sram存储单元数目

㈠ 主存中每个存储单元几个字节

一个字节为8位，即1Byte=
8b。
如果是SAM之类的，其上有标识。如
SRAM
芯片6264
的容量为8K×8
bit，其每个存储单元含8b，共有8x1024个存储单元。
Pentium(586)等微处理器构成的计算机，它们的字长是32
位。即4个字节。
现在的64位处理器，字长为64位，即每个存储单元含64b=8Byte，8个字节。

㈡ 需要多少个容量为16K*8位SRAM芯片才能构成64*8位存储单元

4片啊！2^16=64K，所以要16根地址线，最高位是2^16=0xffffH!

㈢ 在容量为8K×8的存储芯片中，共有多少个存储单元

字节8位即1Byte= 8b

SAM类其标识 SRAM 芯片6264 容量8K×8 bit其每存储单元含8b共8x1024存储单元

Pentium(586)等微处理器构计算机字32 位即4字节
现64位处理器字64位即每存储单元含64b=8Byte8字节

㈣ 为什么SRAM 芯片HM6116的存储单元是一位

在计算机中最小的信息单位是bit，也就是一个二进制位，8个bit组成一个Byte，也就是字节。一个存储单元可以存储一个字节，也就是8个二进制位。
6116有11根地址线，2的11次幂=2048，所以每个存储单元容量就是2K。

㈤ 主存中每个存储单元几个字节

一个字节为8位，即1Byte= 8b。

如果是SAM之类的，其上有标识。如 SRAM 芯片6264 的容量为8K×8 bit，其每个存储单元含8b，共有8x1024个存储单元。

Pentium(586)等微处理器构成的计算机，它们的字长是32 位。即4个字节。
现在的64位处理器，字长为64位，即每个存储单元含64b=8Byte，8个字节。

㈥ 计算机的“dram”和“sram”分别是什么意思，有什么区别

按照存储信息的不同，随机存储器分为静态随机存储器（Static RAM,SRAM)和动态随机存储器（Dynamic RAM,DRAM)。

静态存储单元（SRAM）
●存储原理：由触发器存储数据
●单元结构：六管NMOS或OS构成
●优点：速度快、使用简单、不需刷新、静态功耗极低；常用作Cache
●缺点：元件数多、集成度低、运行功耗大
●常用的SRAM集成芯片：6116(2K×8位)，6264(8K×8位)，62256(32K×8位)，2114(1K×4位)

动态存储单元（DRAM）
●存贮原理：利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理，需刷新（早期：三管基本单元；现在：单管基本单元）
●刷新(再生)：为及时补充漏掉的电荷以避免存储的信息丢失，必须定时给栅极电容补充电荷的操作
●刷新时间：定期进行刷新操作的时间。该时间必须小于栅极电容自然保持信息的时间（小于2ms）。
●优点： 集成度远高于SRAM、功耗低，价格也低
●缺点：因需刷新而使外围电路复杂；刷新也使存取速度较DRAM慢，所以在计算机中，SRAM常用于作主存储器。
尽管如此，由于DRAM[1]存储单元的结构简单，所用元件少，集成度高，功耗低，所以目前已成为大容量RAM的主流产品。

㈦ 某SRAM芯片的存储容量为64k*16位，该芯片的地址线和数据线数目为多少

SRAM芯片的存储容量为64k*16位，该芯片的地址线是16根，数据线是16根。

存储容量的计算公式是：2^n，其中n就表示地址线的数目。2^16=65536，在计算机中就称其存储容量最大可扩展为64K。存储器芯片容量=单元数×数据线位数，因此64k*16位芯片的数据线是16根。

SRAM的中文意思就是静态随机存取存储器，是随机存取存储器的一种。所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。

相对之下，动态随机存取存储器（DRAM）里面所储存的数据就需要周期性地更新。然而，当电力供应停止时，SRAM储存的数据还是会消失（被称为volatile memory），这与在断电后还能储存资料的ROM或闪存是不同的。

(7)sram存储单元数目扩展阅读

SRAM主要用途：

SRAM主要用于二级高速缓存（Level2 Cache)。它利用晶体管来存储数据。与DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面积中SRAM的容量要比其他类型的内存小。

SRAM的速度快但昂贵，一般用小容量的SRAM作为更高速CPU和较低速DRAM 之间的缓存（cache）。

SRAM也有许多种，如AsyncSRAM (Asynchronous SRAM，异步SRAM）、Sync SRAM (Synchronous SRAM，同步SRAM）、PBSRAM (Pipelined Burst SRAM，流水式突发SRAM），还有INTEL没有公布细节的CSRAM等。

SRAM一般可分为五大部分：存储单元阵列（core cells array），行/列地址译码器(decode），灵敏放大器(Sense Amplifier），控制电路（control circuit），缓冲/驱动电路（FFIO）。

SRAM是静态存储方式，以双稳态电路作为存储单元，SRAM不像DRAM一样需要不断刷新，而且工作速度较快，但由于存储单元器件较多，集成度不太高，功耗也较大。

㈧ 若256K位的SRAM的芯片具有8条数据线，则它具有的地址线条数为多少

256K位的SRAM的芯片具有8条数据线
说明有256×1024个存储单元
有8条数据线说明可同时连接8的地址单元

说明还需要256×1024/8个地址来表示每8个地址

就是32×1024个不同的值

多少位地址可以表示这么多数？也就是2的多少次方大于等于这个数？

所以答案是15