静态存储持续时间是什么

⑴ C语言中static是做什么用的

有两种用法：

1、static修饰局部变量，成为一个局部静态变量。

static修饰局部变量(静态局部变量)与普通局部变量相比，它的优势在于：

①静态局部变量作用域与连接属性与普通局部变量一样；

②存储类：静态局部变量分配在data/bss段，普通局部变量在栈上；

③生命周期：因为存储类的不同，静态局部变量的生命周期得到延长了，直到程序结束。

2、static修饰全局变量与函数，成为静态全局变量与静态函数。

static修饰全局变量函数 与 普通全局变量普通函数相比，它的优势在于：

①存储类、生命周期、作用域都一样；

②差别在于static修饰全局变量函数连接属性是内连接，普通全局变量普通函数是外链接；

③就是说static修饰全局变量函数不能跨文件访问调用。

(1)静态存储持续时间是什么扩展阅读：

在类内数据成员的声明前加上static关键字，该数据成员就是类内的静态数据成员。其特点如下：

静态数据成员存储在全局数据区，静态数据成员在定义时分配存储空间，所以不能在类声明中定义

静态数据成员是类的成员，无论定义了多少个类的对象，静态数据成员的拷贝只有一个，且对该类的所有对象可见。也就是说任一对象都可以对静态数据成员进行操作。而对于非静态数据成员，每个对象都有自己的一份拷贝。

由于上面的原因，静态数据成员不属于任何对象，在没有类的实例时其作用域就可见，在没有任何对象时，就可以进行操作

和普通数据成员一样，静态数据成员也遵从public, protected, private访问规则

静态数据成员的初始化格式：<数据类型><类名>::<静态数据成员名>=<值>

类的静态数据成员有两种访问方式：<类对象名>.<静态数据成员名> 或 <类类型名>::<静态数据成员名>

⑵ C语言-存储期(storage ration)

在函数中声明的变量，并不是从程序开始到程序结束让岩始终有效的。变量的生存期也就是生命有两种，它们可以通过 存储期 (storage ration)这个概念来体现。

在函数中不使用存储类说明符 static 而定义出的对象(变量),被赋予了 自动存储期 (automatic storage ration), 它具有以下特性。

也就是说，该对象拥有短暂的寿命，另外， 如果不显式地进行初始化，则该对象会被初始化为不确定的值 。

被赋予自动存储期的对象，在程序执行到 int ax = 0; 的时候，就被创建出来并且进行初始化。

在函数中使用 static 定义出来的对象，或者在函数外声明定义出来的对象被赋予了 静态存储期 (static storage ration)，它具有以下特性。

也就是说，改对象拥有"永久"的寿命。另外， 如果不显式地进行初始化，则该对象会自动初始化为0 。

被赋予了静态存储期的对象，会在 main 函数兄滑罩开始执行之前被初羡闹始化 。因此，虽说程序执行的时候会经过 static int sx = 0; 的声明，但其实那个时候并没有进行初始化处理，也就是说该声明并未执行赋值处理。

在函数通过存储类说明符 auto 和 register 声明定义出的变量，也被赋予了自动存储期。通过 auto int ax = 0; 进行的声明和不使用 auto 进行的声明在编译的时候是完全相同的。因此 auto 就显得有些多余了。

另外，使用 register 进行的声明 register int ax = 0; ,在源程序编译的时候， 变量 ax 不是保存在内存中，而是保存在更高速的寄存器中，然而，由于寄存器的数量有限，所以也不是绝对的 。

现在编译技术已经十分先进了，那个变量保存在寄存器中更好都是通过编译自行判断并进行最优化处理的(不仅如此，保存在寄存器中的变量在程序执行的时候也可能发生改变)。

使用 register 进行声明也渐渐变得没有意义了。

⑶ 静态存储器与动态存储器的定义是什么

静态存储器是指依靠双稳态触发器的两个稳定状态保存信息的存储器。双稳态电路是有源器件，需要电源才能工作，只要电源正常，就能长期稳定的保存信息，所以称为静态存储器。如果断电，信息将会丢失，属于挥发性存储器，或称易失性。

动态存储器是指在指定功能或应用软件之间共享的存储器。如果一个或两个应用软件占用了所有存储器空间，此时将无法为其他应用软件分配存储器空间。需要由存储器控制电路按一定周期对存储器刷新，才能维系数据保存。

(3)静态存储持续时间是什么扩展阅读：

动态存储器的工作原理

动态RAM是由许多基本存储元按照行和列地址引脚复用来组成的。在3管动态RAM电路中，读选择线和写选派埋择线是分开的，读数据线和写数据线也是分开的。

写操作时，写选择线为"1"，Q1导通，要写入的数据通过Q1送到Q2的栅极，并通过栅极电容在一定时间内保持信息。

读操作时，先通过公用的预充电管Q4使读数据线上的分布电容CD充电，当读选择线为高电平有效时,Q3处于可导通的状态。若原来存有"1"，则Q2导通，读数据线的分布电容CD通过Q3、闷羡笑Q2放电。此时读得的信息为"0"，正好和原存信息相反。

可见，对这样的存储电路，读得的信息和原来存入的蚂含信息正好相反,所以要通过读出放大器进行反向再送往数据总线。

⑷ 动态随机存储器和静态随机存储器有什么区

SRAM也称动态随机存储器，其特点是工作速度快，只要电源不撤除，写入SRAM的信息就不会消失，不需要刷新电路，同时在读出时不破坏原来存放的信息，一经写入可多次读出，但集成度较低，功耗较大。SRAM一般用来作为计算机中的高速缓冲存储器(Cache)。

DRAM是动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory)，它是利用场效应管的栅极对其衬底间的分布电容来保存信息，以存储电荷的多少，即电容端电压的高低来表示“1”和“0”。DRAM每个存储单元所需的场效应管较少，常见的有4管，3管和单管型DRAM。因此它的集成度较高，功耗也较低，但缺点是保存在DRAM中的信息__场效应管栅极分布电容里的信息随着电容器的漏电而会逐渐消失，一般信息保存时间为2ms左右。为了保存DRAM中的信息，必须每隔1～2ms对其刷新一次。因此，采用 DRAM的计算机必须配置动态刷新电路，防止信息丢失。DRAM一般用作计算机中的主存储器。

⑸ 什么是静态存储区和动态存储区啊

1. 全局变量和静态数据放在静态存储区，生命周期为从申请到程序退出。因此局部变量若定义为static，则存储在静态存储区，否则存储在函数的栈内，生命周期为本函数内。
2 动态存储放自动变量和局部变量

⑹ 主存储器的动静态

教学计算机的内存储器组成与设计
(1)静态存储器的存储原理和芯片内部结构(P207)
(2)教学计算机内存储器的组成与设计
地址总线：记为AB15～AB0,统一由地址寄存器AR驱动，地址寄存器AR只接收ALU输出的信息。
控制总线：控制总线的信号由译码器74LS139给出，功能是指出总线周期的类型：
（1）内存写周期用MMW信号标记
（2）内存读周期用MMR信号标记
（3）外设(接口)写周期用IOW信号标记
（4）外设(接口)读周期用IOR信号标记
（5）内存在工作用MMREQ信号标记
（6）外设在工作用IOREQ信号标记
（7）写控存周期用SWA信号标记
数据总线：分为内部数据总线IB与外部数据总线DB两部分。主要完成计算机各功能部件之间的数据传送。设计总线的核心技术是要保证在任何时刻只能把一组数据发送到总线上，却允许一个和多个部件同时接受总线上的信息。所用的电路通常为三态门电路。
系统时钟及时序：教学机晶振1.8432MHz，3分频后用614.4KHz的时钟作为系统主时钟，使CPU、内存、IO同步运行。CPU内部的有些寄存器用时钟结束时的上升沿完成接受数据，而通用寄存器是用低电平接收的。内存或I/O读写操作时，每个总线周期由两个时钟组成，第一个时钟，称为地址时间，用于传送地址;第二个时钟，称为数据时间，用于读写数据
静态存储器的字位扩展：
教学计算机的内存储器用静态存储器芯片实现，由2K字的ROM区和2K字RAM区组成。内存字长16位，按字寻址。ROM由74LS2716只读存储器ROM(每片2048个存储单元，每单元为8位二进制位)两片完成字长的扩展。地址分配在：0～2047RAM由74LS6116随机存储器RAM(每片2048个存储单元，每单元为8位二进制位)两片完成字长的扩展。地址分配在：2048～4095。
静态存储器地址分配:
为访问2048个存储单元，要用11位地址，把地址总线的低11位地址送到每个存储器芯片的地址引脚;对地址总线的高位进行译码，译码信号送到各存储器芯片的/CS引脚，在按字寻址的存储器系统中实现按字节读写。 动态存储器的定期刷新：在不进行读写操作时，DRAM存储器的各单元处于断电状态，由于漏电的存在，保存在电容CS上的电荷会慢慢地漏掉，为此必须定时予以补充，称为刷新操作。
(1)动态存储器的组成：由单个MOS管来存储一位二进制信息。信息存储在MOS管的源极的寄生电容CS中。
写数据时：字线为高电平，T导通。
写“1”时，位线(数据线)为低电平，VDD(电源)将向电容充电
写“0时，位线(数据线)为高电平，若电容存储了电荷，则将会使电容完成放电，就表示存储了“0”。
读数据时：先使位线(数据线)变为高电平，当字线高电平到来时T导通，若电容原存储有电荷(是“1”)，则电容就要放电，就会使数据线电位由高变低;若电容没有存储电荷(是“0”)，则数据线电位不会变化。检测数据线上电位的变化就可以区分读出的数据是1还是0。
注意
①读操作使电容原存储的电荷丢失，因此是破坏性读出。为保持原记忆内容，必须在读操作后立刻跟随一次写入操作，称为预充电延迟。
②向动态存储器的存储单元提供地址，是先送行地址再送列地址。原因就是对动态存储器必须定时刷新(如2ms)，刷新不是按字处理，而是每次刷新一行，即为连接在同一行上所有存储单元的电容补充一次能量。
③在动态存储器的位线上读出信号很小，必须接读出放大器，通常用触发器线路实现。
④存储器芯片内部的行地址和列地址锁存器分先后接受行、列地址。
⑤RAS、CAS、WE、Din、Dout时序关系

⑺ 什么叫做静态存储器它依靠什么存储信息

静态存储器是在计算机的运行过程中不需要刷新的半导体存储器，一旦通电，就长期保存信息。它是依靠触发器的两个稳定状态来存储信息的。

http://www.sgrtvu.net.cn/jx_data/lg_data/czs/hbyy/xt1.htm
这里有基本答案````
把XT1改成XTX就可以看到相关的答案