闪存存储器属于哪一类

❶ 什么是闪存存储

闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，闪存与EEPROM不同的是，EEPROM能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，而闪存的大部分芯片需要块擦除。由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS（基本程序）、PDA（个人数字助理）、数码相机中保存资料等。
U盘，内存卡都是闪存存储！

❷ 存储器可分为哪三类

存储器不仅可以分为三类。因为按照不同的划分方法，存储器可分为不同种类。常见的分类方法如下。

一、按存储介质划分

1. 半导体存储器：用半导体器件组成的存储器。

2. 磁表面存储器：用磁性材料做成的存储器。

二、按存储方式划分

1. 随机存储器：任何存储单元的内容都能被随机存取，且存取时间和存储单元的物理位置无关。

2. 顺序存储器：只能按某种顺序来存取，存取时间和存储单元的物理位置有关。

三、按读写功能划分

1. 只读存储器(ROM)：存储的内容是固定不变的，只能读出而不能写入的半导体存储器。

2. 随机读写存储器(RAM)：既能读出又能写入的存储器。

二、选用各种存储器，一般遵循的选择如下：

1、内部存储器与外部存储器

一般而言，内部存储器的性价比最高但灵活性最低，因此用户必须确定对存储的需求将来是否会增长，以及是否有某种途径可以升级到代码空间更大的微控制器。基于成本考虑，用户通常选择能满足应用要求的存储器容量最小的微控制器。

2、引导存储器

在较大的微控制器系统或基于处理器的系统中，用户可以利用引导代码进行初始化。应用本身通常决定了是否需要引导代码，以及是否需要专门的引导存储器。

3、配置存储器

对于现场可编程门阵列(FPGA）或片上系统(SoC)，可以使用存储器来存储配置信息。这种存储器必须是非易失性EPROM、EEPROM或闪存。大多数情况下，FPGA采用SPI接口，但一些较老的器件仍采用FPGA串行接口。

4、程序存储器

所有带处理器的系统都采用程序存储器，但是用户必须决定这个存储器是位于处理器内部还是外部。在做出了这个决策之后，用户才能进一步确定存储器的容量和类型。

5、数据存储器

与程序存储器类似，数据存储器可以位于微控制器内部，或者是外部器件，但这两种情况存在一些差别。有时微控制器内部包含SRAM(易失性)和EEPROM(非易失)两种数据存储器，但有时不包含内部EEPROM，在这种情况下，当需要存储大量数据时，用户可以选择外部的串行EEPROM或串行闪存器件。

6、易失性和非易失性存储器

存储器可分成易失性存储器或者非易失性存储器，前者在断电后将丢失数据，而后者在断电后仍可保持数据。用户有时将易失性存储器与后备电池一起使用，使其表现犹如非易失性器件，但这可能比简单地使用非易失性存储器更加昂贵。

7、串行存储器和并行存储器

对于较大的应用系统，微控制器通常没有足够大的内部存储器。这时必须使用外部存储器，因为外部寻址总线通常是并行的，外部的程序存储器和数据存储器也将是并行的。

8、EEPROM与闪存

存储器技术的成熟使得RAM和ROM之间的界限变得很模糊，如今有一些类型的存储器（比如EEPROM和闪存）组合了两者的特性。这些器件像RAM一样进行读写，并像ROM一样在断电时保持数据，它们都可电擦除且可编程，但各自有它们优缺点。

参考资料来源：网络——存储器

❸ 闪存类型是什么意思是不是还有EMMC

根据闪存颗粒中单元存储密度的差异，闪存又分为SLC、MLC及TLC三种类型，TLC其实只是一个形容词，我们所说的TLC指的是TLC闪存，而其中的TLC指的是Triple Level Cell，直接翻译过来叫做3阶单元，比较通俗的意思就是“一个单元可以存储3个信息”，相对应的MLC芯片为“一个单元可以存储2个信息”，SLC芯片则为“一个单元可以存储1个信息”。SLC、MLC、TLC三种闪存的MOSFET是完全一样的，区别在于如何对单元进行编程。SLC要么编程，要么不编程，状态只能是0、1。MLC每个单元存储俩比特，状态就有四种00、01、10、11，电压状态对应也有四种。TLC每个单元三个比特，状态就有八种了(000、001、010、100、011、101、110、111)。对于普通用户来讲SLC、MLC及TLC的区别就是寿命不同，SLC的读写寿命大概在10000次左右，MLC的读写寿命大概在3000次左右，TLC的读写寿命大概在1000次左右。当然价格也有很大区别的。而eMMC是在封装中集成了一个控制器+FLASH,中文翻译嵌入式多媒体卡，而我们说的SLC、MLC及TLC是指闪存的制程技术，完全说的不是一回事儿。国内做eMMC的品牌也挺多的，比如说TOPDISK,可以网络了解一下。

❹ 闪存是什么

闪存卡（Flash Card）是利用“闪存技术”达到存储电子信息的存储器，一般应用在 数码相机，掌上电脑，MP3等小型数码产品中作为存储介质，所以样子小巧有如一张卡片， 所以称之为闪存卡。根据不同的生产厂商和不同的应用，闪存卡大概有:
SmartMedia（SM卡）
Compact Flash（CF卡）
MultiMediaCard（MMC卡）
Secure Digital（SD卡）
MemoryStick（记忆棒）
XD-Picture Card（XD卡）
微硬盘（MICRODRIVE）
这些闪存卡虽然外观、规格不同，但是技术原理都是相同的

闪存是基于USB接口和FlashMemo■ry闪存芯片存储介质、无需驱动器的存储器，具有无驱动、速度快、体积小、兼容性好、携带方便、容量大、寿命长等优点。

闪存以普及的USB接口作为与计算机沟通的桥梁，并且最高可达到2GB的储存空间。即插即用的功能使得计算机可以自动侦测到此装置，使用者只需将它插入计算机USB接口就可以使用，就像一般抽取式磁盘装置，读写档案、复制及删除方法与一般操作方式完全相同。

目前流行的迷你移动存储产品几乎都是以闪存作为存储介质。闪存作为一种非挥发性（简单说就是在不加电的情况下数据也不会丢失，区别于目前常用的计算机内存）的半导体存储芯片，具有体积小、功耗低、不易受物理破坏的优点，是移动数码产品的理想存储介质。随着价格的不断下降以及容量、密度的不断提高，闪存开始向通用化的移动存储产品发展。
闪存有许多种类型，从结构上分主要有AND、NAND、NOR、DiNOR等，其中NAND和NOR是目前最为常见的类型。NOR型闪存是目前大家接触得最多的闪存，它在存储格式和读写方式上都与大家常用的内存相近，支持随机读写，具有较高的速度，这也使其非常适合存储程序及相关数据，手机就是它的用武之地。但是NOR型的最大缺点就是容量小，Intel最近才发布了采用0.13μm工艺生产的64Mb芯片。与NOR型相比，NAND型闪存的优点就是容量大，在去年512Mb的芯片就不是稀罕事了。但是，NAND型的速度比较慢，因为它的I/O端口只有8个，比NOR型的少多了。区区8个端口需要完成地址和数据的传输就得让这些信号轮流传送，很显然，这种时候串行传输比NOR型、内存等芯片的并行传输慢许多。但是，NAND型的存储和传输是以页和块为单位的（一页包含若干字节，若干页组成块），相对适合大数据的连续传输，这样也可以部分弥补串行传输的不利。因此，NAND型闪存最适合的工作就是保存大容量的数据，作为电子硬盘、移动存储介质等使用。

为了在各种设备上使用，闪存必须通过各种接口与设备连接：与电脑连接最常用的接口有USB、PCMCIA等；与数码设备连接则有专用的接口和外形规范，如CF、SM、MMC、SD、Memory Stick等，其中应用面最广、扩展能力较强的是CF和Memory Stick。

❺ 闪存是内存还是外存

是外存。
目前内存用的存储器基本都是断电后信息立刻丢失的存储器，包括DDR2
和DDR3以及老的DDR存储器都是这样。这也就是为什么你正在并神老打字，电脑断电后你所有的字都白打了。
而闪存的信息不会因断电而消失，也称为非易失性存储器，所以，你U盘中的信息可以长久保存而不需要让它一天到晚插着电。
科研人员非常绝升想把类似闪存那样的非易失性存储器用到电脑的内存里去，这样的话，计算机就会变得更加容易操作，比如：可以随时关机，瞬间开机，就像一台电视机一样瞎闷。但是，目前所有的非易失性存储器（包括闪存），相对于当前常用的内存来说，速度非常慢，所以，目前还没有出现将闪存当内存的计算机，不过，倒是有将闪存做成硬盘的，那个就是固态盘。

❻ 列出计算机可使用的几种不同类型的内存

计算机可使用的不同类型的内存包括：

• 随机存取存储器(RAM)：RAM是计算机系统中最常用的内存类型之一，它是一种易失性内存，存储数据后，如果断电，数据将会丢失。RAM分为动态RAM和静态RAM，其中动态RAM价格便宜但速度腊裂慢，静态RAM则价格昂贵但速度更快。

• 只读存储器(ROM)：ROM是一种只能读取，不能修改的内存类型，通常用于存储计算机启动程序和其他固化的系统数据。

• 闪存存储器：闪存存储器是一种非易失性存储器，用于存储数据，类似于RAM，但可以长期保存数据。常见的应用包括存储操作系统散绝、应用程序和用户数据等。

• 缓存存储器：缓存存储器是一种高速缓存存储器，用于临时存储处理器需要频繁访问的数据。缓存存储器可以显着提高计算机系统的性能和速度。

• 虚拟内存：虚冲局姿拟内存是计算机系统中的一种技术，它将硬盘空间用作内存扩展，以增加计算机的可用内存。虚拟内存在计算机系统中起到至关重要的作用，因为它可以使大型应用程序能够在计算机系统中运行，而不会因为内存不足而崩溃。

❼ 存储器的类型

根据存储材料的性能及使用方法的不同，存储器有几种不同的分类方法。1、按存储介质分类：半导体存储器：用半导体器件组成的存储器。磁表面存储器：用磁性材料做成的存储器。
下面我们就来了解一下存储器的相关知识。
存储器大体分为两大类，一类是掉电后存储信息就会丢失，另一类是掉电后存储信息依然保留，前者专业术语称之为“易失性存储器”，后者称之为“非易失性存储器”。

1 RAM

易失性存储器的代表就是RAM（随机存储器），RAM又分SRAM（静态随机存储器）和DRAM（动态随机存储器）。

SRAM
SRAM保存数据是靠晶体管锁存的，SRAM的工艺复杂，生产成本高，但SRAM速度较快，所以一般被用作Cashe，作为CPU和内存之间通信的桥梁，例如处理器中的一级缓存L1 Cashe, 二级缓存L2 Cashe，由于工艺特点，SRAM的集成度不是很高，所以一般都做不大，所以缓存一般也都比较小。

DRAM
DRAM（动态随机存储器）保存数据靠电容充电来维持，DRAM的应用比SRAM更普遍，电脑里面用的内存条就是DRAM，随着技术的发展DRAM又发展为SDRAM（同步动态随机存储器）DDR SDRAM（双倍速率同步动态随机存储器），SDRAM只在时钟的上升沿表示一个数据，而DDR SDRAM能在上升沿和下降沿都表示一个数据。
DDR又发展为DDR2,DDR3,DDR4，在此基础上为了适应移动设备低功耗的要求，又发展出LPDDR(Low Power Double Data Rate SDRAM)，对应DDR技术的发展分别又有了LPDDR2, LPDDR3, LPDDR4。

目前手机中运行内存应用最多的就是 LPDDR3和LPDDR4，主流配置为3G或4G容量，如果达到6G或以上，就属于高端产品。

2 ROM

ROM(Read Only Memory)在以前就指的是只读存储器，这种存储器只能读取它里面的数据无法向里面写数据。所以这种存储器就是厂家造好了写入数据，后面不能再次修改，常见的应用就是电脑里的BIOS。
后来，随着技术的发展，ROM也可以写数据，但是名字保留了下来。
ROM中比较常见的是EPROM和EEPROM。

EPROM
EPROM(Easerable Programable ROM)是一种具有可擦除功能，擦除后即可进行再编程的ROM内存，写入前必须先把里面的内容用紫外线照射IC上的透明视窗的方式来清除掉。这一类芯片比较容易识别，其封装中包含有“石英玻璃窗”，一个编程后的EPROM芯片的“玻璃窗”一般使用黑色不干胶纸盖住， 以防止遭到紫外线照射。

EPROM (Easerable Programable ROM)

EPROM存储器就可以多次擦除然后多次写入了。但是要在特定环境紫外线下擦除，所以这种存储器也不方便写入。

EEPROM
EEPROM(Eelectrically Easerable Programable ROM)，电可擦除ROM，现在使用的比较多，因为只要有电就可擦除数据，再重新写入数据，在使用的时候可频繁地反复编程。

FLASH
FLASH ROM也是一种可以反复写入和读取的存储器，也叫闪存，FLASH是EEPROM的变种，与EEPROM不同的是，EEPROM能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，而FLASH的大部分芯片需要块擦除。和EEPROM相比，FLASH的存储容量更大。
FLASH目前应用非常广泛，U盘、CF卡、SM卡、SD/MMC卡、记忆棒、XD卡、MS卡、TF卡等等都属于FLASH，SSD固态硬盘也属于FLASH。

NOR FLAHS & NAND FLASH
Flash又分为Nor Flash和Nand Flash。
Intel于1988年首先开发出Nor Flash 技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面；随后，1989年，东芝公司发表了Nand Flash 结构，强调降低每比特的成本，有更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。
Nor Flash与Nand Flash不同，Nor Flash更像内存，有独立的地址线和数据线，但价格比较贵，容量比较小；而Nand Flash更像硬盘，地址线和数据线是共用的I/O线，类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一样，而且Nand Flash与Nor Flash相比，成本要低一些，而容量大得多。

如果闪存只是用来存储少量的代码，这时Nor Flash更适合一些。而Nand Flash则是大量数据存储的理想解决方案。
因此，Nor Flash型闪存比较适合频繁随机读写的场合，通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行，Nand Flash型闪存主要用来存储资料，我们常用的闪存产品，如U盘、存储卡都是用Nand Flash型闪存。
在Nor Flash上运行代码不需要任何的软件支持，在Nand Flash上进行同样操作时，通常需要驱动程序。

目前手机中的机身内存容量都比较大，主流配置已经有32G~128G存储空间，用的通常就是Nand Flash，另外手机的外置扩展存储卡也是Nand Flash。

❽ 闪存、U盘、移动硬盘的区别是什么

区别和联系如下：橡梁x0dx0ax0dx0a1、闪存是半导体存储器，硬盘是磁盘存储器，功能上一样，都是存储，介质不同。x0dx0a2、闪存一般不毁山是单独存在的，需要做成独立的盘，比如U盘就是闪存盘，是由主控+闪存组成的，固态硬盘也是闪存盘，和U盘的基本构成一样。x0dx0a3、闪存是一种介质，不能独立使用。而U盘和移动硬盘是可以独立使用的。x0dx0a4、U盘的速度一般比移动硬盘慢，但有些高档U盘或顶级U盘，纤如中比机械的移动硬盘快得多。

❾ 内存和闪存的区别是什么

1、性质不同

闪存扒尺，一种电子式可清除程序化只读存储器的形式，允许在操作中被多次擦或写的存储器。内存为计算机中重要的部件之一，它是外存与CPU进行沟通的桥梁。计算机中所有程序的运行都是在内存中进行的，因此内存的性能对计算机的影响非常大。

2、作用不同

内存(Memory)也被称为内存储器和主存储器，用于暂时存放CPU中的运算数据，以及与硬盘等外部存储器交换的数据。只要计算机在运行中，CPU就会把需要运算的数据调到内存中进行运算，当运算完成后CPU再将结果传送出来，内存的运行也决定了计算机的稳定运行。

闪存主要用于一般性数据存储，以及在计算机与其他数字产品间交换传输数据，如储存卡与U盘。闪存是一种特殊的、以宏块抹写的EPROM。

3、特点不同

内存一般采用半导体存储单元，包括随机存储器（RAM），只读存储器（ROM），以及高速缓存（CACHE）。只不过因为RAM是其中最重要的存储器。（synchronous）SDRAM同步动态随机存取存储器：SDRAM为168脚，这是目前PENTIUM及以上机型使用的内存。

SDRAM将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起，使CPU和RAM能够共享一个时钟周期，以相同的速度同步工逗腔作，每一个时钟脉冲的上升沿便开始传递数据，速度比EDO内存提高50%。

DDR（DOUBLE DATA RATE）RAM ：SDRAM的更新换代产品，他允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据，这样不需要提高时钟的频率就能加倍提高SDRAM的速度。

闪存盘可用来在电脑之间交换数据。从容量上讲，闪存盘的容量从16MB到64GB可选，突破了软驱1.44MB的局限性。从读写速度上讲，闪存盘采用USB接口，读写速度比软盘高许多。从稳定性上讲，闪存盘没有机械读写装置，避免了移动硬盘容易碰伤、跌落等原因造成的损山此衫坏。

部分款式闪存盘具有加密等功能，令用户使用更具个性化。闪存盘外形小巧，更易于携带。且采用支持热插拔的USB接口，使用非常方便。