并行存储结构

A. 什么是并行存储结构

你到底是问软件还是硬件？软件属于编程范畴，我不懂。硬件上所谓的磁盘阵列就是属于并行存储结构，即利用多通道同时存储（读取）的方式来加快磁盘读取（存储）的速度，一般服务器上都用。

B. 路由器有哪几个主要接口

普通家用路由器的接口主要有三种，电源接口、WAN接口和LAN接口。

路由器是连接两个或多个网络的硬件设备，在网络间起网关的作用，是读取每一个数据包中的地址然后决定如何传送的专用智能性的网络设备。或姿

它能够理解不同的协议，例如某个局域网使用的以太网协议，因特网使用的TCP/IP协议。这样，路由器可以分析各种不同类型网络传来的数据包的目的地址，把非TCP/IP网络的地址转换成衫首绝TCP/IP地址，或者反之。

(2)并行存储结构扩展阅读：

路由器的核心是背板，高效率的背板有助于提高路由器的芹指性能。由于传统的共享总线式背板无法满足路由器的需要，所以采用结构可以用不同技术实现的交换式背板。

Banyan结构、Crossbar结构以及并行共享存储结构是交换式背板常用结构。

Banyan结构采用自路由技术和多级缓冲结构；Crossba结构是单级、单通路、非阻塞的结构，采用的是全互联网交换结构；并行共享储存结构是研究的一个热点。

C. 什么是存储器的四级存储结构

CPU一级、二级、三级缓存+外部RAM存储器总共是四级存储。

CPU缓存到硬盘，一级比一级快，如果没CPU缓存、内存，直接让CPU读取硬盘的话，CPU会一直等硬盘慢慢地把数据传过来给它处理，这样慢死了。所以先把硬盘上准备处理的数据传到内存等待，最急着处理的就由内存传到CPU缓存里，CPU可以以最高的速度读取要处理的数据。

(3)并行存储结构扩展阅读

目前，闪存阵列已经逐渐普及，新端口的固态硬盘、NVMe网络架构，使存储系统的性能有了大幅提升。未来，随着新技术带来的存储效率大幅提升，将有越来越多的企业选择闪存阵列来满足数据实时性应用需求。

高效、易于扩展的分布式平台引领存储架构新趋势。分布式存储系统采用可扩展的架构，不仅能提高存储的效率和数据的安全性，还可以进行性能和容量的横向扩展，解决大规模、高并发场景下的存储访问问题。

D. 简述SRAM,DRAM型存储器的工作原理

个人电脑的主要结构:
显示器
主机板
CPU
(微处理器)
主要储存器
(记忆体)
扩充卡
电源供应器
光盘机
次要储存器
(硬盘)
键盘
鼠标
尽管计算机技术自20世纪40年代第一台电子通用计算机诞生以来以来有了令人目眩的飞速发展，但是今天计算机仍然基本上采用的是存储程序结构，即冯·诺伊曼结构。这个结构实现了实用化的通用计算机。
存储程序结构间将一台计算机描述成四个主要部分：算术逻辑单元（ALU），控制电路，存储器，以及输入输出设备（I/O）。这些部件通过一组一组的排线连接（特别地，当一组线被用于多种不同意图的数据传输时又被称为总线），并且由一个时钟来驱动（当然某些其他事件也可能驱动控制电路）。
概念上讲，一部计算机的存储器可以被视为一组“细胞”单元。每一个“细胞”都有一个编号，称为地址；又都可以存储一个较小的定长信息。这个信息既可以是指令（告诉计算机去做什么），也可以是数据（指令的处理对象）。原则上，每一个“细胞”都是可以存储二者之任一的。
算术逻辑单元（ALU）可以被称作计算机的大脑。它可以做两类运算：第一类是算术运算，比如对两个数字进行加减法。算术运算部件的功能在ALU中是十分有限的，事实上，一些ALU根本不支持电路级的乘法和除法运算（由是使用者只能通过编程进行乘除法运算）。第二类是比较运算，即给定两个数，ALU对其进行比较以确定哪个更大一些。
输入输出系统是计算机从外部世界接收信息和向外部世界反馈运算结果的手段。对于一台标准的个人电脑，输入设备主要有键盘和鼠标，输出设备则是显示器，打印机以及其他许多后文将要讨论的可连接到计算机上的I/O设备。
控制系统将以上计算机各部分联系起来。它的功能是从存储器和输入输出设备中读取指令和数据，对指令进行解码，并向ALU交付符合指令要求的正确输入，告知ALU对这些数据做那些运算并将结果数据返回到何处。控制系统中一个重要组件就是一个用来保持跟踪当前指令所在地址的计数器。通常这个计数器随着指令的执行而累加，但有时如果指令指示进行跳转则不依此规则。
20世纪80年代以来ALU和控制单元（二者合成中央处理器，CPU）逐渐被整合到一块集成电路上，称作微处理器。这类计算机的工作模式十分直观：在一个时钟周期内，计算机先从存储器中获取指令和数据，然后执行指令，存储数据，再获取下一条指令。这个过程被反复执行，直至得到一个终止指令。
由控制器解释，运算器执行的指令集是一个精心定义的数目十分有限的简单指令集合。一般可以分为四类：1）、数据移动（如：将一个数值从存储单元A拷贝到存储单元B）2）、数逻运算（如：计算存储单元A与存储单元B之和，结果返回存储单元C）3）、条件验证（如：如果存储单元A内数值为100，则下一条指令地址为存储单元F）4）、指令序列改易（如：下一条指令地址为存储单元F）
指令如同数据一样在计算机内部是以二进制来表示的。比如说，10110000就是一条Intel
x86系列微处理器的拷贝指令代码。某一个计算机所支持的指令集就是该计算机的机器语言。因此，使用流行的机器语言将会使既成软件在一台新计算机上运行得更加容易。所以对于那些机型商业化软件开发的人来说，它们通常只会关注一种或几种不同的机器语言。
更加强大的小型计算机，大型计算机和服务器可能会与上述计算机有所不同。它们通常将任务分担给不同的CPU来执行。今天，微处理器和多核个人电脑也在朝这个方向发展。
超级计算机通常有着与基本的存储程序计算机显着区别的体系结构。它们通常由者数以千计的CPU，不过这些设计似乎只对特定任务有用。在各种计算机中，还有一些微控制器采用令程序和数据分离的哈佛架构（Harvard
architecture）。

E. 低位交叉存储器为什么能并行

低位交叉存储器能并行是因为采用流水线的方式并行存取。交叉存储器，又称低位交叉编址，是一种模块式的存储器，能并行执行多个独立的读、写操作。存储器单元实际上是时序逻辑电路的一种。

按存储器的使用类型可分为只读存储器（ROM）和随机存取存储器（RAM），两者的功能有较大的区别，因此在描述上也有所不同。存储器是许多存储单元的集合，按单元号顺序排列。

每个单元由若干二进制位构成，以表示存储单元中存放的数值，这种结构和数组的结构非常相似，故在VHDL语言中，通常由数组描述存储器。

工作原理

存储器是用来存储程序和各种数据信息的记忆部件。存储器可分为主存储器(简称主存或内存)和辅助存储器(简称辅存或外存)两大类。和CPU直接交换信息的是主存。

主存的工作方式是按存储单元的地址存放或读取各类信息，统称访问存储器。主存中汇集存储单元的载体称为存储体，存储体中每个单元能够存放一串二进制码表示的信息，该信息的总位数称为一个存储单元的字长。

存储单元的地址与存储在其中的信息是一一对应的，单元地址只有一个，固定不变，而存储在其中的信息是可以更换的。

以上内容参考：网络- 存储器

F. 双端口存储器和多模块交叉存储器属于( )存储器结构。前者采用( )技术，后者采用( )技术。

双端口汪纤存储器和多模块交叉存储器属于哪首并行存储器
前者采用空间并行技术，后李陵数者采用时间并行技术。

G. 存储系统

计算机对存储配中器的要求是容量大，速度快，成本低。为了解决这三方面的矛盾，计算机采用多级存储体系结构，即cache，主存和外存。cpu能直接发你给我内存（cache， 主存），但不能直接访问外存。存储器的技术指标有存储容量，存取时间，存储周期，存储器带宽。

广泛使用的SRAM和DRAM都是半导体随机读写存储器，前者速度比后者快，按集成度不如后者高。二者的有点是体积小，可靠性高，价格低廉，缺点是断电后不能保存信息。只读存储器和闪速存储器正好弥补了SRAM和DRAM的缺点，即使断电后也能保存原先使用的数据，特别是闪速存储器能提供高性能，低功耗，高可靠性以及瞬时启动能力，因而有可能使现有的存储器体系结构发生重大变化。

双端口存储器和多模块交叉存储器属于并行存储器结构。前者采用空间并行技术，后者采用时间并行技术。

相联存储器不是按地址而是按内容访问的存储器，在cache中用来存放地址表，在虚拟存储器中用来存放段表，页表和快表。在这两种应用中，都需要快速查找。

cache是一种告诉缓存存储器，是为了解决CPU和内存之间速度不匹配而采用的一项重要的硬件肢衫技术，并且发展为多节cache体系，指令cache和数据cache分设体系。要求cache的命中率接近于1.主存于cache的地址映射有全相连，直接，组相连三种方式。其中组相连方式是前两者的折中方案，适度的兼顾了两者的优点又尽量避免其缺点，从灵活性，命中率，硬件投资来说较为理想，因而得到普遍采用。

虚拟存储器指的是主存-外存层次，它给用户提供了一个比实际主存空间大得多的虚拟地址空间。因此虚拟存储器只是一个容量非常大的存储器分逻辑模型，不是任何实际的物理存储器，按照主存-外存层次的信息传送单位不同，虚拟存储器有页式，段式，段页式三类。

多个用户共享主存时，系统应提供存储保护。通常采用的方法存储区域保护和访培饥山问方式保护，并用硬件来实现。有些机器中提供特权指令来实现某种保护。

H. 单体多字结构和多体并行结构,多体并行结构里的高位交叉并行结构和低位交叉并行结构是什么意思

1.单体多字系统
适用于程序和数据在存储体内是连续存放的情况。在一个存取周期内，从同一地址取出多条指令，然后再逐条将指令送至CPU执行，这样增大了存储器的带宽，提高了单体存储器的速度。这里的单体应该就是一个模块，但是每次可以读取多个字，可以和多体进行比较。
（图在唐朔飞态亏老师的计算机组成原理书的103页）
2.多体并行系统
有多个模块，每个模块有相同的容量以帆迟神及存取速度，各模块各自都有独立的地址寄存器（MAR），数据寄存器（MDR），地址译码，驱动电路和读旦凳写电路，他们能够并行工作，同时也能交叉工作（什么是交叉工作？），但是并行读出的数据在总线上需要分时传送。

I. 什么是多模块存储器的低位交叉编址方式低位交叉编址如何提高存储性能

3.4.2多模块交叉存储器
1.存储器的模块化组织
一个由若干个模块组成的主存储器是线性编址的。
这些地址在各模块有两种安排方式：一种是顺序方式，一种是交叉方式。
顺序方式：某个模块进行存取时，其他模块不工作，某一模块出现故障时，其他模块可以照常工作，
通过增添模块来扩充存储器容量比较方便。但各模块串行工作，存储器的带宽受到了限制。
交叉方式：地址码的低位字段经过译码选择不同的模块,而高位字段指向相应模块内的存储字。连续
地址分布在相邻的不同模块内，同一个模块内的地址都是不连续的。对连续字的成块传送可实现多模块
流水式并行存取，大大提高存储器的带宽。
2.多模块交叉存储器的基本结构
四模块交叉存储器结构框图演示
每个模块各自以等同的方式与CPU传送信息。CPU同时访问四个模块，由存储器控制部件控制它们分时
使用数据总线进行信息传递。这是一种并行存储器结构。
下面做定量分析：我们认为模块字长等于数据总线宽度，模块存取一个字的存储周期为T，总线传送周期为τ，存储器的交叉模块数为m，为了实现流水线方式存取，应当满足
T=mτ （m=T/τ称为交叉存取度）
交叉存储器要求其模块数必须大于或等于m，以保证启动某模块后经mτ时间再次启动该模块时，它的上次存取操作已经完成。这样，连续读取m 个字所需的时间为
t1=T+(m-1)τ
而顺序方式存储器连续读取m个字所需时间为t2=mT.交叉存储器的带宽确实大大提高了。
m=4的流水线方式存取示意图如下
图3.31流水线方式存取示意图
【例4】 设存储器容量为32字，字长64位，模块数m=4，分别用顺序方式和交叉方式进行组织。存储周期
T=200ns，数据总线宽度为64位，总线传送周期τ=50ns。问顺序存储器和交叉存储器的带宽各是多少?
【解】
顺序存储器和交叉存储器连续读出m=4个字的信息总量都是：
q=64位×4=256位
顺序存储器和交叉存储器连续读出4个字所需的时间分别是：
t2=mT=4×200ns=800ns=8×10-7s;
t1=T+(m-1)=200ns+30ns=350ns=35×10-7s
顺序存储器和交叉存储器的带宽分别是：
W2=q/t2=256÷(8×10-7)=32×107［位/s］;
W1=q/t1=256÷(35×10-7)=73×107［位/s］
3.二模块交叉存储器举例
二模块交叉存储器方框图演示
DRAM存储器读/写周期时，在行选通信号RAS有效下输入行地址，在列选通信号CAS有效下输入列地址。
如果是读周期，此位组内容被读出；如果是写周期，将总线上数据写入此位组。刷新周期是在RAS有效下
输入刷新地址，此地址指示的一行所有存储元全部被再生。A20—A3的18位地址用于模块中256K个存储字
的选择。A2用模块选择 ，连续的存储字交错分布在两个模块上，偶地址在模块0，奇地址在模块1。
DRAM存储器需要逐行定时刷新，而且,DRAM芯片的读出是一种破坏性读出，因此在读取之后要立即按读
出信息予以充电再生。 这样，若CPU先后两次读取的存储字使用同一RAS选通信号的话，CPU在接收到第一
个存储字之后必须插入等待状态，直至前一存储字再生完毕才开始第二个存储字的读取。
无等待状态成块存取示意图演示
由于采用m=2的交叉存取度的成块传送，两个连续地址字的读取之间不必插入等待状态（零等待存取）。

J. 存储器的结构

1cpu的内部
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存储器结构


存储器结构

第一层：通用寄存器堆
第二层：指令与数据缓冲栈
第三层：高速缓冲存储器
第四层：主储存器（DRAM）
第五层：联机外部储存器（硬磁盘机）
第六层：脱机外部储存器（磁带、光盘存储器等）
这就是存储器的层次结构~~~ 主要体现在访问速度~~~

2工作特点
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存储器结构

存储器结构① 设置多个存储器并且使他们并行工作。本质：增添瓶颈部件数目，使它们并行工作，从而减缓固定瓶颈。
② 采用多级存储系统，特别是Cache技术，这是一种减轻存储器带宽对系统性能影响的最佳结构方案。本质：把瓶颈部件分为多个流水线部件，加大操作时间的重叠、提高速度，从而减缓固定瓶颈。

③ 在微处理机内部设置各种缓冲存储器，以减轻对存储器存取的压力。增加CPU中寄存器的数量，也可大大缓解对存储器的压力。本质：缓冲技术，用于减缓暂时性瓶颈。
一、RAM(Random Access Memory，随机存取存储器)
RAM的特点是：电脑开机时，操作系统和应用程序的所有正在运行的数据和程序都会放置其中，并且随时可以对存放在里面的数据进行修改和存取。它的工作需要由持续的电力提供，一旦系统断电，存放在里面的所有数据和程序都会自动清空掉，并且再也无法恢复。

3具体结构分类
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根据组成元件的不同，RAM内存又分为以下十八种：

01.DRAM（Dynamic RAM，动态随机存取存储器）
这是最普通的RAM，一个电子管与一个电容器组成一个位存储单元，DRAM将每个内存位作为一个电荷保存在位存储


存储器结构

存储器结构单元中，用电容的充放电来做储存动作，但因电容本身有漏电问题，因此必须每几微秒就要刷新一次，否则数据会丢失。存取时间和放电时间一致，约为2~4ms。因为成本比较便宜，通常都用作计算机内的主存储器。
02.SRAM（Static RAM，静态随机存取存储器）
静态，指的是内存里面的数据可以长驻其中而不需要随时进行存取。每6颗电子管组成一个位存储单元，因为没有电容器，因此无须不断充电即可正常运作，因此它可以比一般的动态随机处理内存处理速度更快更稳定，往往用来做高速缓存。

03.VRAM（Video RAM，视频内存）

它的主要功能是将显卡的视频数据输出到数模转换器中，有效降低绘图显示芯片的工作负担。它采用双数据口设计，其中一个数据口是并行式的数据输出入口，另一个是串行式的数据输出口。多用于高级显卡中的高档内存。

04.FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM，快速页切换模式动态随机存取存储器）
改良版的DRAM，大多数为72PIN或30Pin的模块。传统的DRAM在存取一个BIT的数据时，必须送出行地址和列地址各一次才能读写数据。而FRM DRAM在触发了行地址后，如果CPU需要的地址在同一行内，则可以连续输出列地址而不必再输出行地址了。由于一般的程序和数据在内存中排列的地址是连续的，这种情况下输出行地址后连续输出列地址就可以得到所需要的数据。FPM将记忆体内部隔成许多页数Pages，从512B到数KB不等，在读取一连续区域内的数据时，就可以通过快速页切换模式来直接读取各page内的资料，从而大大提高读取速度。在96年以前，在486时代和PENTIUM时代的初期，FPM DRAM被大量使用。

05.EDO DRAM（Extended Data Out DRAM，延伸数据输出动态随机存取存储器）
这是继FPM之后出现的一种存储器，一般为72Pin、168Pin的模块。它不需要像FPM DRAM那样在存取每一BIT 数据时必须输出行地址和列地址并使其稳定一段时间，然后才能读写有效的数据，而下一个BIT的地址必须等待这次读写操作完成才能输出。因此它可以大大缩短等待输出地址的时间，其存取速度一般比FPM模式快15%左右。它一般应用于中档以下的Pentium主板标准内存，后期的486系统开始支持EDO DRAM，到96年后期，EDO DRAM开始执行。。


存储器结构

存储器结构06.BEDO DRAM（Burst Extended Data Out DRAM，爆发式延伸数据输出动态随机存取存储器）
这是改良型的EDO DRAM，是由美光公司提出的，它在芯片上增加了一个地址计数器来追踪下一个地址。它是突发式的读取方式，也就是当一个数据地址被送出后，剩下的三个数据每一个都只需要一个周期就能读取，因此一次可以存取多组数据，速度比EDO DRAM快。但支持BEDODRAM内存的主板可谓少之又少，只有极少几款提供支持（如VIA APOLLO VP2），因此很快就被DRAM取代了。
07.MDRAM（Multi-Bank DRAM，多插槽动态随机存取存储器）
MoSys公司提出的一种内存规格，其内部分成数个类别不同的小储存库 (BANK)，也即由数个属立的小单位矩阵所构成，每个储存库之间以高于外部的资料速度相互连接，一般应用于高速显示卡或加速卡中，也有少数主机板用于L2高速缓存中。

08.WRAM（Window RAM，窗口随机存取存储器）
韩国Samsung公司开发的内存模式，是VRAM内存的改良版，不同之处是它的控制线路有一、二十组的输入/输出控制器，并采用EDO的资料存取模式,因此速度相对较快，另外还提供了区块搬移功能（BitBlt），可应用于专业绘图工作上。

09.RDRAM（Rambus DRAM，高频动态随机存取存储器）
Rambus公司独立设计完成的一种内存模式，速度一般可以达到500~530MB/s，是DRAM的10倍以上。但使用该内存后内存控制器需要作相当大的改变，因此它们一般应用于专业的图形加速适配卡或者电视游戏机的视频内存中。

10.SDRAM（Synchronous DRAM，同步动态随机存取存储器）
这是一种与CPU实现外频Clock同步的内存模式，一般都采用168Pin的内存模组，工作电压为3.3V。 所谓clock同步是指内存能够与CPU同步存取资料，这样可以取消等待周期，减少数据传输的延迟，因此可提升计算机的性能和效率。

11.SGRAM（Synchronous Graphics RAM，同步绘图随机存取存储器）
SDRAM的改良版，它以区块Block，即每32bit为基本存取单位，个别地取回或修改存取的资料，减少内存整体读写的次数，另外还针对绘图需要而增加了绘图控制器，并提供区块搬移功能（BitBlt），效率明显高于SDRAM。

12.SB SRAM（Synchronous Burst SRAM，同步爆发式静态随机存取存储器）
一般的SRAM是异步的，为了适应CPU越来越快的速度，需要使它的工作时脉变得与系统同步，这就是SB SRAM产生的原因。

13.PB SRAM（Pipeline Burst SRAM，管线爆发式静态随机存取存储器）
CPU外频速度的迅猛提升对与其相搭配的内存提出了更高的要求，管线爆发式SRAM取代同步爆发式SRAM成为必然的选择，因为它可以有效地延长存取时脉，从而有效提高访问速度。

14.DDR SDRAM（Double Data Rate二倍速率同步动态随机存取存储器）
作为SDRAM的换代产品，它具有两大特点：其一，速度比SDRAM有一倍的提高；其二，采用了DLL（Delay Locked Loop：延时锁定回路）提供一个数据滤波信号。这是目前内存市场上的主流模式。

15.SLDRAM （Synchronize Link，同步链环动态随机存取存储器）
这是一种扩展型SDRAM结构内存，在增加了更先进同步电路的同时，还改进了逻辑控制电路，不过由于技术显示，


存储器结构

存储器结构投入实用的难度不小。
16.CDRAM（CACHED DRAM，同步缓存动态随机存取存储器）
这是三菱电气公司首先研制的专利技术，它是在DRAM芯片的外部插针和内部DRAM之间插入一个SRAM作为二级CACHE使用。当前，几乎所有的CPU都装有一级CACHE来提高效率，随着CPU时钟频率的成倍提高，CACHE不被选中对系统性能产生的影响将会越来越大，而CACHE DRAM所提供的二级CACHE正好用以补充CPU一级CACHE之不足，因此能极大地提高CPU效率。

17.DDRII(Double Data Rate Synchronous DRAM，第二代同步双倍速率动态随机存取存储器)
DDRII 是DDR原有的SLDRAM联盟于1999年解散后将既有的研发成果与DDR整合之后的未来新标准。DDRII的详细规格目前尚未确定。

18.DRDRAM (Direct Rambus DRAM)
是下一代的主流内存标准之一，由Rambus 公司所设计发展出来，是将所有的接脚都连结到一个共同的Bus，这样不但可以减少控制器的体积，已可以增加资料传送的效率。

二、ROM(READ Only Memory，只读存储器)

ROM是线路最简单半导体电路，通过掩模工艺，一次性制造，在元件正常工作的情况下，其中的代码与数据将永久保存，并且不能够进行修改。一般应用于PC系统的程序码、主机板上的 BIOS (基本输入/输出系统Basic Input/Output System)等。它的读取速度比RAM慢很多。

4组成元件分类
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ROM内存又分为以下五种：


存储器结构

存储器结构1.MASK ROM（掩模型只读存储器）
制造商为了大量生产ROM内存，需要先制作一颗有原始数据的ROM或EPROM作为样本，然后再大量复制，这一样本就是MASK ROM，而烧录在MASK ROM中的资料永远无法做修改。它的成本比较低。
2.PROM（Programmable ROM，可编程只读存储器）
这是一种可以用刻录机将资料写入的ROM内存，但只能写入一次，所以也被称为“一次可编程只读存储器”(One Time Progarmming ROM，OTP-ROM)。PROM在出厂时，存储的内容全为1，用户可以根据需要将其中的某些单元写入数据0(部分的PROM在出厂时数据全为0，则用户可以将其中的部分单元写入1)， 以实现对其“编程”的目的。

3.EPROM（Erasable Programmable，可擦可编程只读存储器）
这是一种具有可擦除功能，擦除后即可进行再编程的ROM内存，写入前必须先把里面的内容用紫外线照射它的IC卡上


存储器结构

存储器结构的透明视窗的方式来清除掉。这一类芯片比较容易识别，其封装中包含有“石英玻璃窗”，一个编程后的EPROM芯片的“石英玻璃窗”一般使用黑色不干胶纸盖住， 以防止遭到阳光直射。
4.EEPROM（Electrically Erasable Programmable，电可擦可编程只读存储器）
功能与使用方式与EPROM一样，不同之处是清除数据的方式，它是以约20V的电压来进行清除的。另外它还可以用电信号进行数据写入。这类ROM内存多应用于即插即用（PnP）接口中。

5.Flash Memory（快闪存储器）
这是一种可以直接在主机板上修改内容而不需要将IC拔下的内存，当电源关掉后储存在里面的资料并不会流失掉，在写入资料时必须先将原本的资料清除掉，然后才能再写入新的资料，缺点为写入资料的速度太慢。