国产存储演进

‘壹’ 开展微型数据存储技术创新研发抢占未来大数据存储技术高地的建议

我国数据存储核心技术长期落后，大数据中心按照传统的 科技 房地产的思路将面临资源约束。为了防止我国存储技术“卡脖子”，节省未来海量数据存储占地空间，系统化整合资源解决当前中国大数据存储技术产品的容量问题，建议国家立项 开展微型数据存储技术创新研发 。

我国数据储存的现状和面临的问题

计算机数据存储技术是信息技术应用的核心。一切计算机应用数据都需要由物理设备来存储，以便计算机系统进行读写等处理，数据应用与数据存储恰似树干与树根的密切关系。伴随着信息技术应用的持续高速发展，可以预见未来的数据量必将呈现爆炸式增长，随之而来的海量数据存储瓶颈问题必然日趋严重，加剧着数据存储领域长期面临的容量、安全、性能、扩充、维护、灾备、监管等诸多挑战。其中，容量困境，首当其冲。

当前痛点。 为了满足数据存储容量日益增长的需求，大数据存储中心建设必不可少。放眼当下全国各地的大数据存储中心建设，由于数据存储基础核心技术缺位，流行的模式是不可持续的“ 科技 房地产”，即单纯拓展占地面积盖楼建设数据中心，进而耗费宝贵自然资源。目前我国城市监控视频图像数据受限于数据中心存储容量空间，一般只能保留一个月左右，相关的数据应用严重受制。

应用基石。 底层数据存储是信息产业发展的基石，数据存储技术产品是信息应用系统的架构基础，也是我国的关键行业技术短板。有效的数据存储技术产品涉及到所有信息技术应用场景：人工智能，信息安全，智慧城市，大数据，云计算，区块链，城市大脑，雪亮工程，城市管理视频监控，医学影像识别，等等。

严峻局面。 追溯信息技术百年来的发展轨迹，中国在数据存储基础技术领域的贡献几乎为零。国内数据存储行业主要擅长于市场侧的商业应用创新，数据存储底层管理的核心技术研发严重依赖国外的开源开放。缺乏基础研发梯队，没有关键理论 探索 ；沿袭陈旧的发展思路，习于外购器件设备；底层技术积累短缺，核心创新能力薄弱；严峻的局面至今没有重大改变。

危情险势。 中国在核心存储产品、底层支撑技术、商业应用理念上长期跟跑，遭受外部势力釜底抽薪式的“存储底层关键核心技术精准打击”的隐患和风险极大。面对复杂多变的国际环境，一旦遭遇卡脖子，如外购存储产品断货或核心技术交流封锁，举国上下所有涉及信息技术应用的行业领域都必然窒息。从而直接降低相关产业迭代发展速度，掣肘 社会 前进步伐，削弱国家治理能力，进而危及影响到国家的政治和 社会 稳定。

时不我待。 我们需要立即行动起来，通过立项开展微型数据存储技术创新研发，凝聚国内外数据存储领域资源力量，构建数据存储专业核心技术团队；从研发软件定义的存储（数据去重）技术产品入手，填补国内技术产品领域空白；启动研发微型化（原子级）数据存储设备，抢占未来数据存储领域的制高点。这项举措也是解除我国数据存储技术产品创新研发“卡脖子”危机的最佳途径。

开展微型数据存储技术创新研发的思路

我国应抓住当前数据应用驱动信息技术升级换代的大数据发展 历史 契机，凝聚国内外资源力量，构建中国数据存储专业核心技术团队。近期：研发部署模块化数据去重技术产品，压缩海量数据存储空间需求，填补国内底层数据存储管理技术空白。远期：启动研发微型数据存储设备，抢占未来数据存储技术领域的制高点。

从开展微型数据存储技术创新研发入手，聚焦国际存储技术领域的战略性前沿技术趋势；联手科研院所、高等院校、生产企业、大型用户的资源，建设国家级核心技术团队；积极引进/培养数据存储技术人才，研发自主可控系列产品。

1.近期跟踪行业动态

对标国际顶级数据存储技术产品，砥砺学习底层模块级数据存储去重技术，压缩海量数据存储空间需求，实现自主可控国产数据存储技术管理软件产品的商务应用。基本原理是首先识别出重复的数据模块，然后优化存储多个重复数据模块中的单一模块，以及同其它重复模块的链接关系。进而减少企业级客户存储数据所需的物理空间占有量，降低采购部署数据存储设备的增量。

2.远期重点突出推进

探索 下一代数据存储技术，整合跨学科资源启动开展研发微型存储器，力图将现有基于磁盘/光盘/磁带的计算机数据存储器，转化为未来基于原子/电子运动状态的微型化数字信息采集与存取机制。其原理是将现在耗费数百万个原子的材料介质所表征的一位“0”或“1”二进制计算机数据，试图由单个原子状态变化来表征。于是，可以将现有数据存储设备体积缩小数十万乃至百万倍，最终将占地约足球场面积的大数据存储仓库缩小为便携式器件。

3.研发工作开展建议

开展微型数据存储技术创新研发应该建设成为国内领先、国际一流的数据存储技术研究机构、产业孵化温室、以及人才培养基地。

延揽数据存储技术专家领衔担纲咨询顾问。全球招聘在世界顶级数据存储公司工作多年的业界精英加盟指导。

构建中国数据存储技术研发团队。采用引进师资/开设培训课程等有效方式，积累培育国内数据存储技术力量。

结盟硅谷存储技术研究院。依托美国硅谷地区的数据存储实体公司，共享数据存储底层技术知识。

注册成立企业运营机构。开发软件定义存储（数据去重）技术产品，服务数据用户市场，遵循商务运作规律。

融资涵盖多种基金渠道。申报获取国家重大专项基础项目研发资金，吸引专业投资基金加盟。首期投资约需10亿元人民币（参考国际相关工程估值：美国IBM公司同类项目投资约600亿美元/10年）。

推动微型数据存储技术创新研发的建议

我国在开展新型基础设施建设的同时，应当抓住当前数据计算应用驱动信息技术升级换代的大数据发展 历史 契机，建立数据存储技术的自主知识产权体系，填补国内空白，保障数字中国建设长远规划实施，推进国产数据存储产品崛起，为相关产业发展铺路。

2.建议远期紧跟世界主流研发创新步伐，聚焦研发原子级微型化数据存储技术产品（2020-2040年），在2040年前研发出原子级大数据存储技术，并逐步实现产业化。

3.建议将微型化数据存储技术创新作为国家战略。搭建政产学研用共建共治共享的中国数据存储技术联合创新平台，建设国家级重点实验室。依托科研院所/高等院校/相关企业，奠定从微型数据存储理论、硬件设计、软件开发、结构设计、系统集成等一整套原子级微型数据存储技术研发工作的基础。

4.建议国家相关部委给予配套资金支持。加快推进原子级大数据存储技术研发和产业化转化。支持申报重大 科技 项目和专项扶持资金。

5.建议形成能够长期从事数据存储技术创新的人才队伍。借鉴全球数据存储技术创新研发经验，引进海内外数据存储技术领域顶尖科学家和工程师。在高等院校与科研院所开设数据存储技术专业课程，搭建完善的国内人才培养体系。

6.建议立项过程不宜采用常规项目申报、审批流程，亟需特事特办予以批准。主要是有鉴于本项目相关的科研生产领域中，国内现有技术力量薄弱分散，评估体系资源匮乏。

7.建议项目推进应当低调快速务实：不重造势，不扬虚名，不谋近利。主要是基于当前复杂敏感的国际政治经济形势，预计本项目势将关联国家核心产业战略布局，影响未来数十年中国数字经济命脉与发展。

作 者：中央 财经 大学中国互联网经济研究院研究员 欧阳日辉

通讯员：李 翀

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‘贰’ 国产内存或将突破，中企有望跻身全球第四，明年量产17nm芯片

在DRAM内存芯片领域我国与其他国家一直都存在着较大的差距，中国台湾的南亚 科技 所生产的内存所占有的市场份额，远低于其他国家的内存芯片。中国自主生产的优质内存是中国高 科技 产业存在的一个短板之一。这一直都是中国之痛，但如今我国国内自主研发生产的内存终于迎来了新的希望，中国企业合肥长鑫有希望进入全球芯片内存市场的前四，合肥长鑫计划在明年量产17nm的内存芯片，并有望超越南亚 科技 ，这是一件值得国人共同庆贺的好消息，是中国国产芯片内存的一大进步。

话题讨论：国产内存或将突破，中企有望跻身全球第四，明年量产17nm芯片

对中国 科技 领域有一定了解的小伙伴，一定知道在DRAM内存芯片领域占据了垄断性地位的企业便是来自韩国的企业。三星、SK海力士以及美光这仅仅三家企业就已经占据了全球市场内存芯片领域超过95%的市场份额，排名第四的则是中国台湾的南亚 科技 。虽说是排名第四的企业，但是其所占有的市场份额却只有仅仅的3.2%。通过这几个数字，我们就可以明显感觉到我国国产内存与外国企业所存在的巨大差距。不过即便如此，即便我国在国产内存领域远远落后于他人，我国国内的内存厂商也永不言弃，依旧锲而不舍地加强进行自主研发。其中，中国合肥的长鑫企业就终于成功实现了DDR内存的量产。

首先先给大家介绍一下这一个后起之秀——合肥长鑫。长鑫企业在2016年的时候成立，长鑫储存是一家一 体化的储存器制造商，其拥有了自主设计、研发、生产与销售DRAM的能力。长鑫存储的DRAM产品应用领域非常广泛，在电脑、移动终端和互联网等领域都能见到他的身影。根据相关报道显示，如今的长鑫存储企业依旧在不断地进行扩产，将有希望超过台湾的南亚 科技 ，成功进入全球内存芯片市场排行榜的第四位。长鑫存储在默默的积蓄力量，以待成效之日。

在今年的上半年，长鑫存储就取得了非常优异的成绩。长鑫存储所自主研发的19nm DRAM工艺终于成功上市了，并且其量产也从两万片跨越到了四万片。这是一个非常良好的开端，长鑫存储的市场份额在不断提高，其知名度也在不断的提升，越来越多的人意识到了合肥长鑫的存在。不仅如此根据Digtime公布的消息来看，在今年的年末，长鑫存储的芯片量产有望增长三倍，也就是12万片。而12万片的量产片就足以让超越产量不足7万片的南亚 科技 。因此在今年年末，中国企业长鑫 科技 有望进入全球第四。相信短时间内，长鑫存储在业界的知名度将会又有一个大的提升。

但是就算是有着不错的成绩，但是长鑫存储在DRAM芯片内存领域与国际市场的三大巨头三星、SK海力士和美光这三家企业还是有着很悬殊的实力差距。无论在市场份额的占有上，还是在芯片的制造工艺上都与这三大业界巨头存在着很大的距离。我们都知道长鑫存储目前生产的内存芯片主要是19nm，和国际其他企业存在较大的差距，我国芯片内存制造的工艺技术水平落后于其他国外企业足足有大约两三年的时间。不过，有差距也就有了追赶的动力。据相关人士透露，长鑫存储在2021年的时候，将实现17nm的内存芯片的量产，我国国产的内存芯片存储密度又有了一个提升，这就是一种良好的发展态势。这意味着我国在内存芯片的生产技术上，将会再一次缩小与其他外国企业的距离。

长鑫企业的扩产一直在进行当中。合肥总投资高达2200 亿元的集成电路制造基地项目终于在2019年成功启动。这个项目的占地面积非常广，足足达到了15.2平方公里。这个基地一共设立了三大片区，分别是空港国际小镇、空港集成电路配套产业园以及长兴12英寸存储器晶圆制造基地。如今，合肥已经集结了多达200多家的上下游企业，看来合肥专注于创造一座IC城市。

在这么多家企业当中，长鑫存储就是其中的黑马。这个集成电路制造基地项目总投资2200 亿元，其中长鑫的12英寸存储器晶圆制造基地项目就占了1500亿元了。这是安徽合肥单体投资最大的工业项目，可以说创造合肥的 历史 记录。正是因为国家对长鑫存储寄予了厚望，所以才会如此大的资金投入到长鑫存储的量产当中， 如今的长鑫存储已经成为了国内芯片内存的领军企业，大家都对其满怀期待，相信它也不会让大家失望。长鑫企业一直在用实际行动证明着自己。

国产内存因为长鑫存储等内存制造企业的崛起而拥有了希望。根据相关的报导，安徽的半导体行业也将在短时间内进入高速发展的阶段，新的低耗能高速率内存产品将在这几年的推出，各大企业将专注于产品的产业化。各大企业并没有因为落后于外国企业而气馁，反正更加充满干劲。来日方长，我国国产芯片未来的发展还是非常值得期待的。

写在最后

没有什么企业产品是能够一蹴而就的，特别是在高新 科技 领域，尤其需要时间去发展生长。在我国芯片内存领域空白的那几年里，拉开了我国芯片内存生产技术与其他外国企业之间所存在的距离。在这十几年的时间里，我国一直致力于科学技术的自主研发，我国在 科技 领域的成果大家也有目共睹。 任何事情都不能操之过急，需要一步一个脚印的前进。虽然目前我国在内存芯片领域依旧有着很大的进步空间，但相信在我国企业的不断努力之下，总有一天我国在这一个领域也会取得耀眼的成绩。

‘叁’ 2022年上市，国产内存芯片实现量产，领先业界平均制程11~21纳米

相较于PC端、智能手机芯片制程的更新换代速率， 汽车 、家用电器等传统芯片制程过渡到尖端芯片制程的时间相对较长。步入2021年后，内存市场迎来了一波升级， 眼下PC端领域已经步入到DDR5时代 。低端的 DDR3内存逐渐被三星、SK海力士淘汰。 但对于国产厂商来说，这是 切入DDR3内存市场的最佳时机 。

2021年11月18日消息 ， 合肥长鑫重拾DDR3业务 ，为 兆易创新代工DDR3内存芯片 。据了解，合肥长鑫为兆易创新代工的DDR3内存芯片采用的是 19纳米制程 。这比业界普遍使用的 30~40纳米 制程的 DDR3芯片 ， 领先了11~21纳米 。

目前合肥长鑫的19纳米DDR3内存芯片还处在工厂测试阶段， 出货时间暂定在2022年第一季度，预计2022年下半年，合肥长鑫将增加DDR3内存芯片产能。 可能有些朋友会说，DDR3早已被淘汰了，眼下已经是DDR5时代，兆易创新委托合肥长鑫代工的DDR3内存芯片，用往何处呢？

正如前面所说的，比起PC端、智能手机行业，家电、灯具等利基市场产品所用芯片的更新换代速率较慢。 合肥长鑫为兆易创新代工的DDR3芯片用于家电、灯具当中 ，这些设备对内存芯片的性能、容量要求并不高。更何况合肥长鑫负责代工的DDR3内存芯片采用的是19纳米制程，因此能够满足大多数智能家居设备的内存需求。

大数字智能时代的到来，各行各业都在朝着信息智能时代过渡，台灯、厨房油烟机、扫地机器人等家用设备对芯片的需求量不断提高。虽说比起PC端、智能手机等高精尖设备，家电家居的利润并不高，但“蚂蚁再小也是肉”。显然，相较于手机、PC端，灯具、家电设备的市场规模更大。

为了在短期内实现效益的最大化，三星、SK海力士、美光等内存芯片巨头，将目光放在了DDR5身上。但DDR5对于大多数家居家电来说，有些性能过剩，容易造成制程浪费。兆易创新瞅准市场空档期，趁此机会加大对DDR3的市场布局，一定程度上能够提高兆易创新的营收以及市场竞争力。

当然，对于合肥长鑫来说，重拾DDR3制程，只是为了扩宽公司的业务营收，推动产业产品链多元化发展。作为国产存储芯片巨头，合肥长鑫采用自主研发技术于2019年实现了DDR4芯片的量产。关于制程更精密，设计难度更高的DDR5、LPDDR5等内存芯片，合肥长鑫不断加大资金投入力度，争取破冰技术壁垒。

值得一提的是，另一家国产存储芯片巨头，长江储存于2021年7月29日率先攻坚128层闪存芯片技术壁垒，成功推出128层堆栈的闪存芯片。这拉动了我国内存芯片产业的发展。

相较于三星、SK海力士等内存芯片巨头，虽说我们还与之存在一定的距离，但千里之行，始于足下。相信在长江储存、合肥长鑫等国产内存芯片厂商的努力下，总有一天我们会实现对三星、SK海力士等内存芯片巨头的持平、赶超。

对于合肥长鑫重拾DDR3内存芯片业务这件事情，大伙有什么想说的呢？眼下长江储存、合肥长鑫等国产内存芯片商不断破冰技术壁垒，在内存芯片领域中取得了许多不错的成绩。你认为我们能否在内存芯片领域中与国外内存芯片技术实现持平呢？

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‘肆’ 国产PCIe4.0 SSD要来了，国产存储即将走向高端

最近笔者看到一个新闻：嘉合劲威已推出国产芯片方案的PCIe4.0 SSD，采用 英韧 主控，搭配长江存储闪存芯片。那么问题来了，什么是PCIe 4.0 SSD呢？PCIe 4.0 SSD实现国产化的意义又有多大呢？别急，下面笔者就来分析一下！

PCI-Express (peripheral component interconnect express) 是一种高速串行计算机扩展总线标准，旨在替代旧的PCI，PCI-X和AGP总线标准。

所谓总线（Bus）是计算机各种功能部件之间传送信息的公共通信干线，它是由导线组成的传输线束， 按照计算机所传输的信息种类，计算机的总线可以划分为 数据总线、地址总线和控制总线，分别用来传输数据、数据地址和控制信号 。

总线是一种内部结构，它是cpu、内存、输入、输出设备传递信息的公用通道，主机的各个部件通过总线相连接，外部设备通过相应的接口电路再与总线相连接，从而形成了计算机硬件系统 。扩展总线（Expansion Bus）就是外部设备和计算机主机进行数据通信的总线，PCIe就是扩展总线的一种，它既是通道，也是接口，通常我们可以在计算机主板上看到PCIe插槽，这些插槽可以用来接入显卡、声卡、无线网卡、SSD等，它还可以通过转接卡变成USB口或者雷电接口等等。

首先我们来看一下PCIe的路线图：自发布至今，PCIe协议已经从1.0升级到4.0了。

PCIe 4.0 相对PCIe 3.0 的升级主要在于将频率和带宽都直接翻倍，分别达到了16.0GHz和64GB/s。

目前PCIe 3.0仍为市场主流，但AMD及INTEL均已支持PCIe 4.0，所以市场上也开始出现支持PCIe 4.0的主板及SSD等产品。

SSD是固态驱动器（Solid State Disk或Solid State Drive）的简称，俗称固态硬盘。SSD由控制单元和存储单元（FLASH芯片、DRAM芯片）组成。

SSD的速度非常快，较传统机械硬盘提升非常明显，尤其当系统安装在SSD上后开机启动速度会比装在机械硬盘上快很多。比如我家一台电脑过去开机需要45秒甚至更久，换SSD后开机仅需11秒！而 游戏 放在SSD里也能减少读条时间和显示模型时卡顿等问题，体验得到大幅度提升，日常办公软件或者大型工具软件比如着名的PS在SSD上的响应速度也远较机械硬盘上灵敏，所以现在的电脑，无论是品牌机还是DIY装机，基本上都会配备一块SSD。

前面说过，PCIe 3.0目前还是市场主流，所以目前的主流SSD一般也只支持PCIe 3.0，但是三星、西部数据、希捷、海盗船、威刚等厂商都已发布了支持PCIe 4.0的SSD。这些产品性能提升确实非常明显，以西部数据SN850为例，它的最高连续读取速度7000MB/s，最高连续写入速度为5300MB/s，而只支持PCIe 3.0的同门前辈SN750读取速度为3100MB/S，写入速度为1600MB/s，差距非常明显。同时PCIe 4.0 SSD在4K小文件读写性能和延迟上都提升明显，这一特性使得它在 游戏 表现上更为亮眼。

不过，PCIe 4.0 SSD目前也有一个明显缺点：价格太贵了！

以前面提到的西部数据SN750和SN850为例，1T版的SN750价格只有850的一半左右，如果选择定价更为亲民的SN550，价格差距甚至可以扩大到三倍！

近几年来，国产存储进步飞快，相继实现了DDR4内存国产化和SSD国产化，作为国产存储排头兵的嘉合劲威，也在前不久官宣已经完成PCIe 4.0 SSD的国产芯片方案适配，预计春节后量产光威、阿斯嘉特PCIe 4.0 SSD!

待量产实现后，国产SSD竞争力将大增，进一步打破国外品牌对高端市场的垄断，过去那种随意提价、缺货的现象势必大幅减少。考虑到国产存储在价格上相对国外品牌一般都有较为明显的优势，国内装机市场上新一代CPU和主板的销量也有望得到刺激，毕竟想用上PCIe 4.0 SSD也需要CPU和主板支持。如此一来，PCIe 3.0 SSD价格很可能迎来一波下跌，毕竟长江后浪推前浪，前浪不降价就得死在沙滩上了。

我个人非常期待国产PCIe 4.0 SSD，也非常希望国内厂商能借此走向高端，进一波打破欧美在高端存储市场上的垄断。

‘伍’ 国产存储芯片开始提速，两大喜讯接连传来，实现从0到1突破

全球存储芯片的格局非常明确，以韩国三星，SK海力士和美国美光这三大巨头为主，在各大存储芯片领域中占据核心技术和市场份额的主要优势。常见的NAND，DDR5以及DRAM都掌握在海外巨头手中。

但其实国产存储芯片已经开始提速了，两大喜讯接连传来，完成了从0到1的关键突破。具体是怎样的喜讯呢？国产存储芯片产业格局如何？

存储芯片的重要性是显而易见的，手机，电脑设备想要运行文件，存储数据，那么存储芯片将会是不可或缺的存在。

根据存储芯片种类的不同，赛道竞争程度也不一样。有些存储芯片巨头已经将工艺做到了使用EUV光刻机的程度，而有些企业能在某个细分存储芯片领域取得一席之地，就已经是很大的突破了。

国外巨头因为起步时间早，有庞大的资本开支优势，再加上产业链发展完善，取得领先也是能理解的。但后来居上，实现反超的例子也不是没有，国产存储芯片传来两大喜讯，已经在弯道超车了。具体有怎样的喜讯呢？

第一大喜讯：昕原半导体建成28/22nm ReRAM生产线

对存储芯片有一定了解的人都知道，DAND，DRAM等是发展了几十年的存储芯片，已经发展出完整的全球化产业链，相关的技术，配套设施和人才储备也十分完善。

可是在人工智能，云计算等日益发展迅速的新基建领域， 探索 新型存储芯片也成为了一种趋势。而ReRAM这种阻变存储器就是新型存储芯片，它的优势体现在读取速度快，功耗低，应用范围广阔。

昕原半导体就是发展ReRAM存储芯片的国产公司，其成立于2019年，在今年2月中旬正式传来消息，建成了中国首条28nm/22nm的ReRAM生产线。

基于这座生产线，昕原半导体可以更快将研究成果落地，补充完善国产存储芯片产业的生产供应链。

值得一提的是，在新型的ReRAM阻变存储器产业中，入局的玩家还不是很多，而建成相关生产线的企业更是少之又少。放眼国外，昕原半导体的这一生产线建设成果都是领先的。这也意味着，中国已经在ReRAM新型阻变存储器中把握住了先手机会，未来可期。

第二大喜讯：曝合肥长鑫今年投产17nm制程的DDR5 内存芯片

相较于昕原半导体大力发展新型阻变存储器，合肥长鑫这家存储巨头则在传统赛道上持续攻克难关。有消息爆料称，合肥长鑫会在今年投产17nm制程工艺的DDR5内存芯片，成为国内首个参与DDR5内存芯片市场的中国企业。

DDR5是计算机内存规格的芯片，相比于DDR4等前几代内存条，DDR5的性能更加出色，且功耗更低，是当下主流的高性能，高品质内存芯片。

DDR5的市场份额一直把控在三星、SK海力士、美光这三大巨头手中，制造出的DDR5被各国客户争相下单采购，国内也一直存在DDR5内存芯片的空白。

然而喜讯传来，消息爆料合肥长鑫会在今年进行DDR5内存芯片的投产，且还是17nm的工艺制程。在这一领域内，17nm已经是非常先进高端的水准了。

若爆料消息无误，则说明国产DDR5芯片已经迎来有望参与全球市场的发展能力。除了投产DDR5芯片之外，合肥长鑫也一直在努力提升产能，得益于背后资本的支持，合肥长鑫计划在今年实现每月12万片晶圆的目标，而2年前合肥长鑫的产能水准还停留在每月4.5万片。

以上两个关于国产存储芯片的喜讯接踵而至，一个是昕原半导体在新型ReRAM阻变存储器建成生产线，为国产新型存储芯片产业发展提供更多的可能性。

另一个是合肥长鑫计划今年投产DDR5内存芯片，在17nm工艺的支持下，将有望拿下DDR5市场的一席之地，打破海外巨头单一市场垄断的局面。

不难发现，这两个喜讯都是实现了从0到1的突破，昕原半导体的ReRAM生产线是国内首条，合肥长鑫投产DDR5也是国内首个参与者，可见国产存储芯片已经开始提速。

其实不只是这两大国产存储芯片巨头，在其余的长江存储，福建晋华等等存储公司的参与下，构建了如今存储芯片产业快速破局的格局。他们要么是兴建生产线，要么加快技术研发突破，齐聚力量之下，相信定能为国产存储芯片创造全新的未来。

海外巨头长期耕耘技术研发和产业发展，国产企业要想加速进步，还得一步一个脚印。首先要树立发展目标，其次包括人才资源，紧接着努力将研究成果落地产业。正所谓一分耕耘一分收获，希望国产企业的耕耘都能得到应有的收获。

对国产存储芯片的两个喜讯你有什么看法呢？

‘陆’ 可以具体介绍一下VMware替代解决方案吗

VMware替代解决方案是指在现有的VMware业务环境下，通过现代化的技术手段，实现平稳国产化平稳替代，使传统的VMware集群在向国产安全架构的演进过程中，从上层网络到底层存储，再到用户业务负载，均可实现按需按计划的迁移过渡。
华云数据拥有软件定义计算、存储、网络、安全等基础核心组件，提供包括超融合、虚拟化、私有云、混合云、桌面云等诸多产品和服务。在实现VMware平稳迁移替代中，具有产品覆盖齐全、全面硬件利旧、无缝即时迁移、支持全芯全栈等优势⌄帮助迁移VMware迁移至国产化-局部替代-完全替代，实现持续平滑替代和升级，构建安全、经济、高效的平台。

‘柒’ 国内这几年怎么这么多软件定义存储公司

数据量激增

随着个性化、物联网、万联网的发展，数据以前所未有的速度迅猛增长，数据的存放、管理、优化、利用成为难题，用户面临着如下挑战：存储利用率低，数据僵化在某些硬件组件里，难以提供随需动态变化的服务等级，缺乏精确的控制，部署和调整存储资源需要经过复杂的流程（例如需要应用管理员与存储管理员等进行协调），自动化程度低，对请求的响应慢，……。

存储相关软硬件技术快速发展

软件技术方面：虚拟化、分布式存储与云计算技术的发展。

硬件方面：SSD，CPU 多核技术，高速网络技术，大容量服务器和磁盘等

软件定义存储优势明显，以超融合为例

成本优势

‘捌’ 北京长鑫储存真的很差劲吗

北京长鑫储存不差劲。根据查询相关信息显示，长鑫存储是中国大陆规模最大、技术最先进的DRAM设计制造一体化企业。在2020年开始启动6万片/月产能建设，实现了从投产到量产再到批量销售的关汪颤键困指败跨越。国产存储实现了从无到有的突破，打破了长期被垄断的局面，开创了国产存逗郑储的新局面。