存储芯片使用方法

① 常用存储器片选控制方法有哪几种

存储器往往要是由一定数量的芯片构成的。CPU要实现对存储单元的访问，首先要选择存储芯片，即进行片选；然后再从选中的芯片中依地址码选择出相应的存储单元，以进行数据的存取，这称为字选。片内的字选是由CPU送出的N条低位地址线完成的，地址线直接接到所有存储芯片的地址输入端，而存储芯片的片选信号则大多是通过高位地址译码后产生的。线选法：线选法就是用除片内寻址外的高位地址线直接分别接至各个存储芯片的片选端，当某地址线信息为0时，就选中与之对应的存储芯片。这些片选地址线每次寻址时只能有一位有效，不允许同时有多位有效，这样才能保证每次只选中一个芯片。线选法不能充分利用系统的存储器空间，把地址空间分成了相互隔离的区域，给编程带来了一定困难全译码法：全译码法将除片内寻址外的全部高位地址线都作为地址译码器的输入，译码器的输出作为各芯片的片选信号，将它们分别接到存储芯片的片选端，以实现对存储芯片的选择。全译码法的优点是每片芯片的地址范围是唯一确定的，而且是连续的，也便于扩展，不会产生地址重叠的存储区，但全译码法对译码电路要求较高部分译码法：所谓部分译码法即用除片内寻址外的高位地址的一部分来译码产生片选信号，部分译码法会产生地址重叠。

② 芯片是如何储存信息的

芯片储存信息的原理如下：

对动态存储器进行写入操作时，行地址首先将RAS锁存于芯片中，然后列地址将CAS锁存于芯片中，WE有效，写入数据，则写入的数据被存储于指定的单元中。

对动态存储器进行读出操作时，CPU首先输出RAS锁存信号，获得数据存储单元的行地址，然后输出CAS锁存信号，获得数据存储单元的列地址，保持WE=1，便可将已知行列地址的存储单元中数据读取出来。

(2)存储芯片使用方法扩展阅读

主存储器的两个重要技术指标：

读写速度：常常用存储周期来度量，存储周期是连续启动两次独立的存储器操作（如读操作）所必需的时间间隔。

存储容量：通常用构成存储器的字节数或字数来计量。

地址总线用于选择主存储器的一个存储单元，若地址总线的位数k，则最大可寻址空间为2k。如k=20,可访问1MB的存储单元。数据总线用于在计算机各功能部件之间传送数据。控制总线用于指明总线的工作周期和本次输入/输出完成的时刻。

主存储器分类：

按信息保存的长短分：ROM与RAM。

按生产工艺分：静态存储器与动态存储器。

静态存储器（SRAM）：读写速度快，生产成本高，多用于容量较小的高速缓冲存储器。动态存储器（DRAM）：读写速度较慢，集成度高，生产成本低，多用于容量较大的主存储器。

③ 存储芯片的操作方式

对存储行业而言，存储芯片主要以两种方式实现产品化：
1、ASIC技术实现存储芯片
ASIC(专用集成电路)在存储和网络行业已经得到了广泛应用。除了可以大幅度地提高系统处理能力，加快产品研发速度以外，ASIC更适于大批量生产的产品，根椐固定需求完成标准化设计。在存储行业，ASIC通常用来实现存储产品技术的某些功能，被用做加速器，或缓解各种优化技术的大量运算对CPU造成的过量负载所导致的系统整体性能的下降。
2、FPGA 技术实现存储芯片
FPGA（现场可编程门阵列）是专用集成电路（ASIC）中级别最高的一种。与ASIC相比，FPGA能进一步缩短设计周期，降低设计成本，具有更高的设计灵活性。当需要改变已完成的设计时，ASIC的再设计时间通常以月计算，而FPGA的再设计则以小时计算。这使FPGA具有其他技术平台无可比拟的市场响应速度。
新一代FPGA具有卓越的低耗能、快速迅捷（多数工具以微微秒-百亿分之一秒计算）的特性。同时，厂商可对FPGA功能模块和I/O模块进行重新配置，也可以在线对其编程实现系统在线重构。这使FPGA可以构建一个根据计算任务而实时定制软核处理器。并且，FPGA功能没有限定，可以是存储控制器，也可以是处理器。新一代FPGA支持多种硬件，具有可编程I/O，IP（知识产权）和多处理器芯核兼备。这些综合优点，使得FPGA被一些存储厂商应用在开发存储芯片架构的全功能产品。

④ 74hc343芯片的原理和使用方法

74HC595是一个8位串行输入、平行输出的位移缓存器：平行输出为三态输出。在SCK的上升沿，单行数据由SDL输入到内部的8位位移缓存器，并由Q7‘输出，而平行输出则是在LCK的上升沿将在8位位移缓存器的数据存人到8位平行输出缓存器。当串行数据输人端OE的控制信号为低使能时，平行输出端的输出值等于平行输出缓存器所存储的值。而当OE为高电位，也就是输出关闭时，平行输出端会维持在高阻抗状态。

⑤ 电子芯片防潮存储该如何存储呢

环境中的微量湿气对电子业的长晶/切晶/磊晶/IC电路设计/IC TAB/IC封测/IC与电路板 SMT组装/电路板压合等各种消费性及专业性电子零件、成品、家电、仪器（表）/设备...均可造成不可忽视的问题。2005年新修订的J-STD-033B对湿度敏感元件（MSD）在环境下的暴露有更严谨的管理规范。当暴露超过容许的时间长度，将造成湿气附着并渗入电子零件内。另一方面，2006年7月出台的RoHS 法规，由于无铅制程的落实执行，将提升焊接温度，更容易导致电子零件内湿气由于瞬间高温而造成的膨胀、爆裂问题。轻则导致损耗，效率降低、成本/费用增加，重则导致研发失效、不良率高、可靠度差的严重竞争力问题。
一、潮湿对电子元器件的危害
1. 液晶器件：液晶显示屏等液晶器件的玻璃基板和偏光片、滤镜片在生产过程中虽然进行清洗烘干，但待其降温后仍然会受潮气的影响，降低产品的合格率。因此在清洗烘干后应存放40%RH以下的干燥环境中。
2. 其他电子器件：集中电阻炉、电容器、陶瓷器件、接插件、开关件、焊锡、PCR、IC、LED、SMD、晶片、石英振荡器、SMT贴片、电极材料粘合剂、电子酱料、高亮度器件等，均为受到潮湿的危害。
3、作业过程中的电子器件：封装中的半成品到下一工序之间；PCB封装前以及封装后到通电之间；拆封后但尚未使用完的IC、BGA、PCB等；等待锡炉焊接的器件；烘烤完毕待回温的器件；尚未包装的产成品等，均会受到潮湿的危害。因此需要专业的电子防潮柜来对车间和仓库的空气进行严格的湿度控制，以达到电子元器件车间生产和仓库储存所需要的最佳空气相对湿度标准。
4、成品电子整机如在高湿温度环境下存储时间长，将导致故障发生，对于计算机板卡CPU等会使金手指氧化导致接触不良发生故障。电子工业产品的生产和产品的存储环境湿度应该40%以下。有些品种的电子产品的要求湿度还要更低。
二、改善方法
对于湿敏组件要能有效干燥、脱湿，可以使用常烘烤或放入高强常温常压干燥箱、干燥设备，两种方式。

⑥ 图1中存储器扩展电路使用的方法是

您是想问存储器扩展电路使用的方法是是什么吗？存储器的扩展电路使用方式有字扩展、位扩展、字位同时扩展。存储器芯片与单片机扩展连接具有共同的规律。即不论何种存储器芯片，其引脚都呈三总线结构，与单片机连接都是三总线对接。另外，电源线接电源线，地线接地线。
1、位扩展只在位数方向扩展(加大字长)，而芯片的字数和存储器的字数是一致的。即b前面不一样，K前面保持一样。
2、字扩展仅在字数方向扩展，而位数不变。即K前面不一样，b前面保持一样。字位同时
3、扩展是字和位同时扩展。