铁电存储器缺点

‘壹’ 铁电存储器的技术比较

Ramtron公司的FRAM主要包括两大类：串行FRAM和并行FRAM。其中串行FRAM又分I2C两线方式的FM24 系列和SPI三线方式的FM25 系列。串行FRAM与传统的24 、25 型的E2PROM引脚及时序兼容，可以直接替换，如Microchip、Xicor公司的同型号产品，但各项性能要好得多，性能比较如表1所示。并行FRAM价格较高但速度快，由于存在预充问题，在时序上有所不同不能和传统的SRAM直接替换。
FRAM产品具有RAM和ROM优点，读写速度快并可以像非易失性存储器一样使用。因铁电晶体的固有缺点，访问次数是有限的，超出了限度，FRAM就不再具有非易失性。Ramtron给出的最大访问次数是100万次，比flash寿命长10倍，但是并不是说在超过这个次数之后，FRAM就会报废，而是它仅仅没有了非易失性，但它仍可像普通RAM一样使用。
1.FRAM与E2PROM
FRAM可以作为E2PROM的第二种选择，它除了E2PROM的性能外，访问速度要快得多。但是决定使用FRAM之前，必须确定系统中一旦超出对FRAM的100万次访问之后绝对不会有危险。
2.FRAM与SRAM
从速度、价格及使用方便来看SRAM优于FRAM，但是从整个设计来看，FRAM还有一定的优势。
假设设计中需要大约3K字节的SRAM，还要几百个字节用来保存启动代码的E2PROM配置。
非易失性的FRAM可以保存启动程序和配置信息。如果应用中所有存储器的最大访问速度是70ns，那么可以使用一片FRAM完成这个系统，使系统结构更加简单。
3．FRAM与DRAM
DRAM适用于那些密度和价格比速度更重要的场合。例如DRAM是图形显示存储器的最佳选择，有大量的像素需要存储，而恢复时间并不是很重要。如果不需要下次开机时保存上次内容，使用易失性的DRAM存储器就可以。DRAM的作用与成本是FRAM无法比拟的，事实证明，DRAM不是FRAM所能取代的。
4．FRAM与Flash
现在最常用的程序存储器是Flash，它使用十分方便而且越来越便宜。程序存储器必须是非易失性的并且要相对低廉，且比较容易改写，而使用FRAM会受访问次数的限制，多次读取之后会失去其非易失性。
下面介绍并行FRAM --FM1808与8051/52的实际应用。

‘贰’ CPU-Z里面内存里的DC模式是什么意思

DC模式意思为、Dual Channel。Dual Channel是关于电脑记忆体的一种技术，最早使用此技术的记忆体是RDRam。

DC模式可理解为“打开双通道的方式”。一般在CPU-Z中的显示有灰色不可见、“对称”、“不对称”、“单通道+”等方式。DC模式在部分Intel芯片组的主板上是灰色的，原因是Intel的芯片组只支持对称双通道同步模式。

(2)铁电存储器缺点扩展阅读：

在DDR Ram发展中期，内存带宽开始出现瓶颈。原因是FSB带宽比内存带宽大得多，而处理器处理完的数据不能即时转入内存，造成处理器性能得不到完全发挥。基于此,芯片组厂商引入双通道内存技术。单条DDR内存是64位元带宽,而两条则是双倍，128位元。内存瓶颈得以缓解。

注:若芯片组只支援单通道内存，就算插入两条DDR内存也都是单通道内存，不会变成双通道内存的。

引入双通道内存技术的第一家芯片组厂商是nVidia。但当时AMD处理器的FSB带宽不是很大，双通道内存的效能提升作用轻微。

期后Intel将DDR双通道内存技术引入，配合Xeon,芯片组名为E7205。它支援DDR266双通道内存。用DDR的价钱，得到RDRam的效能。而主板厂将之支援Pentium 4。

毕竟是服务器平台产品,价格比较贵。而SiS的SiS 655出现,使DDR双通道成了平民化的技术。由于支援DDR333双通道内存，效能比E7205更高,价钱更低。

而最经典的应该是i865PE了，支援DDR400双通道内存，800MHz FSB的Pentium 4。 而i915P亦新增支援DDR-II 533双通道内存。 最新的975X更支援DDR-II 667双通道内存。

AMD平台方面，nVidia凭nForce 2 Ultra 400支援DDR400双通道内存，成为当时AMD平台性能最佳的芯片组，更击败VIA的皇者地位。随后AMD的Athlon 64系列处理器亦内建了DDR400双通道内存控制器。