存储器存取周期

㈠ 存储周期是指

存储周期：连续启动两次操作所需间隔的最小时间

体现主存的速度 （纳秒ns）

存储器的两个基本操作为读出与写入，是指将信息在存储单元与存储寄存器(MDR)之间进行读写。存储器从接收读出命令到被读出信息稳定在MDR的输出端为止的时间间隔，称为取数时间TA；两次独立的存取操作之间所需的最短时间称为存储周期TMC。内存的存取周期一般为60ns-120ns。单位以纳秒（ns）度量，换算关系1ns=10-3ms=10-6s，常见的有60ns、70ns、80ns、120ns等几种，相应在内存条上标为-6、-7、-8、-120等字样。这个数值越小，存取速度越快，但价格也便随之上升。在选配内存时，应尽量挑选与CPU系统总线时钟周期相匹配的内存条

存储周期，通常用访问周期T（又称存取周期、存取时间等）表示。

存储系统的存储周期与命中率H的关系非常大。

命中率：可以简单地定义为在M1存储器中访问到的概率，它一般用模拟实验的方法得到。选择一组有代表性的程序，在程序执行过程中分别统计对M1存储器的访问次数N1和对M2存储器的访问次数N2，然后代入下面的（3－1）关系式计算。

·······（3－1）

整个存储系统的访问周期可以用M1和M2两个存储器的访问周期T1，T2和命中率H来表示：

T＝H·T1＋(1－H)·T2 （3－2）

当命中率H→1时，T→T1，即存储系统的访问周期T接近于速度比较快的M1存储器的访问周期T1。

㈡ 主存的存取周期通常大于存取时间，为什么

因为存储器取完数据会刷新恢复数据，存取周期比存取时间多了一个恢复时间，所以存取周期大于存取时间（DRAM的三种刷新方式）

㈢ 存储器的存取周期是指()，通常存取周期大于存储器的读出时间。

【答案】：C
读周期是圆笑戚指对芯片进行两次连续读操作的最小间隔时间，写周期是指对芯片进橘陵行连续两次写操升和作的最小间隔时间。存取周期是指对芯片进行连续两次读写操作的最小间隔时间。

㈣ 存储器周期（Memory Cycle）

主存储器（ Main memory ）是一种读/写存储器（ read/write memory ），它允许以所谓的（ in what is known as ）存储周期来检索(读取)（ retrieved (read) ）和存储(写入)（ stored (written) ）数据。

存储器周期（ The memory cycle ）包括通过读/写操作或通过单独的读和写操作（ by separate read and write operations. ）从存储器中读出数据和/或将数据写到存储器中（ reading the data out of memory and/or writing the data into memory ）。

存储器周期基于用于从存储器读取数据和/或将数据写入存储器（ reading and/or writing data from and into memory ）的固定（恒定）时间段（ fixed (constant) time periods ）。

一旦（ As soon as ）启动（哗渣裤 initiated ）读和/或写操作，几乎同时发生地址转换（ address translation occurs ），然后开始（ begin ）一个或多个读和/或写周期。

在读或写周期开始之前必须发生的最重要的过程之一是内存地址转换（乱简 memory address translation ）。

将内存视为从 地址 0 开始到请求者（ CPU or IO(C) ）可用的最大内存地址的一系列内存位置。

接收或发送邮件使用类似的概念（ uses a similar concept ）。在接收或发送邮件之前，信封（ envelope ）上必须有地址。

内存使用相同的原理（ uses the same principle ）。
存储器逻辑（ Memory logic ）标识要从存储器中读取或写入存储器字（ a memory word ）的存储器地址。存储器地址可以是整个存储器地址范围（ 0 到最大值 ）中的任何一个。

为了识别期望的存储器地址，存储器逻辑使用被指定为地址寄存器（ the address register ）的寄存器和/或翻译器或解码器（ translators or decoders ）。

存储器逻辑从 CPU 或 I/O 接收逻辑地址（ logical address ），并将其临时存储在地址寄存器（ the address register ）中，然后将其转换为可以读取或写入的物理地址（ physical address ）。

地址寄存器和/或转换器（ The address register and/or translator ）识别（ identifies ）从中读取或写入位的确切位置（ the exact location ）。

地址寄存器或转换器的内容标识存储器地址（ the memory address ）。

存储器逻辑旨在（ is designed to ）根据其使用的存储器类型（ type of memory ）进行选择。

它可以被设计为识别单个存储器 pcb （ a single memory pcb ）的存储器地址，或者可以被设计为识别位于四个或更多存储器模块之一（ one of four or more memory moles ）中的地址。

如存储器的体系结构中所述（ As stated in the architecture of memory ），包含在存储器地址中的字（ the word ）可以是一个或多个位（ one or more bits ），大多数计算机具有的字至少具有8位，某些字的长度最多为128位。

从内存读取和/或写入的变体（ variations ）可以包括字的上半部分或下半部分（ include the upper or lower half of the word ），或给定计算机设计范围内（ within the design of a given computer ）的任何其他变体。根据指令类型梁冲（ instruction types ）和程序的不同而不同。

同样，如果将一台计算机标识为 8 位计算机 （ an 8-bit computer ），并且读或写操作需要 16 位字 （ a 16-bit word is required for a read or write operation ），则必须使用两个连续的内存地址（ two consecutive memory addresses ）来完成该操作（ to complete the operation ）。

还有许多其他变体。您计算机的指令集（ the instruction repertoire set of your computer ）和技术手册（ the technical manual ）将提供有关计算机内存操作和限制的详细信息（ details of your computer’s memory operations and limitations ）。

这是内存地址转换（ memory address translation ）的两个示例（ two examples ）。

对于第一个示例，请参考图 6-6。
它显示一个 4 位的存储器地址（ it shows a 4-bit memory address ）。
内存地址寄存器或转换器（ The memory address register or translator ）包含16 ₈ ，如下所示：

㈤ 在计算机中什么是内存存取时间和存储周期

存取时间，指的是CPU读或写内存内数据的过程时间。

以读取为例，从CPU发出指令给内存时，便会要求内存取用特定地址的数据，内存响应CPU后便会将CPU所需要的数据送给CPU，一直到CPU收到数据为止，便成为一个读取的流程。

存储周期：连续启动两次读或写操作所需间隔的最小时间

内存的存取周期一般为60ns-120ns。单位以纳秒（ns）度量，换算关系1ns=10-6ms=10-9s，常见的有60ns、70ns、80ns、120ns等几种，相应在内存条上标为-6、-7、-8、-120等字样。这个数值越小，存取速度越快。

(5)存储器存取周期扩展阅读

存储器的两个基本操作为“读出”与“写入”，是指将存储单元与存储寄存器(MDR)之间进行读写。存储器从接收读出命令到被读出信息稳定在MDR的输出端为止的时间间隔，称为“取数时间TA”。两次独立的存取操作之间所需最短时间称为“存储周期TMC”。半导体存储器的存取周期一般为6ns～10ns。

其中存储单元(memory location)简称“单元”。为存储器中存储一机器字或一字节的空间位置。一个存储器划分为若干存储单元，并按一定顺序编号，称为“地址”。如一存储单元存放一有独立意义的代码。即存放作为一个整体来处理或运算的一组数字，则称为“字”。

字的长度，即字所包含的位数，称为“字长”。如以字节来划分存储单元，则一机器字常须存放在几个存储单元中。存储单元中的内容一经写入，虽经反复使用，仍保持不变。如须写入新内容，则原内容被“冲掉”，而变成新写入的内容。

㈥ 存取器的存取周期是什么

存储器存取时间（memory access time）又称存储器访问时间，是指从启动一次存储器操作到完成该操作所经历的时间。 主存储器得主要性能指标为主存容量﹑存储器存取时间和存储周期时间。存储器的速度一般用存储器存取时间和存储周期来表示。
具体来说，存取时间就是：从存储器接收到读（或写）的命令，到从存储器读出（或写入）信息所需要的时间，称为存储器存取时间。
存取时间的取决于存储介质的物理特性和访问机构的类型。

㈦ 计算机的存取周期是什么

存取周期：存贮器连续二次独立的“读”或“写”操作所需的最短时间，单位来纳秒（ns,1ns=10-9s）。存储器完成一次“读”或“写”操作所需的时间称为存储器的访问时间（或读写时间）。

㈧ 什么是存储器的存取时间什么是存取周期两者之间有什么区别

存取时间是每次向内存写入（读出）数据到完成所需要的所有时间，如写入时间是指从存储器接收到数据到写入被选中位置所需要的时间 读出同理
存取周期是值 存储器进行连续两次独立的读（写）操作所需要的最小时间间隔，
通常存取周期大于存取时间

㈨ 存取时间与存取周期的区别存储器带宽的含义是什么

存储器带宽的含义是指单位时间里存储器所存取的信息量。

一、主体不同

1、存取时间：是CPU读或写内存内数据的过孙雹程时间。

2、存取周期：连续启动帆凯空两次独立的“读”或“写”操作（如连续的两次“读”操作）所需的最短时间。

二、原理不同

1、存取时间：从CPU发出指令给内存时，态瞎便会要求内存取用特定地址的数据，内存响应CPU后便会将CPU所需要的数据送给CPU，一直到CPU收到数据为止，便成为一个读取的流程。

2、存取周期：将存储单元与存储寄存器(MDR)之间进行读写。存储器从接收读出命令到被读出信息稳定在MDR的输出端为止的时间间隔。

三、代表含义不同

1、存取时间：用存取时间的倒数来表示速度。

2、存取周期：为存储器的性能指标之一，直接影响电子计算机的技术性能。

㈩ 下列存储器中，存取周期最短的是（） A：硬盘存储器 B：CD-ROM C：DRAM D：SRAM

SRAM。

SRAM主要用于二级高速缓存掘敬（Level2 Cache)。它利用晶体管来存储数据。与DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面积中SRAM的容量要比其他类型的内存小。

SRAM是静态存储方式，以双稳态电路作为存储单元，SRAM不像DRAM一样需要不断刷新，而且工作速度较快，但由于存储单元器件较多，集成度不太高，功耗也较大。

(10)存储器存取周期扩展阅读

SRAM可分为五大部分：存储单元阵列（core cells array），行/列地址译码器(decode），灵敏放大器(Sense Amplifier），控制电路（control circuit），缓冲/驱动电路（FFIO）判山慎。

存取周期为存储器的性能指标之一，直接影响电子计算机的技术性能。存储周期愈短，运算速度愈快，但对存储元件及工艺的要求也愈高。

例如磁芯存储器的存取周期为零点几到几个微秒。半导体存储器的存取周期通常在几十到几百毫微秒之间。那么半导体存储器的性能比磁芯存储器的性能要好。