存储器存取周期最短

㈠ 下列几种存储器中,存取周期最短的是

内存储器 内存直接和cpu传输，所有的数据得经过内存然后传到cpu，他慢了整体性能肯定跟不上，硬盘是外存储器，他的数据是经过南桥经内存到cpu处理，他在快也没内存快，就算他比内存快，内存慢了处理速度还是跟不上

㈡ 存储周期最短的存储器

存取周期最短的存储器是内存储器。存取周期是存储器进行一次完整的读/写操作所允许的最短时间间隔。存取周期越短，则存取速度越快。内存储器的速度最快，所以它的存取周期最短，其次是硬盘，最慢的是软盘。

内存是计算机中重要的部件之一，它是外存与CPU进行沟通的桥梁。计算机中所有程序的运行都是在内存中进行的，因此内存的性能对计算机的影响非常大。

内存(Memory)也被称为内存储器和主存储器，其作用是用于暂时存放CPU中的运算数据，以及与硬盘等外部存储器交换的数据。只要计算机在运行中，操作系统就会把需要运算的数据从内存调到CPU中进行运算，当运算完成后CPU再将结果传送出来，内存的运行也决定了计算机的稳定运行。 内存条是由内存芯片、电路板、金手指等部分组成的。

㈢ 下列存储器中，存取周期最短的是（） A：硬盘存储器 B：CD-ROM C：DRAM D：SRAM

SRAM。

SRAM主要用于二级高速缓存掘敬（Level2 Cache)。它利用晶体管来存储数据。与DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面积中SRAM的容量要比其他类型的内存小。

SRAM是静态存储方式，以双稳态电路作为存储单元，SRAM不像DRAM一样需要不断刷新，而且工作速度较快，但由于存储单元器件较多，集成度不太高，功耗也较大。

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SRAM可分为五大部分：存储单元阵列（core cells array），行/列地址译码器(decode），灵敏放大器(Sense Amplifier），控制电路（control circuit），缓冲/驱动电路（FFIO）判山慎。

存取周期为存储器的性能指标之一，直接影响电子计算机的技术性能。存储周期愈短，运算速度愈快，但对存储元件及工艺的要求也愈高。

例如磁芯存储器的存取周期为零点几到几个微秒。半导体存储器的存取周期通常在几十到几百毫微秒之间。那么半导体存储器的性能比磁芯存储器的性能要好。