add-on memory
添加存储器
address memory
地址[编制]存储器
annex memory
附加存储器
archival memory
数据存储器
artificial memory
人工记忆
association memory
联想记忆
associative memory
内容寻址存储器; 相联存储器
associative memory
【心理】联想式记忆; 【信息】(计算机的)相联存储器, 内容寻址存储器
audio b memory
音频复制存储
auditory memory
听觉记忆
auxiliary memory
辅助存储器, 辅助性记忆装置
barium-titanate memory
钛酸钡存储器
beam-molating memory
电子束调制存储器
biax memory
非破坏读出存储器(商业器); 双轴磁心存储器
bipolar memory
双极存储器
bistable opticelectronic element memory
双稳态光电元件存储器
bit oriented memory
按位存取存储器
bit-by-bit memory
逐位存储器
bit-by-bit optical memory
按位光存储器
bootstrap memory
引导存储器
bubble domain memory
磁畴存储器
buffer memory
缓冲存储器; 超高速缓冲存储器
bulk memory
大容量外存储器
byte memory
二进位组[信息组]存储器, 字节存储器
cache buffer memory
超高速缓冲存储器
capacitor memory
电容器存储器
capacity memory
电容存储器
card random access memory
卡片随机存取存储器
carousel memory
转盘式磁带存储器
cartridge [cassette] memory
盒式存储器
catalog memory
相联存储器
cathode-ray tube memory
阴极射线管存储器
central memory
中央存储器
character memory
字符存储器
charge-coupled memory
电荷耦合存储器
circulating memory
动态[循环; 延迟]存储器
code memory
代码存储器
coincident-current memory
重合电流存储器, 电流重合(法)存储器
Collective memory
【心理】集体记忆
Complementary metaloxide Semiconctor random access memory
【信息】(计算机的)互补金属氧化物半导体随机存取存储器
colour-coded computer memory
彩色编码计算机存储器
common memory
公用[共用]存储器
constructive memory
构建记忆
content address(ed) memory
内容选址存储器, 相联存储器(按地址内容取数)
control memory
控制存储器
core memory
磁心存储器
cross point memory
交叉点存储器
cryotron memory (storage)
冷子管存储器
crystal memory
晶体存储元件
cyclic(al) memory
循环存储器
cylindrical film memory
圆筒形软片存储器
data-addressed memory
数据地址存储器
delay line memory
延迟线存储器
digital memory
数字存储器
diode-capacitor memory
二极管电容存储器
disk memory
磁盘存储器
distributed processsing memory
分布处理存储器
domain tip memory
畴尖存储器
drum memory
计算机的磁鼓记忆装置
dynamic random access memory
【信息】(计算机的)动态随机存取存储器
dynamic memory
动态存储器(循环存储器)
echoic memory
回声记忆
elastic memory
弹性记忆(效应)
electrically alterable read-only memory
电可改写只读存储器
electroluminescence memory
电发光存储器
electromagnetic relay memory
电磁继电器存储器
electron beam memory
电子束存储器
electron-beam-accessed memory
电子束存储器
electrostatic memory
静电存储, 静电记忆; 静电存储器
emotional memory
情绪记忆
emotive memory
【心理】感情性记忆
enhanced dynamic random access memory
【信息】(计算机的)增强型动态随机存取存储器
episodic memory
事件记忆
erasable memory
可擦[可清]除存储器
extended data-out random access memory
【信息】(计算机的)扩充的数据输出随机存取存储器。
external memory
外存储器, 外部记忆装置
external selection memory
字选存储器
fading memory
消失记忆
fast-access memory
快速存取存储器
ferrite plate memory
铁氧体存储器
ferroelectric memory
铁电体存储器
fiber-optic memory
光学纤维存储器
field memory
场存储器
field programmable memory
现场可编程序存储器
file memory
文件存储(器), 大容量外存储器
film memory
薄膜[照相胶片]存储器
fine strip memory
微带存储器
finite memory
有限存储[记忆]
fixed memory
固定存储器
folk memory
民间回忆[纪念]
font memory
字型存储器
frame memory
帧存储器
frequency memory
储频装置
full wafer memory
整片存储器
gate inverter memory
门反相存储器
glass semiconctor memory
玻璃半导体存储器
hard disk memory
硬磁盘存储器
holograph(ic) memory
全息(照相)存储器; 全息记忆
honeycomb memory
蜂房形存储器
hypothetical memory
虚[拟]存储器
iconic memory
映象记忆
imaginal memory
形象记忆
immediate-access memory
即时[快速]存取存储器
immunological memory
免疫记忆
incidental memory
无意记忆
index memory
变址存储器
information memory
信息存储器
inner memory
内存储器, 运算存储器
instantaneous memory
瞬时记忆
intelligent memory
智能存储器
interleaving memory
交替[交错]存储器
internal memory
内存储器, 内部记忆装置
isoplanar bipolar memory
等平面双极存储器
job virtual memory
作业虚拟存储器
kinematic memory
运动记忆
kinesthetic memory
动觉记忆
laminated ferrite memory
叠片铁氧体存储器
large scale integrated memory
大规模集成电路存储器
last in/first out memory
后进/先出存储器, 下推存储器
latent image memory
潜象存储器
line memory
线路存储器
liquid memory
液体存储器[迟延线]
liquid crystal memory
液晶存储器
local memory
局部存储器
logic memory
逻辑存储器
logical memory
逻辑记忆
long-access memory
慢速存储器
long-term memory (=long-time memory)
长时间存储器, 持久记忆
look-aside memory
后备存储器
low speed memory
低速记忆装置, 低速存储器
low temperature memory
低温存储器
low-access memory
慢速存取存储器
magnetic memory
磁存储器
magnetic bubble memory
磁泡存储器
magnetic core memory
磁芯存储器
magnetic disk memory
磁盘存储器
magnetic drum memory
磁鼓存储器
magnetic film memory
磁膜存储器
magnetic recording memory
磁记录型存储器
magnetic tape memory
磁带存储器
magnetic thin-film memory
磁薄膜存储器
magnetic-acoustic memory
磁声存储器
magnetic-ferrite memory
铁氧体磁存储器
magneto-optic garnet memory (storage)
磁光石榴石存储器
main memory
主存储器
main-frame memory
主体存储器
manual memory
人工存储器
mark memory
标记存储器
mass memory
大容量存储器
mated-film memory
耦合膜存储器
meaningful memory
【心理】意义识记
medium-term memory
中程记忆
megabit memory (storage)
兆位存储器
message memory
消息存储器
metal card memory
金属卡片存储器
metal magnetic memory
金属磁存储器
metal-insulator-semiconctor memory
金属-绝缘层-半导体存储器
metal-oxide-semiconctor memory
金属氧化物半导体存储器
minute memory
【心理】短期记忆
mixing memory
混合存储器
molecular memory
分子记忆
monolithic memory
单片存储器
MOS memory MOS
存贮器
motional memory
动作记忆
motor memory
【心理】动作记忆
movement memory
【心理】非文字记忆
multiple coincidence magnetic memory
多重符合磁存储器
multiport memory
多(进出)口存储器
non-cyclic memory
非循环存储器
non-leak memory
永久存储器
non-sane memory
不健全的记忆力non-
verbal memory
【心理】非文字记忆
non-volatile IC memory
固定[永久性]集成电路存储器
octal memory
八进制存储器
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脱机存储器
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联机存储器
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联机外围存储器
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光盘存贮器
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重叠存储器
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页存储器
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并行存储器
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并行存取存储器
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被动式存储
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图象存储器
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暂停储存[记忆]
perfect memory
完全记忆
permanent memory
固定[永久性]存储器
photographic memory
照相存储器
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光学照相[光学介质]存储器
phylogenetic memory
族生[系生]记忆
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图象存储器
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复合磁扭线存储器
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乒乓球式电位势垒存储器
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塑性记忆
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磁膜线[镀磁线]存储器
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插入式存储器
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袖珍存储器
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位置记忆
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后进先出存储器
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随机存取存储装置
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再生存储器
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serial memory
串行存储器
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串行存取存储器
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共用存储器
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一级存储器
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驻波存储器state-
dependent memory
【心理】情境关联记忆
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静态存储装置
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荧光屏图象保留现象(阴极射线管等的)
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选通脉冲存储器
superconcting memory
(低温)超导存储器
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声表面波存储器
swapping memory
交换存储器
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磁带存储器
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任务执行存储器
temporary memory
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薄膜存储器
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环列存储器
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更新用数据存储器
transfer memory
转移存储器
transient memory
瞬时存储器
transistorized memory
晶体管存储器
translation memory
译码[翻译]存储器
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中继存储器
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磁扭线存储器
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超高速存取存储器
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超声波存储器
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【心理】潜意识记忆
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速度记忆
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【信息】(计算机的)视频随机存取存储器
video memory
图象存储器
verbal memory
【心理】语文记忆
virtual memory
虚(拟)存储器
visual memory
视觉记忆
volatile memory
非永久性存储器, 易失存储器
volume hologram memory
体积全息图存储器
windows random access memory
【信息】(计算机的)视窗随机存取存储器
wire memory
磁线存储器
wired-in memory
绕定存储器
word memory
字(符)存储器
word-select memory
选字存储器
working memory
工作存储器, 内存储器
woven memory
编织存储器
write-lock memory
写保护存储器, 锁定写“内存”
zero-access memory
立即[超高速]存取存储器
memory by time period
分时记忆
memory by time vestige
时痕记忆
memory in key
存储输入键
memory in metal
金属存储器
memory of the beginning and the end
首尾记忆
memory remembrance recollection reminiscence都含“记忆”的意思。
memory
指“记忆过去的事情或经历的能力”, 如:
He has a good memory.
他记忆力好。
remembrance指“回想”、“记忆”、“记忆力”, 侧重“记忆的过程或动作”, 现在一般用memory代替它, 如:
the remembrance of things past
回忆往事。
recollection指“经过一番思考才记起久已忘记了的事”, 比memory和remembrance含有更重的“追想”意味, 如:
His recollection of the campaign is not too clear.
他对竞选的记忆不是那么清楚。
reminiscence指“回忆”、“回忆很久以前的事”, 如:
He entertained us with reminiscence of his childhood.
他追述他的童年时代, 从而使我们高兴起来。
memory
[ 5memEri ]
n.记忆, 记忆力, 回忆, 存储(器), 存储器
存储器,内存
Memory
Memory编程资料站
http://oldmemory.easthome.net
这里有WIN32 API的中文说明及其在vb中的使用技巧和源代码.更多更多,来看看就知道了.
‘伍’ 磁表面存储器读写原理的记录介质与磁头
磁表面存储器是目前使用最广泛的外存储器。所谓磁表面存储,是用某些磁性材料薄薄地涂在金属铝或塑料表面作载磁体来存储信息。根据记录载体的外形,磁表面存储器有磁鼓、磁带、磁盘、磁卡等。而在计算机系统中广泛使用的是磁盘和磁带;特别是磁盘,几乎是稍具规模系统的基本配置。 1. 基体与磁层
在磁表面存储器中,记录信息的介质是一层很薄的磁层,它需要依附于具有一定机械强度的基体之上。根据不同磁表面存储器的需要,基体分为软质基体与硬质基体两大类,它们所要求的磁层材料与制造工艺也相应不同。
(1)软质基体与磁层
磁带的运行方式要求采用软质基体,如聚酯薄膜带。软盘的盘片在工作时与磁头接触,为了减少磁头磨损,也要求用软质基体,如聚酯薄片。
将具有距磁特性的氧化铁微粒,渗入少量钴,用树脂粘合剂混合后,涂敷在基本
体之上加工形成约1微米厚的均匀磁层。这就是记录信息用介质,属于颗粒型材料。
(2)硬质基体与磁层
硬盘的运行方式对基体与磁层要求更高,一般采用铝合金硬质盘片作为基体。为了进一步提高片光洁度与硬度,一些新型硬盘采用工程塑料、陶瓷、玻璃作为基体。
硬盘一般采用电镀工艺在盘片上形成一个很薄的磁层,所用材料为具有矩磁特性的铁镍钴合金。电镀形成的磁层属于连续型非颗粒型材料,又称薄膜介质,其均匀性与性能大为提高。磁层厚度大约只有0.1-0.2微米
,上面再镀一层保护膜,增加抗磨性和抗腐蚀性。 在更新的硬盘中,采用溅射工艺形成薄膜磁层,即用粒子撞击阴极,使阴极处的磁性材料原子淀积为磁性薄膜。其性能优于镀膜。
为了增加读出信号的幅度,希望选用材料的剩磁感应强度 比较大。但 过大,磁化状态翻转时间增加,因而影响记录密度。为了提高激励密度,要求磁层尽量薄。以减少磁化所需时间;磁层薄又使磁通变化量 减少,将影响读出信号幅度。这就要求改进读出放大的电子技术,以降低对磁层制造工艺的要求,或在相同工艺水平条件下,提高密度与可靠性。
此外,要求磁层内部无缺陷,表面组织致密、光滑、平整,磁层厚薄均匀,无污染,对环境温度不敏感,性能稳定。 磁头是实现读/写的关键元件。写入时,将脉冲代码以磁化电流形式加入磁头线圈,使记录介质产生相应的磁化状态,即电磁转换。读出时,磁层中的磁化翻转使磁头的读出线圈产生感应信号,即磁电转换。
图3-1 磁头原理图
图3-1是磁头的原理性示意图。磁头由高导磁材料构成,上面绕有线圈,有一个线圈兼做写入磁化与读出,或分设读磁头与写磁头。磁头面向记录介质的部分开有间隙,称作磁头间隙,简称头隙。如果没有这个间隙,磁化电流产生的磁通将只在闭合磁路中流过,对记录介质没有作用。开了间隙后,大部分磁通将流经头隙所对应的记录介质局部区域,使该作用区留下某种磁化状态。读出时,记录信息的介质经过磁头,由于对着磁头的区域中存在磁化状态翻转,若由正向饱和变为负向饱和,或由负向饱和变为正向饱和,使磁头的磁路中发生磁通变化 。读出线圈产生感应电势,即读出信号。因此头曦部分的形状与尺寸至关重要,又称工作间隙。磁头的磁路其余部分既可做成环状,也可做成马蹄形,影响不大。
在磁盘或磁带进行读/写时,记录介质运动而磁头不动,磁头在记录介质上的磁化区形成磁道。磁化后,磁道中心部分达到磁饱和,而磁道两侧的边缘部分磁化不足。在写入后,常将两侧进行清洗,称为夹缝清除。
从磁头的任务来看,在磁盘中,每个记录面有一个磁头,兼做读磁头与写磁头,又称复合磁头。在磁带机中,经常一次并行地读/写几个磁道。每个磁道中有一对磁头:一个读磁头和一个写磁头,可以实现写后读出检查。将几个磁道的读磁头与写磁头装配为一体,道间加屏蔽,称为组合头快。
从制造工艺方面来看,分为早期的传统工艺磁头与近期的薄膜磁头。
在早期的制造工艺中,或是用高导磁率铁淦氧材料热压成形,或用高导磁率铁镍合金(坡莫合金)叠片组装成形。通常是先制成几部分其中一段绕有线圈,然后将他们粘接起来。用于软盘的磁头,将上述铁芯封装在特种塑料外壳里,外壳做成球面形或平面扣子形,便于安装和定位,并使磁头与盘面接触良好,工作时磨损小。用于硬盘的磁头,将铁芯封装在一个陶瓷块内,该陶瓷块称为浮动块,工作时可由气垫使其浮空于盘面上;后来又将铁芯和浮动块改为用同样的材料制成。
近期的硬盘采用薄膜磁头,用类似于半导体工艺的淀积和成形技术,在基板上形成坡莫合金的铁芯,和具有一定匝数的线圈,如平面螺旋式导体线圈。由于制造成型过程中使用掩模光刻技术,精度很高,可以获得比较理想的极尖形状和工作间隙;然后在基板上烧固一层氧化铝和碳化钛,再切割加工成浮动块。相比之下,薄膜磁头在各方面的性能均优于传统工艺磁头。