静态存储器实验
1. 静态随机存储器实验中为什么我proteus仿真时不能进行读写操作。用的是6116 245和273。电路图接错了么
你这是用开关，手动实现读写操作吗?
这是实验要求的吗?你这所谓的实验，就是画仿真图呀?不是用实物做呀?
仿真做实验，那些发光二极管，每一个都必须串联一个限流电阻，不要怕麻烦。因为不串电阻，就影响数据线，地址线只有低电平而没有高电平。
2. 静态存储器与动态存储器的定义是什么
静态存储器是指依靠双稳态触发器的两个稳定状态保存信息的存储器。双稳态电路是有源器件，需要电源才能工作，只要电源正常，就能长期稳定的保存信息，所以称为静态存储器。如果断电，信息将会丢失，属于挥发性存储器，或称易失性。
动态存储器是指在指定功能或应用软件之间共享的存储器。如果一个或两个应用软件占用了所有存储器空间，此时将无法为其他应用软件分配存储器空间。需要由存储器控制电路按一定周期对存储器刷新，才能维系数据保存。
(2)静态存储器实验扩展阅读：
动态存储器的工作原理
动态RAM是由许多基本存储元按照行和列地址引脚复用来组成的。在3管动态RAM电路中，读选择线和写选择线是分开的，读数据线和写数据线也是分开的。
写操作时，写选择线为"1"，Q1导通，要写入的数据通过Q1送到Q2的栅极，并通过栅极电容在一定时间内保持信息。
读操作时，先通过公用的预充电管Q4使读数据线上的分布电容CD充电，当读选择线为高电平有效时,Q3处于可导通的状态。若原来存有"1"，则Q2导通，读数据线的分布电容CD通过Q3、Q2放电。此时读得的信息为"0"，正好和原存信息相反。
可见，对这样的存储电路，读得的信息和原来存入的信息正好相反,所以要通过读出放大器进行反向再送往数据总线。
3. 实验中6116的oe为什么要接地
6116是瞎顷2K * 8的静态随机存储器芯片，oe接高电平，oe端=1时，是写方式。实验中oe接地，oe端=0，戚首是读方式。oe端=0时磨仔陆，只能读，不能改写存储器中内容。
4. 静态存储和动态存储的区别
1. 静态内存
静态内存是指在程序开始运行时由编译器分配的内存，它的分配是在程序开始编译时完成的，不占用CPU资源。
程序中的各种变量，在编译时系统已经为其分配了所需的内存空间，当该变量在作用域内使用完毕时，系统会
自动释放所占用的内存空间。
变量的分配与释放，都无须程序员自行考虑。
基本类型，数组
2. 动态内存
用户无法确定空间大小，或者空间太大，栈上无法分配时，会采用动态内存分配。
处理器不工作,电脑什么都做不了。
处理器的工作就是处理指令（多条指令就构成一个程序）。
处理器从内存中取指令集（程序）。
问题是如果断电的话，内存中的指令就会丢失。因而内存归类为“易失性”介质。
所以我们要把程序、数据存储在不易失性的介质中，比如硬盘和光盘。
5. 静态存储器和动态存储器分别利用什么来存储0和1信息
静态存储器是用双稳态二极管存储信息的帆雹，其具有速度快，容量小的特点。而动态存储器则是由电容和刷新电路组成，其具有功耗大，存储量裤轿磨大，速度慢胡斗的特点。
6. 随机存取存储器详细资料大全
随机存取存储器 （英语： R andom A ess M emory，缩写： RAM ），也叫 主存 ，是与CPU直接交换数据的内部存储器。[1]它可以随时读写（刷新时除外，见下文），而且速度很快，通常作为作业系统或其他正在运行中的程式的临时数据存储纤老介质。
主存（Main memory）即计算机内部最主要的存储器，用来载入各式各样的程式与数据以供CPU直接运行与运用。由于DRAM的性价比很高，且扩展性也不错，是现今一般计算机主存的最主要部分。2014年生产计算机所用的主存主要是DDR3 SDRAM，而2016年开始DDR4 SDRAM逐渐普及化，笔电厂商如华硕及宏碁开始在笔电以DDR4存储器取代DDR3L。
基本介绍
- 中文名 ：随机存取存储器
- 外文名 ：random aess memory
- 存储原理 ：由触发器存储数据
- 单元结构 ：六管NMOS或OS构成
- 简称 ：RAM
特点
随机存取 所谓“随机存取”，指的是当存储器中的数据被读取或写入时，所需要的时间与这段信息所在的位置或所写入的位置无关。相对的，读取或写入顺序访问（Sequential Aess）存储设备中的信息时，其所需要的时间与位置就会有关系。它主要用来存放作业系统、各种应用程式、数据等。 易失性 当电源关闭时RAM不能保留数据。如果需要保存数据，就必须把它们写入一个长期的存储设备中（例如硬盘）。RAM和ROM相比，两者的最大区别是RAM在断电以后保存在上面的数据会自动消失，而ROM不会自动消失，可以长时间断电保存。 静态随机存取存储器 对静电敏感 正如其他精细的积体电路，随机存取存储器对环境的静电荷非常敏感。静电会干扰存储器内电容器的电荷，引致数据流失，甚至烧坏电路。故此触碰随机存取存储器前，应先用手触摸金属接地。 访问速度 现代的随机存取存储器几乎是所有访问设备中写入和读取速度最快的，存取延迟和其他涉及机械运作的存储设备相比，也显得微不足道。 笔记本电脑记忆体 需要刷新（再生） 现代的随机存取存储器依赖电容器存储数据。电容器充满电后代表1(二进制)，未充电的代表0。由于电容器或多或少有漏电的情形，若不作特别处理，数据会渐渐随时间流失。刷新是指定期读取电容激竖旦器的状态，然后按照原来的状态重新为电容器充电，弥补流失了的电荷。需要刷新正好解释了随机存取存储器的易失性。类别
根据存储单元的工作原理不同， RAM分为静态RAM和动态RAM。 静态随机存储器(SRAM) 静态存储单元是在静态触发器的基础上附加门控管而构成的。因此，它是靠触发器的自保功能存储数据的。 动态随机存储器(DRAM)动态RAM的存储矩阵由动态MOS存储单元组成。动态MOS存储单元利用MOS管的栅极电容来存储信息，但由于栅极电容的容量很小，而漏电流又不可能绝对等于0，所以电荷保存的时间有限。为了避免存储信息的丢失，必须定时地给电容补充漏掉的电荷。通常把这种操作称为“刷新”或“再生”，因此DRAM内部要有刷新控制电路，其操作也比静态RAM复杂。尽管如此，由于DRAM存储单元的结构能做得非常简单，所用元件少，功耗低，已成为大容量RAM的主流产品。
组成
RAM电路由地址解码器、存储矩阵和读写控制电路三部分组成，如图所明扰示。 图1 存储矩阵由触发器排列而成，每个触发器能存储一位数据(0或1)。通常将每一组存储单元编为一个地址，存放一个“字”；每个字的位数等于这一组单元的数目。存储器的容量以“字数×位数”表示。地址解码器将每个输入的地址代码译成高(或低)电平信号，从存储矩阵中选中一组单元，使之与读写控制电路接通。在读写控制信号的配合下，将数据读出或写入。区别
唯读存储器
ROM-read only memory唯读存储器 ①简单地说，在计算机中，RAM 、ROM都是数据存储器。RAM 是随机存取存储器，它的特点是易挥发性，即掉电失忆。ROM 通常指固化存储器(一次写入，反复读取)，它的特点与RAM 相反。ROM又分一次性固化、光擦除和电擦除重写三种类型。举个例子来说也就是，如果突然停电或者没有保存就关闭了档案，那么ROM可以随机保存之前没有储存的档案但是RAM会使之前没有保存的档案消失。 动态随机存取存储器记忆体
在计算机的组成结构中，有一个很重要的部分，就是存储器。存储器是用来存储程式和数据的部件，对于计算机来说，有了存储器，才有记忆功能，才能保证正常工作。存储器的种类很多，按其用途可分为主存储器和辅助存储器，主存储器又称记忆体储器（简称记忆体），辅助存储器又称外存储器（简称外存）。外存通常是磁性介质或光盘，像硬盘，软碟，磁带，CD等，能长期保存信息，并且不依赖于电来保存信息，但是由机械部件带动，速度与CPU相比就显得慢的多。记忆体指的就是主机板上的存储部件，是CPU直接与之沟通，并用其存储数据的部件，存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程式，它的物理实质就是一组或多组具备数据输入输出和数据存储功能的积体电路，记忆体只用于暂时存放程式和数据，一旦关闭电源或发生断电，其中的程式和数据就会丢失。 从一有计算机开始，就有记忆体。记忆体发展到今天也经历了很多次的技术改进，从最早的DRAM一直到FPMDRAM、EDODRAM、SDRAM等，记忆体的速度一直在提高且容量也在不断的增加。今天，服务器主要使用的是什么样的记忆体呢？IA架构的服务器普遍使用的是REGISTEREDECCSDRAM。 快速周期随机存取存储器 既然记忆体是用来存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程式，那么它是怎么工作的呢？我们平常所提到的计算机的记忆体指的是动态记忆体（即DRAM），动态记忆体中所谓的“动态”，指的是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行记忆体刷新操作。具体的工作过程是这样的：一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。但时间一长，代表1的电容会放电，代表0的电容会吸收电荷，这就是数据丢失的原因。刷新操作定期对电容进行检查，若电量大于满电量的1/2，则认为其代表1，并把电容充满电；若电量小于1/2，则认为其代表0，并把电容放电，借此来保持数据的连续性。存储单元
静态存储单元（SRAM） ●存储原理：由触发器存储数据 ●单元结构：六管NMOS或OS构成 ●优点：速度快、使用简单、不需刷新、静态功耗极低；常用作Cache ●缺点：元件数多、集成度低、运行功耗大 ●常用的SRAM集成晶片：6116(2K×8位)， 6264 (8K×8位)， 62256 (32K×8位)，2114(1K×4位) 动态存储单元（DRAM） ●存贮原理：利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理，需刷新（早期：三管基本单元；之后：单管基本单元） ●刷新(再生)：为及时补充漏掉的电荷以避免存储的信息丢失，必须定时给栅极电容补充电荷的操作 ●刷新时间：定期进行刷新操作的时间。该时间必须小于栅极电容自然保持信息的时间（小于2 ms ）。 ●优点： 集成度远高于SRAM、功耗低，价格也低 ●缺点：因需刷新而使外围电路复杂；刷新也使存取速度较SRAM慢，所以在计算机中，DRAM常用于作主存储器。 尽管如此，由于DRAM存储单元的结构简单，所用元件少，集成度高，功耗低，所以已成为大容量RAM的主流产品。
7. 什么叫做静态存储器它依靠什么存储信息
静态存储器是在计算机的运行过程中不需要刷新的半导体存储器，一旦通电，就长期保存信息。它是依靠触发器的两个稳定状态来存储信息的。
http://www.sgrtvu.net.cn/jx_data/lg_data/czs/hbyy/xt1.htm
这里有基本答案````
把XT1改成XTX就可以看到相关的答案
8. 芯片是如何储存信息的
芯片脊橡储存信息的原理如下：
对动态存储器进行写入操作时，行地址首先将RAS锁存于芯片中，然后列高野搏地址将CAS锁存于芯片中，WE有效，写入数据，则写入的数据被存储于指定的单元中。
对动态存储器进行读出操作时，CPU首先输出RAS锁存信号，获得数据存储单元的行地址，然后输出CAS锁存信号，获得数据存储单元的列地址，保持WE=1，便可将已知行列地址的存储单元中数据读取出来。
(8)静态存储器实验扩展阅读
主存储器的两个重要技术指标：
读写速度：常常用存储周期来度量，存储周期是连续启动两次独立的存储器操作（如读操作）所必需的时间间隔。
存储容量：通常用构成存储器的字节数或字数来计量。
地址总线用于选择主存储器的一个存储单元，若地址总线的位数k，则最大可寻址空间为2k。如k=20,可访问1MB的存储单元。数据总线用于在计算机各功能部件之间传送数据。控制总线用于指明总线的工作周期和本次输入/输出完成的时刻。
主存储器分类：
按信息保存的长短分：ROM与RAM。
按生产工艺分：静态存储器与动态存储器。
静态存储器（SRAM）：读写速度快，生产成本高，多用于容量较小的高速缓冲存储器。动态存储器（DRAM）：读写速度较慢，集成度戚祥高，生产成本低，多用于容量较大的主存储器。
9. 什么是静态存储器什么是动态存储器
静态存储器(SRAM）：读写速度快,成本高,需要电源才能工作,断电信息将丢失,多用于容量较小的高速缓冲存储器.
动态存储器（DRAM）：读写速度较慢,集成度高,成本低,要求配置动态刷新电路,多用于容量较大的主存储器.