闪烁存储器
斑马标签机闪烁存储器未编程通常是指标签机的悉姿乱固件出现错误，可能是由于电源电压不稳定，使用的材料配件不匹配，或者操作不当等睁档原因造成的。解决这种问题的方法包括重新编程存储器，更换配件或使用稳定电源等。如果是编程问题，建议专业技术人员进行操作，以避免损册仿坏设备。此外，在平时使用时应注意检查设备的各个配件是否正常，避免操作不当和物理损坏。
⑵ 容量M和MB哪个大呀还有电脑内存都是分哪些类呀
容量M和MB是一个意思，都是兆，
内存的分类
内存的种类
内存是PC机的内部存储器，在这里我们对它的种类做个介绍。 根据内存的可读写性，可分为"RAM"和"ROM"。 RAM的英文全称是"Random Access Memory"，翻译成中文就是"随机存储器"。ROM的英文全称是"Read Only Memory"，翻译成中文就是"只读存储器"。 目前使用的RAM又分两种，一种是DRAM，一种是SRAM。 DRAM的英文全称是"Dynamic RAM"，翻译成中文就是"动态随机存储器"。所谓"动态"，是指用它在通电情况下不能长时间保持电量，需要每隔一段时间就进行一次重新加电过程，否则会因为电量自然放尽而丢失数据。但它的制作成本较低，容量可以做得较大，目前PC机用的DRAM内存最大可达128M。 DRAM的种类又分普通DRAM、EDO RAM和SDRAM，它们的速度一个比一个快，目前比较高档的PC机都使用32M、64M甚至128M的SDRAM。
SRAM 的中文全称是"Static RAM"，翻译成中文就是"静态随机存储器"。所谓"静态"，是指它在通电情况下可以长时间保持电量，因此无须每隔一段时间重新加电。所以一般说来，SRAM 比DRAM 的数据传输速度要快，但因为制造成本较高，工艺较复杂，所以容量不能做得很大，一般在1M以下。 目前使用的ROM有四种，即普通ROM、EPROM、EEPROM和Flash Memory。 早期的主板上的BIOS使用的是普通ROM，只能一次性写入，其中的内容不可改变。主板如果想升级就必须换一块。 后来BIOS使用EPROM制造，英文全称是"Erasable Programmable Read Only Memory"，翻译成中文就是"可擦写可编程只读存储器"。这种ROM可以用紫外线扫描的方法擦除和改写其中的信息。 而后又使用的EEPROM，英文全称是"Electronic EPROM"，翻译成中文就是"电可擦写可编程只读存储器"。这种ROM可以用电子扫描的方法来改变存储器中的内容。
以上这两种可擦写存储器的升级仍然比较麻烦。目前主板上的BIOS大多使用Flash Memory制造，翻译成中文就是"闪动的存储器"，通常把它称作"快闪存储?quot;，简称"闪存"。这种存储器可以直接通过调节主板上的电压来对BIOS进行升级操作。
Cache Memory－高速缓存存储器
也叫cache RAM，在CPU旁边或附带在CPU上的一小块高速内存(一般少于 1MB)联系着CPU和系统内存。Cache memory 为处理器提供最常用的数据和指令。Level 1 cache也叫主高速缓存 (primary cache)， 是离CPU最近的高速缓存，容量只有8KB~6KB，但速度相当快。Level 2 cache 也叫次高速缓存(secondary cache)，是离CPU第二近的高速缓存，通常焊接在主板上，容量一般为64KB~1MB，速度稍慢。
Flash Memory－闪烁存储器，闪存
闪烁存储器在断电情况下仍能保持所存储的数据信息，但是数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位。区块大小一般由256K到20MB。FLASH这个词最初由东芝因为该芯片的瞬间清除能力而提出。源于EPROM，闪存芯片价格不高，存储容量大。闪存正在成为EPROM的替代品，因为它们很容易被升级。闪存被用于PCMCIA卡，PCMCIA闪存盘，其它形式硬盘，嵌入式控制器和SMART MEDIA。如果闪存或其它相关的衍生技术能够在一定的时间内清除一个字节，那将导致永久性的（不易失）RAM的到来。
EDO DRAM(Extended Data Out DRAM)－扩展数据输出动态存储器
有的也叫Hyper Page Mode DRAM。 EDO的读取方式取消了扩展数据输出内存与传输内存两个存储周期之间的时间间隔，在把数据发送给CPU的同时去访问下一个页面，从而提高了工作效率（约比传统的DRAM快15~30%）。
EDO内存一般为72线（SIMM），也有168线（DIMM），后者多用于苹果公司的Macintosh电脑上。
EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)
电可擦可编程只读存储器--一种掉电后数据不丢失的存储芯片。 EEPROM 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。一般用在即插即用（Plug & Play）接口卡中，用来存放硬件设置数据；防止软件非法拷贝?quot;硬件锁"上面也能找到它。
Rambus （同RDRAM）
由Rambus公司（现在已经被Intel公司收购）开发的一种内存，其速度约为一般DRAM的10倍左右，堪称内存发展史上的一个里程碑。但是要想支持它，内存控制器需要做相当大的改动，所以目前只应用于游戏机、专业图形加速卡和少量高档PC机上。但将来Rambus有可能取代SDRAM，成为内存的主流。
EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory)－可擦可编程只读存储器
一种可以重复利用的可编程芯片。其内容始终不丢失，除非您用紫外线擦除它。一般给EPROM 编程或擦除内容时，需要用专用的设备。
SDRAM（Synchronous DRAM）－同步动态存储器
动态随机存储器的一种，工作在CPU外部总线的频率上，与CPU的时钟同步。由于SDRAM可以与CPU列频同步工作，所以无等待周期，减少数据传输延迟。FPM DRAM每隔3个时钟周期开始传输，EDO DRAM每隔2个时钟周期开始传输。
RDRAM（Rambus DRAM）－总线式动态随机存储器
是由RAMBUS公司与INTEL公司合作提出的一项专利技术，它的数据传输首罡呖纱?00MHZ，而它的总线宽度却远远小于现在的SDRAM。
DIMM（Dual-In line Memory Mole）－双边接触内存模组
形象的说：内存条正反两面金手指是不导通的，如常见的有100线、168线、200线内存（long Dimm）和72线、144线（SO-Dimm）。DIMM一般有64位带宽，并且正反面相同位置的引脚不同；而SIMM一般只有32位带宽，需要两条两条同时使用，一般通过72线金手指与主板相连。
SRAM （Static DRAM）－静态内存
静态内存虽不需刷新，但在断电后将会丢失数据。静态内存的数据传输速率从10纳秒到30纳秒不等。动态内存要比它慢30纳秒， 同时、双向式内存与ECL内存要大于10纳秒。因此，静态内存通常被用于高速缓冲存储器。动态内存由扭结状的晶体管电路组成，电流流入晶体管的一端还是另一端由正在工作的晶体管所决定。
ROM （Read Only Memory）－只读存储器
掉电后数据不丢失的一种存储器，主要用来存放"固件"（Firmware）。主板、显卡、网卡上的BIOS就是一种ROM，因为他们程序和数据的变动概率都很低。
RAM (Random-Access Memory)－随机存取存储器
一种存储单元结构，用于保存CPU处理的数据信息。"随机"（Random）存取是与"顺序（serial）"存取相对而言的，意思是CPU可以从RAM中任意地址中直接读取所需的数据，而不必从头至尾一一查找。
SPD（Serial Presence Detect）－串行存在侦测
存储着内存条的容量、速度、厂家信息和其它一些技术规格的一小块 EEPROM 芯片。
ECC（Error Correcting Code）－错误更正码，纠错码
ECC是用来检验存储在DRAM中的整体数据的一种电子方式。ECC在设计上比parity更精巧，它不仅能检测出多位数据错误，同时还可以指定出错的数位并改正。通常ECC每个字节使用3个Bit来纠错，而parity只使用一个Bit。
ECC另有一种解释是Error Checking & Correction ,既错误检查与更正。
带ECC的内存比普通SDRAM内存多1、2个芯片，价格很昂贵，一般用在工作站或服务器上。
DDR(Double Data Rate SDRAM)－ 双数据输出同步动态存储器。
DDR SDRAM 从理论上来讲，可以把RAM的速度提升一倍，它在时钟的上升沿和下降沿都可以读出数据。
⑶ u盘和存储卡都是采用什么芯片做成的
U盘和存储卡都是采用闪烁存储器芯片做成的。
闪烁存储器芯片是一种移动存储产品，可用于存储任何格式数据文件便于随身携带，是个人的“数据移动中心”。 闪烁存储器芯片采用闪存存储介李烂乱质（Flash Memory）和通用串行总线（USB）接口，具有轻巧精致、哪档使用方便、便于携历蚂带、容量较大、安全可靠、时尚潮流等特征，是大家理想的便携存储工具。
⑷ 飞思卡尔mc9s12x中的RAM，FLASH,EEPROM的作用分别是什么
flash用于存放程序代码，eeprom的功能差不多，就是存储机制不一样而已，速度稍快，易擦写，多用于存放掉电不丢失的数据，ram数据掉电丢失，但是速度很快，用于存放程序运行时候的变量等，希望可以帮到你哦