静态随机存储器

❶ 静态随机存储器工作方式

按产生时间和工作方式来分，静态随机存储器也分为异步和同步。在一定的纳米制造技术下，SRAM容量比其他类型内存低，这是因为SRAM需要用更多的晶体管存储一个位（bit），因而造价也贵得多。静态随机存储器多用于二级高速缓存（Level 2 Cache）。
1. Async SRAM 异步静态随机存储器
自从第一个带有二级高速缓存（Cache）的386计算机出现以来，这种老型号的属于“Cache RAM（缓存型随机存储器）”类型的内存就开始应用了。异步静态随机存储器比DRAM快些，并依赖于CPU的时钟，其存取速度有12ns、15ns和18ns三种，值越小，表示存取数据的速度越快。但在存取数据时，它还没有快到能够与CPU保持同步，CPU必须等待以匹配其速度。
2. Sync Burst SRAM同步突发静态随机存储器
在计算机界存在这样的争论：Sync Burst SRAM 和FB SRAM 谁更快些？诚然，在总线速度为66MHz的系统上，Sync Burst SRAM确实是最快的，但当总线速度超过66MHz时（比如Cyrix公司的6x86p200＋型号），Sync burst SRAM就超负荷了，大大低于PB SRAM 传输速度。因此用现行的Pentium主板（总线速度为66MHz），我们应该采用Sync Burst SRAM，这样效率最高、速度最快。但目前的问题是：生产支持Sync Burst SRAM的主板供应商很少，所以能支持Sync Burst SRAM的主板的价格都很高。
3. PB SRAM 管道突发静态随机存储器
管道（Pipeline，或流水线）的意思是：通过使用输入输出寄存器，一个SRAM可以形成像“管道”那样的数据流水线传输模式。在装载填充寄存器时，虽然需要一个额外的启动周期，但寄存器一经装载，就可产生这样的作用：在用现行的地址提供数据的同时能提前存取下一地址。在总线速度为75MHz和高于75MHz时，这种内存是最快的缓存型随机存储器（Cache RAM）。实际上，PB SRAM可以匹配总线速度高达133MHz的系统。同时，在较慢的系统中，PB SRAM也并不比Sync Burst SRAM慢多少。
应用PB SRAM，可达到4.5到8ns的“地址－数据”时间。

❷ 静态随机存储器

静态随机存储器被攻击怎么办???

❸ sram存储器是静态只读存储器 静态随机存储器 动态只读存储器还是动态随机存储器啊

是静态随机存储器，DRAM是动态随机存储器
静态随机存储器
SRAM（Static Random Access Memory），即静态随机存取存储器。它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。
动态随机存储器
动态随机存储器(dynamic random access memory) 采用动态存储单元的随机存储器，简称DRAM或动态RAM。
一般计算机系统使用的随机存取内存(RAM)可分动态(DRAM)与静态随机存取内存(SRAM)两种，差异在于DRAM需要由存储器控制电路按一定周期对存储器刷新，才能维系数据保存，SRAM的数据则不需要刷新过程，在上电期间，数据不会丢失。

❹ 静态的随机存储器和动态的随机存储器的根本区别是什么它们各有何优缺点各适用于什么场合

楼主给你个专业的回答参考下吧
SRAM静态的随机存储器： 特点是工作速度快，只要电源不撤除，写入SRAM的信息就不会消失，不需要刷新电路，同时在读出时不破坏原来存放的信息，一经写入可多次读出，但集成度较低，功耗较大。SRAM一般用来作为计算机中的高速缓冲存储器(Cache)。
DRAM是动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory)： 它是利用场效应管的栅极对其衬底间的分布电容来保存信息，以存储电荷的多少，即电容端电压的高低来表示“1”和“0”。DRAM每个存储单元所需的场效应管较少，常见的有4管，3管和单管型DRAM。因此它的集成度较高，功耗也较低，但缺点是保存在DRAM中的信息__场效应管栅极分布电容里的信息随着电容器的漏电而会逐渐消失，一般信息保存时间为2ms左右。为了保存DRAM中的信息，必须每隔1～2ms对其刷新一次。因此，采用 DRAM的计算机必须配置动态刷新电路，防止信息丢失。DRAM一般用作计算机中的主存储器。

❺ SRAM ,静态随机存储器，和flash闪存的区别，

flash就是rom呀，sram就是静态随机储存器呀；sram是程序加载的地方，flash就是放程序的地方；rom只是一种形象的称呼，意思就是掉电不丢失的储存器，因为以前有PROM,EPROM,E2PROM;现在都是闪存flash的天下，因为flash容量大。所以你不要怀疑别人芯片，应该多看看这方面的技术资料。

❻ 动态随机存储器和静态随机存储器有什么区

SRAM也称动态随机存储器，其特点是工作速度快，只要电源不撤除，写入SRAM的信息就不会消失，不需要刷新电路，同时在读出时不破坏原来存放的信息，一经写入可多次读出，但集成度较低，功耗较大。SRAM一般用来作为计算机中的高速缓冲存储器(Cache)。

DRAM是动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory)，它是利用场效应管的栅极对其衬底间的分布电容来保存信息，以存储电荷的多少，即电容端电压的高低来表示“1”和“0”。DRAM每个存储单元所需的场效应管较少，常见的有4管，3管和单管型DRAM。因此它的集成度较高，功耗也较低，但缺点是保存在DRAM中的信息__场效应管栅极分布电容里的信息随着电容器的漏电而会逐渐消失，一般信息保存时间为2ms左右。为了保存DRAM中的信息，必须每隔1～2ms对其刷新一次。因此，采用 DRAM的计算机必须配置动态刷新电路，防止信息丢失。DRAM一般用作计算机中的主存储器。

❼ 存储器和静态随机存储器有什么区别

静态存储器是各种存储器中的一个分类。存储器分为半导体存储器和非半导体存储器（例如磁盘、光盘）。而半导体存储器又分为如下的种类：

可以看出，静态存储器是半导体存储器中的随机存取存储器中的一个种类。在当今的计算机中往往用作Cache的实现。

❽ 主存储器的分类中RAM为何叫做随机存储器，动态和静态的（DRAM和SRAM）又是按什么原理分的

DRAM，动态随机存取存储器，需要不断的刷新，才能保存数据。

而且是行列地址复用的，许多都有页模式。
SRAM，静态的随机存取存储器，加电情况下，不需要刷新，数据
不会丢失，而且，一般不是行列地址复用的。
SDRAM，同步的DRAM，即数据的读写需要时钟来同步。
DRAM和SDRAM由于实现工艺问题，容量较SRAM大。但是读写速度不如SRAM，但是现在，SDRAM的速度也已经很快了，时钟好像已经有150兆的了。那么就是读写周期小于10ns了。SDRAM虽然工作频率高，但是实际吞吐率要打折扣。以PC133为例，它的时钟周期是7.5ns，当CAS latency=2 时，它需要12个周期完成8个突发读操作，10个周期完成8个突发写操作。不过，如果以交替方式访问Bank，SDRAM可以在每个周期完成一个读写操作（当然除去刷新操作）。其实现在的主流高速存储器是SSRAM（同步SRAM）和SDRAM（同步DRAM）。目前可以方便买到的SSRAM最大容量是8Mb/片，最大工作速度是166MHz；可以方便买到的SDRAM最大容量是128Mb/片，最大工作速度是133MHz。

SRAM是Static Random Access Memory的缩写，中文含义为静态随机访问存储器，它是一种类型的半导体存储器。“静态”是指只要不掉电，存储在SRAM中的数据就不会丢失。这一点与动态RAM（DRAM）不同，DRAM需要进行周期性的刷新操作。 然后，我们不应将SRAM与只读存储器（ROM）和Flash Memory相混淆，因为SRAM是一种易失性存储器，它只有在电源保持连续供应的情况下才能够保持数据。“随机访问”是指存储器的内容可以以任何顺序访问，而不管前一次访问的是哪一个位置。

SRAM中的每一位均存储在四个晶体管当中，这四个晶体管组成了两个交叉耦合反向器。这个存储单元具有两个稳定状态，通常表示为0和1。另外还需要两个访问晶体管用于控制读或写操作过程中存储单元的访问。因此，一个存储位通常需要六个MOSFET。对称的电路结构使得SRAM的访问速度要快于DRAM。SRAM比DRAM访问速度快的另外一个原因是SRAM可以一次接收所有的地址位，而DRAM则使用行地址和列地址复用的结构。

SRAM不应该与SDRAM相混淆，SDRAM代表的是同步DRAM（Synchronous DRAM），这与SRAM是完全不同的。SRAM也不应该与PSRAM相混淆，PSRAM是一种伪装成SRAM的DRAM。

从晶体管的类型分，SRAM可以分为双极性与CMOS两种。从功能上分，SRAM可以分为异步SRAM和同步SRAM（SSRAM）。异步SRAM的访问独立于时钟，数据输入和输出都由地址的变化控制。同步SRAM的所有访问都在时钟的上升/下降沿启动。地址、数据输入和其它控制信号均于时钟信号相关。

DRAM：动态随机存取存储器，需要不断的刷新，才能保存数据。而且是行列地址复用的，许多都有页模式

。

SRAM：静态的随机存取存储器，加电情况下，不需要刷新，数据不会丢失，而且，一般不是行列地址复用

的。

SDRAM：同步的DRAM，即数据的读写需要时钟来同步。

主要是存储单元结构不同导致了容量的不同。一个DRAM存储单元大约需要一个晶体管和一个电容（不

包括行读出放大器等），而一个SRAM存储单元大约需要六个晶体管。DRAM和SDRAM由于实现工艺问题，容量

较SRAM大，但是读写速度不如SRAM。

一个是静态的，一个是动态的，静态的是用的双稳态触发器来保存信息，而动态的是用电子，要不时

的刷新来保持。
内存（即随机存贮器RAM）可分为静态随机存储器SRAM，和动态随机存储器DRAM两种。我们经常说的“

内存”是指DRAM。而SRAM大家却接触的很少。
SRAM其实是一种非常重要的存储器，它的用途广泛。SRAM的速度非常快，在快速读取和刷新时能够保

持数据完整性。SRAM内部采用的是双稳态电路的形式来存储数据。所以SRAM的电路结构非常复杂。制造相

同容量的SRAM比DRAM的成本高的多。正因为如此，才使其发展受到了限制。因此目前SRAM基本上只用于CPU

内部的一级缓存以及内置的二级缓存。仅有少量的网络服务器以及路由器上能够使用SRAM。