三星存储芯片项目

❶ 首批三星A-Die存储芯片出货 带来更低成本的DDR4内存

内存市场又迎来新的“搅局者”，首批三星A-Die内存芯片确认开始出货。三星B-Die内存芯片被认为是硬件爱好者和超频玩家的圣杯。你可以想象，当有消息称三星正在退出其B-Die产品以主推该公司最近的A-Die存储芯片时，硬件社区的失望。 三星曾经在20纳米制造工艺上生产知名的B-Die存储芯片，而A-Die存储器则正在转向更新后的10nm制程。

不幸的是，A-Die的内存产品目前仍然非常稀缺。没有足够的样本来确定A-Die是否比其前身更好或更差。

三星A-Die DDR4模块的部件号为M378A4G43AB2-CVF，是一组容量为32GB的双排结构。A-Die的承诺之一是为每个模块提供更高的密度。三星模块的额定运行频率为2933 MHz，CL 21-21-21时序和1.2V工作电压。

MemoryCow是一家英国内存和存储零售商，它们率先以128.33英镑的价格上架了三星M378A4G43AB2-CVF模块（不含税价）。因此，我们可以预期该模块的成本约为157.77美元，这将是市场上最便宜的DDR4-2933 32GB模块。

❷ 三星宣布量产容量最大LPDDR5内存芯片：6400MHz、首次采用EUV工艺

今日（8月30日），三星电子宣布，其位于韩国平泽市的第二代产线，已经开始大规模量 产业内首批16Gb(2GB)容量的LPDD5内存芯片，并导入EUV极紫外光刻工艺 。

芯片基于三星第三代10nm级（1z）工艺打造，16Gb也达成了业内最高容量和最佳性能。

据悉， 该LPDDR5内存芯片的带宽速度为6400Mbp s（等价6400MHz），比现款12Gb LPDDR5-5500快了16%。在16GB的总容量下，允许一秒内传输10部5GB高清电影（51.2GB）。

三星还表示，得益于先进的1z nm EUV工艺， 单芯片比上代薄了30%。从封装上讲，10片就能凑成16GB容量 ，上一代1ynm则需要12片（单芯片12Gb）。如此以来节省的空间可以为5G手机创造更大的可能，比如更强的AP处理器、更大的电池、更充沛的天线布局等。

按照三星的预估，第一批搭载自家1z nm 16GB LPDDR5封装内存的旗舰机将在2021年批量上市，恐怕明年初的Galaxy S21/30上就能见到了。

❸ 三星与西部数据联手实现下一代存储技术标准化

三星与西部数据联手实现下一代存储技术标准化

三星与西部数据联手实现下一代存储技术标准化，三星方面表示，双方首先将致力于为分区存储解决方案打造一个充满活力的生态系统。三星与西部数据联手实现下一代存储技术标准化。

三星与西部数据联手实现下一代存储技术标准化1

3月30日，三星电子和西部数据宣布达成技术方面的合作，共同推动下一代存储技术的标准化。

据三星电子和西部数据官网显示，双方签署了一项独特的合作谅解备忘录（MOU），以标准化和推动下一代数据放置、处理和结构（D2PF）存储技术的广泛采用。两家公司将专注于为分区存储解决方案创建一个充满活力的生态系统。

这标志着三星和西部数据首次以技术领导者的身份走到一起，以建立广泛的一致性并激发对重要存储技术的认识。该合作伙伴关系专注于企业和云应用程序，预计将促进围绕 D2PF 技术（如 Zoned Storage）的技术标准化和软件开发的一系列合作。

引领分区存储技术标准化

据官网消息显示，两家公司已经启动了一项围绕分区存储设备的计划，包括 ZNS（分区命名空间）SSD 和 SMR（叠瓦式磁记录）HDD。通过 SNIA（存储网络行业协会）和 Linux 基金会等组织，三星和西部数据将为下一代分区存储技术定义高级模型和框架。

为了实现开放和可扩展的数据中心架构，他们成立了 Zoned Storage TWG（技术工作组），并于 2021 年 12 月获得 SNIA 的批准。该小组已经在定义和指定 Zoned Storage 设备的常见用例，如以及主机/设备架构和编程模型。

此外，预计此次合作将作为扩展基于区域（例如 ZNS、SMR）的设备接口以及具有增强数据放置和处理技术的下一代大容量存储设备的起点。在稍后阶段，这些计划将扩展到包括其他新兴的 D2PF 技术，例如计算存储和存储结构，包括 NVMe over Fabrics (NVMe-oF)。

西部数据闪存业务部执行副总裁兼总经理Rob Soderbery表示：“为了使技术生态系统取得成功，必须将整体框架和通用解决方案模型结合在一起，以免它们受到碎片化的影响，这会延迟采用并为软件堆栈开发人员增加不必要的复杂性。

多年来，Western Digital通过为Linux内核和开源软件社区做出贡献，为Zoned Storage生态系统奠定了基础。我们很高兴将这些贡献贡献给与三星的联合计划，以促进用户和应用程序开发人员更广泛地采用分区存储。”

三星电子执行副总裁、内存销售和营销主管Jinman Han则提到：“我们的合作将包括硬件和软件生态系统，以确保尽可能多的客户能够从这项非常重要的技术中获益。”

存储大厂合作渐成趋势

除了三星电子宣布和西部数据达成技术方面的合作以外，其他存储厂商近年来的合作也逐渐频繁，包括合作建厂、产品研发，甚至持续有并购意向的消息传出。

3月23日，有消息称日本闪存大厂铠侠将与西部数据联合在日本北部的工厂建立一座全新的闪存制造厂。该项目的投资可能达到1万亿日元（约合82.5亿美元）。

而在铠侠从东芝剥离之前，西部数据与东芝存储共同在日本投资了一家闪存制造厂，且合作延续至今。在产品研发方面，2021年2月西部数据与铠侠还共同推出了联合研发的第六代162层闪存技术，打造密度更高更先进的3D闪存技术。

除了合作以外，厂商之间也不乏并购意图。从去年开始，多家企业就被传出有意收购铠侠，其中包括西部数据和美光。不过至今没有明确的并购消息，而铠侠依旧寻求在日本上市 。

上游厂商持续加大合作甚至并购的原因，也是因为芯片市场近来在面对原材料价格上涨、物流中断、俄乌事件、供应危机等复杂市场环境中，销售成绩依旧亮眼。

据韩媒报道，综合券商预期，三星电子今年一季度销售额和营业利润有望分别达到75.2129万亿韩元（约合人民币3910.89亿韩元）、13.0089万亿韩元，同比增15.02%、38.64%。

三星电子销售额有望连续三个季度保持在70万亿韩元以上，三星电子销售额去年三季度首破这一水平线，达到73.98万亿韩元。受存储芯片价格下滑影响，今年一季度销售额环比将小幅缩减，但仍有望在70万亿韩元以上。

与此同时，SK海力士一季度销售额和营业利润或分别达到11.583万亿韩元、3.1399万亿韩元，同比增36.36%、137.08%。其中销售额将刷新往年同期纪录，首次突破10万亿韩元。

三星与西部数据联手实现下一代存储技术标准化2

今日，三星和西部数据宣布，双方已签署一份合作谅解备忘录（MOU），以实现下一代数据放置、处理和结构（D2PF）存储技术的标准化，并推动其广泛采用。

三星方面表示，双方首先将致力于为分区存储解决方案打造一个充满活力的生态系统。

了解到，双方已启动了一项关于分区存储设备的计划，包括ZNS（分区命名空间）SSD（固态硬盘）和SMR（叠瓦式磁记录）HDD（硬盘）。

据介绍，通过SNIA（存储网络行业协会）和Linux基金会等组织，三星和西部数据将为下一代分区存储技术定义高级模型和框架。双方成立了分区存储TWG（技术工作组），并于2021年12月获得了全球网络存储工业协会（SNIA）的批准。目前，技术小组正定义和指定分区存储设备的通用用例，以及主机/设备架构和编程模型。

三星指出，本次合作有望成为扩展基于分区（如ZNS、SMR）的设备接口，和具有增强数据放置和处理技术的.下一代大容量存储设备的起点。在此后阶段，合作计划将扩展至其他新兴的D2PF技术，如计算存储和存储结构（包括NVMe-oF）。

三星与西部数据联手实现下一代存储技术标准化3

三星和西部数据（Nasdaq: WDC）于今日宣布，双方已签署一份独特的合作谅解备忘录（MOU），以实现下一代数据放置、处理和结构（D2PF）存储技术的标准化，并推动其广泛采用。首先，双方将致力于为分区存储解决方案打造一个充满活力的生态系统。这样的举措能让行业催生出更多的应用，为客户创造更大的价值。

这标志着作为技术推动者的三星和西部数据，开展广泛合作，共同促进大众对重要存储技术的认识。以企业和云计算应用为重点，双方将围绕技术标准化和D2PF技术（如分区存储）的软件开发展开一系列合作。通过合作，终端用户可以相信，这些新兴的存储技术，会得到多个设备供应商以及垂直整合的硬件和软件企业的支持。

西部数据执行副总裁兼闪存业务总经理Rob Soderbery表示：“存储是用户和企业消费及使用数据的重要基础。为满足当下需求并放眼未来，我们必须创新、协作并在为生活带来新标准和架构方面与行业保持同步。

为了让技术生态系统获得成功，必须将整体框架和通用解决方案模型相结合，以避免受到碎片化的影响，因为碎片化会延迟采用，为软件堆栈开发人员增加不必要的复杂性。”

图片名称：西部数据Ultrastar DC ZN540 ZNS NVMe(TM) ZNS SSD

Soderbery补充道：“多年来，通过对Linux内核和开源软件社区的贡献，西部数据一直在为分区存储生态系统打基础。我们很高兴能将这些贡献带到与三星的此次合作中，推动用户和应用开发者广泛采用分区存储。”

三星电子执行副总裁兼内存销售与营销主管Jinman Han表示：“本次合作是我们为超越客户现在和未来的需求所做不懈努力的证明，同时也在我们预测它将积极发展成为分区存储标准化的更大基础方面具有特殊的意义。双方的合作将涵盖硬件和软件生态系统，以确保尽可能多的客户能从这项重要技术中获益。”

图片名称：三星半导体ZNS SSD

此外，本次合作有望成为扩展基于分区（如ZNS、SMR）的设备接口，和具有增强数据放置和处理技术的下一代大容量存储设备的起点。在此后阶段，合作计划将扩展至其他新兴的D2PF技术，如计算存储和存储结构（包括NVMe-oF）。

❹ 美国行动失效韩国三星首次在华发布5nm芯片，欲打入中企供应链

据新浪 财经 最新报道， 11月12日当天，韩国电子巨头三星正式面向中国市场发布了其 旗舰级芯片Exynos1080 。据悉，这款芯片制程 工艺 为 5nm 级别，也是三星首次选择在中国发布芯片产品。 日前三星已经与我国智能手机生产商vivo达成了合作意向，vivo旗下X60型号手机（未发布）将成为首发搭载该款芯片的新品。

报道指出，这款 芯片 还是三星专门针对中国市场设计的。按照三星的计划，该司已经打算凭借Exynos系列芯片（AP），进一步打入中国企业的智能手机零部件供应链。 11月3日当天，三星系统LSI 业务部正式宣布，2021年该司的Exynos系列芯片将供货我国智能手机生产商小米、OPPO和vivo。

曾几何时，三星智能手机销量曾在我国市场占据了数一数二的份额。但是自从2016年的爆炸门事件后，三星在华的地位便急转直下（仅剩下约1%的份额），到现在三星也很难在我国智能手机市场“翻身”。

不过，这家韩国巨头却迟迟不肯放弃，并试图重新“立足”中国。 其中，芯片、图像处理器等零部件就是三星的重要武器。当前，三星的芯片制程已经发展至5nm，代工水平全球第二，仅仅落后于台积电一家。

为了进一步抢占中国市场，三星还在去年12月宣布对我国西安追加80亿美元（折合约529亿元人民币）的投资，以促进NAND闪存芯片的生产。 日前，还有供应链消息人士曝出消息，三星打算在我国西安增设一座8英寸晶圆工厂。后来三星也对此事进行辟谣，称该司在西安主要投建的是高端存储芯片项目，相关消息不属实，目前公司并无相关建厂计划。

考虑到三星品牌的智能手机在中国的市场份额未能好转，而美国的干预又使得三星没法在芯片业务与华为维持原有的合作， 因此， 对于三星来说，通过向其他中企供应Exynos系列芯片（AP），也算是为自己 在 中国市场 实现“逆风翻盘”找到重要转机 。

此前，曾有分析师做出预测，因美国升级的禁令，包括三星、索尼等在内的零部件供应商每年有264亿美元（折合约1747亿元人民币）的业务将受到影响。眼下看来，在三星不舍得放弃中国市场的情况下，美国想要顺利实现自己的计划，恐怕也有一定难度。

文 |廖力思 题 |曾艺 图 |饶建宁 卢文祥 审 |陆烁宜

❺ 全球首款3nm芯片！三星放大招了

2020年漂亮国从芯片制造层面出发，对华为进行全面打压，使华为陷入芯片危机之中，核心业务智能手机遭遇重大挑战。 这时人们才发现虽然“中国制造”已经在世界舞台上大放异彩，中国也被称之为是“世界工厂”，但是在高端领域制造方面，与漂亮国等发达国家相比，仍然具有很大的差距。 不过幸运的是，当下无论是国家，还是企业都开始集中一切力量进行全面攻克。如果这次能够彻底沉下心来搞科研，那么中国芯工程将极具希望。自我国宣布全面攻克半导体制造技术以来，就捷报频传。

虽然中国芯好消息不断，但与先进工艺相比，仍然具有很大的差距。目前5nm工艺制程芯片已经成功量产，并成功应用到了各大智能手机中。 但是我国半导体行业中有着最强实力的中芯国际目前连7nm工艺尚未攻破，未来在芯片上的发展仍然任重而道远。 但就在刚刚过去不久的IEEE ISSCC国际固态电路大会上，三星成功引燃了全世界范围内的芯片之争。 在大会上，三星首发应用3nm工艺制造的SRAM存储芯片，将半导体工艺再度推上一个进程，台积电与其的纷争彻底点燃。 全球首款3nm芯片！三星放大招了，而这也给我国半导体研发工作带来了更大的压力。

3nm芯片！三星放大招了， 据悉，来自三星的3nm工艺SRAM存储芯片，其容量为256GB，面积仅为56平方毫米，性能提升30%，功耗降低50%，预计在2022年正式量产。台积电虽然没有首发3nm工艺芯片，不过就目前透露的消息来看，明年也将实现3nm芯片的量产。 半导体领域再上一个台阶。

就目前半导体领域知名公司而言，以高通、联发科、台积电、三星、英特尔以及华为等公司为例。 但是需要说明的是，高通、联发科和华为这些企业，其工艺主要体现在芯片设计上，但是在芯片制造上却有着极大的缺陷。 任正非曾经就明确表明，华为海思在芯片设计上，绝对处于世界领先位置。但是在制造方面，此前几乎没有涉及，从而陷入危机。

与华为不同的是，英特尔和三星不仅掌握了芯片设计工艺，更掌握了相应的先进芯片制造工艺，是全球IDM双杰。 而台积电的定位则是只聚焦于芯片加工方面，也就是只管制造，而不管设计，但这也是最重要的一环。 所以在芯片工艺上，真正的争论主要集中在英特尔、三星和台积电三家身上。 但就目前而言，英特尔在技术上已经明显落后，芯片制造先进工艺的争夺主要在三星和台积电两家。

在台积电尚未兴起之前，世界半导体发展主要在于英特尔和三星两家。 直至2010年之后，三星进军智能手机行业，与苹果产生直接冲突，苹果芯片订单转交给只从事芯片制造的台积电，从而使得全球半导体行业发生改变。 台积电自此以后，开始接到越来越多的订单，仅沉浸在制造上的它技术也突飞猛进，成为目前芯片制造技术最成熟的企业。。 只不过就2020年整体营收来看，英特尔为700多亿美元，增速3.7%；三星为560亿美元，增速7.7%；台积电为474亿美元，增速50%。

从营收来看，目前的台积电还是三家最少的存在，但从增速来看，却是最快的。那么也就说明，超越他们是迟早的事情 。更不要说英特尔当下还停留在7nm工艺水平，而三星和台积电已经相继成功量产5nm芯片，并且在3nm上展开争夺。

只不过就当下的5nm工艺芯片来看，三星的效果不如台积电所生产的5nm芯片。其发热、功耗等各种问题均比台积电更为严重。 台积电也顺利坐上了最强芯片制造厂商的宝座。不过从本次三星首发3nm芯片来看，它似乎先发夺人。

为了成功超越台积电芯片制造技术，三星于2019年启动了“半导体2030计划”。该计划中表明，未来10年内三星会投资133万亿韩元（大约7900亿人民币）用来发展半导体技术，其中以先进制程为规划重点，令自己成为全球最大的半导体公司，防止台积电赶超自己。那么就当下来看，三星有机会在明年实现技术上的称霸，从而完成目标吗？

我们前面提过，虽然本次三星首发了3nm工艺芯片，但台积电在技术上也已经获得了重大突破，同样在2022年可以实现量产。 而台积电之所以没有发布相关工艺芯片，可能是因为相关设计公司尚未提供方案，也有可能是台积电聚焦的是技术要求更高的中央处理器，这也是它所擅长的地方。所以三星是否能够在技术上超越台积电，当下还不好说。

但是根据当下透露出的消息来看，三星在3nm工艺芯片上采用了全新的晶体管技术，利用GAA技术来解决此前在5nm工艺遇到的发热、功耗过大等一系列问题。而台积电在3nm上则是继续应用传统的FinFET工艺。 两者相较而言的话，GAAFET技术在排列上更为紧密，可容纳的晶体管数量更多，因此相应的芯片面积会进一步缩小，加上其对跨通道电流更为精准的控制，进而有望实现技术上的领先。当然了，新技术也缺乏相应的经验，成熟度不够可能导致良品率下降。

同时从规模上来看的话，三星应该可以继续保持自己的领先地位。台积电的产能毕竟有限，而且属于代工，与三星的IDM有着本质区别。并且就目前的消息来看，仅苹果一家的订单，就占据了台积电四分之一的5nm产能。而3nm作为更高级的工艺，虽然会实现量产，但产能也会随之下降，苹果将会占据更多。那么也就意味着三星有更多的机会超越。

当然了，归根到底主要还是在于技术如何。要知道，当下的5nm工艺虽然台积电的表现要优于三星，但总体评价不是很好存在极大的弊端。升级后的3nm究竟能否达到人们预期的水平，令所有人期待。 同时，也告诫我国，必须进一步加快半导体技术的研发攻克，决不能因为获得了一些成就便洋洋自得，距离真正的突破还有相当长的一段距离，还有许多困难等待着我们的攻克。