⑴ 什么叫存储芯片
◆存储芯片（IC）的分类：
内存储器按存储信息的功能可分为随机存储器RAM(RandomAccess Memory)和只读存储器ROM(Read Only Memory)。 ROM中的信息只能被读出，而不能被操作者修改或删除，故一般用来存放固定的程序，如微机的管理、监控程序，汇编程序，以及存放各种表格等。
还有一种叫做可改写的只读存储器EPROM(ErasaNe Pr。Brsmmable ROM)，和一般的RoM的不同点在于它可以用特殊装置摈除和重写它的内容，一般用于软件的开发过程。
RAM就是我们常说的内存，它主要用来存放各种现场的输入、输出数据，中间计算结果，以及与外存交换信息和作堆栈用。它的存储单元的内容按需要既可以读出，也可以写入或改写。
由于RAM由电子器件组成，只能暂时存放正在运行的数据和程序，一旦关闭电源或掉电，其中的数据就会消失。RAM现在多为Mos型半导体电路，它分为静态和动态两种。
静态RAM是靠双稳态触发器来记忆信息的；动态RAM是靠Mos电路中的栅极电容来记忆信息的。由于电容上电荷会泄漏，需要定时给予补充，所以动态RAM要设置刷新电路，但它比静态RAM集成度高、功耗低，从而成本也低，适于作大容量存储器。所以主内存通常采用动态RAM，而高速缓冲存储器(Cache)则使用静态RAM。
●存储IC的特点，具有体积小，重量轻，引出线和焊接点少，寿命长，可靠性高，性能好等优点，同时成本低，便于大规模生产。
⑵ 存储颗粒由什么制成又为什么能存储数据
大家所说的“存储颗粒“又叫做”内存颗粒“其实这是港台地区对内存芯片的一种称呼（仅对内存），其他的芯片，港台则称为“晶片”，两者的意思是一样的，至于大家怎么称呼，看个人习惯了。
“存储颗粒”基本上是硅制品。通过通电断电储存二进制进行记忆的。主要的技术数据是封装技术。
粒封装其实就是内存芯片所采用的封装技术类型，封装就是将内存芯片包裹起来，以避免芯片与外界接触，防止外界对芯片的损害。空气中的杂质和不良气体，乃至水蒸气都会腐蚀芯片上的精密电路，进而造成电学性能下降。不同的封装技术在制造工序和工艺方面差异很大，封装后对内存芯片自身性能的发挥也起到至关重要的作用。
关于颗粒容量
例：samsungk4h280838b-tcb0
主要含义：
第1位——芯片功能k，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表dram。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，s代表sdram、h代表ddr、g代表sgram。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6a代表64mbit的容量；28、27、2a代表128mbit的容量；56、55、57、5a代表256mbit的容量；51代表512mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7b为7.5ns(cl=3)；7c为7.5ns(cl=2)；80为8ns；10为10ns(66mhz)。
⑶ 芯片是如何存储程序的
芯片是采用以下工作原理来存储程序的：
芯片是一种集成电路，由大量的晶体管构成。不同的芯片有不同的集成规模，大到几亿；小到几十、几百个晶体管。
晶体管有两种状态，开和关，用 1、0 来表示。
多个晶体管产生的多个1与0的信号，这些信号被设定成特定的功能（即指令和数据），来表示或处理字母、数字、颜色和图形等。
芯片加电以后，首先产生一个启动指令，来启动芯片，以后就不断接受新指令和数据，来完成功能。
⑷ 芯片存储数据的原理是什么
1、 sram 里面的单位是若干个开关组成一个触发器, 形成可以稳定存储 0, 1 信号, 同时可以通过时序和输入信号改变存储的值。
2、dram, 主要是根据电容上的电量, 电量大时, 电压高表示1, 反之表示0
芯片就是有大量的这些单元组成的, 所以能存储数据。
所谓程序其实就是数据. 电路从存储芯片读数据进来, 根据电路的时序还有电路的逻辑运算, 可以修改其他存储单元的数据
⑸ 硅芯片存储数据的原理是什么
硅芯片存储数据的原理是sram里面的单位是若干个开关组成一个触发器，形成可以稳定存储0, 1信号，同时可以通过时序和输入信号改变存储的值。dram,主要是根据电容上的电量，电量大时，电压高表示1反之表示0芯片就是有大量的这些单元组成的，所以能存储数据。
硅材料具有耐高温和抗辐射性能较好，特别适宜制作大功率器件的特性而成为应用最多的一种半导体材料，集成电路半导体器件大多数是用硅材料制造的。硅在室温的化学性质很稳定，且现在的硅片加工工艺，很容易制备大尺寸平整度在纳米级水平的硅片，使得该方法有望用于信息存储技术。
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单晶硅：熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。单晶硅具有准金属的物理性质，有较弱的导电性，其电导率随温度的升高而增加，有显着的半导电性。
超纯的单晶硅是本征半导体。在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA族元素，如硼可提高其导电的程度，而形成p型硅半导体；如掺入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可提高导电程度，形成n型硅半导体。
以上内容参考：网络-硅晶片
⑹ 芯片是如何储存信息的
芯片储存信息的原理如下：
对动态存储器进行写入操作时，行地址首先将RAS锁存于芯片中，然后列地址将CAS锁存于芯片中，WE有效，写入数据，则写入的数据被存储于指定的单元中。
对动态存储器进行读出操作时，CPU首先输出RAS锁存信号，获得数据存储单元的行地址，然后输出CAS锁存信号，获得数据存储单元的列地址，保持WE=1，便可将已知行列地址的存储单元中数据读取出来。
(6)芯片为什么能有存储功能扩展阅读
主存储器的两个重要技术指标：
读写速度：常常用存储周期来度量，存储周期是连续启动两次独立的存储器操作（如读操作）所必需的时间间隔。
存储容量：通常用构成存储器的字节数或字数来计量。
地址总线用于选择主存储器的一个存储单元，若地址总线的位数k，则最大可寻址空间为2k。如k=20,可访问1MB的存储单元。数据总线用于在计算机各功能部件之间传送数据。控制总线用于指明总线的工作周期和本次输入/输出完成的时刻。
主存储器分类：
按信息保存的长短分：ROM与RAM。
按生产工艺分：静态存储器与动态存储器。
静态存储器（SRAM）：读写速度快，生产成本高，多用于容量较小的高速缓冲存储器。动态存储器（DRAM）：读写速度较慢，集成度高，生产成本低，多用于容量较大的主存储器。
