1T1C存储器

❶ 电脑16G 512G PCIE +1T是什么意思

1、16G指的是电脑拥有16G的物理内存，大容量的内存可以保证同时运行更多的应用，而且为应用提供更多的缓存空间，加快应用加载和运行的速度。

2、512G PCIE指的是电脑配置有512G容量的PCIE接口固态硬盘。固态硬盘可以提升系统启动的速度和应用的加载和运行速度

3、1T指的是配置容量为1T的机械硬盘。大容量的机械硬盘为用户提供更多的存储空间，用来存放各种文件。

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电脑其他硬件指标：

1、CPU主频

主频是CPU工作的时钟频率，是时钟周期的倒数，它为计算机工作提供一个基准的时间。例如，Intel的CPU i3 4160的主频为3.6GHz。同等条件下，CPU的主频越高，处理速度也越快，性能越高。

2、读写速度

存储器的读写速度可以用存取时间或者存取周期来表示。存取时间又称存储器的访问时间，是指访问一次存储器所需的时间。存取时间分为读出时间和写入时间，读出时间是从存储器接到有效地址开始到把数据有效输出到数据总线整个过程所需的时间，写入时间是从存储器接收到有效地址开始到数据写入指定的存储单元为止所需的时间。

3、缓存容量

随着技术的进步，CPU的性能和存储器的性能都在提升，但存储器性能提升的速度远远赶不上CPU性能提升的速度。虽然存储器经历了DDR、DDR2、DDR3甚至DDR4这样的发展，但是其与CPU的发展速度上的差距还在拉大，为了解决CPU和存储器速度不匹配的问题，在CPU和存储器之间引入了缓存。

缓存的读写速度比存储器（主存）快很多，可以把CPU最近经常访问的数据从主存暂时放到缓存里面，这样可以减少访存的时间，提升计算机整体的性能。缓存的容量越大，当然对计算机性能提升的帮助越大，但其成本也会升高。为了进一步提升性能，缓存的级数也在增加。由原来一级缓存扩展到二级、三级缓存。

4、输入／输出传输速率

计算机还需要和外设如硬盘、打印机等交换数据，因此计算机和外设通信时的输入输出数据传输速率也是计算机性能的一部分。以硬盘为例，目前主流的硬盘如西部数据的一款硬盘性能为1TB SATA3 64M。说明这个硬盘的容量为1TB（1000GB），总线接口为SATA3型接口，缓存为64MB，转速为7200转／分钟，它的传输速率可以达到150MB/s左右。固态硬盘的传输速率可以达到500MB/s左右，是未来大容量存储设备的发展方向。

❷ SDRM PSRAM SRAM PRAM各与各的区别是什么

1、SDRAM，即Synchronous DRAM（同步动态随机存储器），曾经是PC电脑上最为广泛应用的一种内存类型，即便在今天SDRAM仍旧还在市场占有一席之地。既然是“同步动态随机存储器”，那就代表着它的工作速度是与系统总线速度同步的。SDRAM内存又分为PC66、PC100、PC133等不同规格，而规格后面的数字就代表着该内存最大所能正常工作系统总线速度，比如PC100，那就说明此内存可以在系统总线为100MHz的电脑中同步工作。

与系统总线速度同步，也就是与系统时钟同步，这样就避免了不必要的等待周期，减少数据存储时间。同步还使存储控制器知道在哪一个时钟脉冲期由数据请求使用，因此数据可在脉冲上升期便开始传输。SDRAM采用3.3伏工作电压，168Pin的DIMM接口，带宽为64位。SDRAM不仅应用在内存上，在显存上也较为常见。
2、
PSRAM具有一个单晶体管的DRAM储存格，与传统具有六个晶体管的SRAM储存格或是四个晶体管与two-load resistor SRAM 储存格大不相同，但它具有类似SRAM的稳定接口，内部的DRAM架构给予PSRAM一些比low-power 6T SRAM优异的长处，例如体积更为轻巧，售价更具竞争力。目前在整体SRAM市场中，有90%的制造商都在生产PSRAM组件。在过去两年，市场上重要的SRAM/PSRAM供货商有Samsung、Cypress、Renesas、Micron与Toshiba等。

编辑本段PSRAM与SRAM的比较：基本原理PSRAM就是伪SRAM，内部的内存颗粒跟SDRAM的颗粒相似，但外部的接口跟SRAM相似，不需要SDRAM那样复杂的控制器和刷新机制，PSRAM的接口跟SRAM的接口是一样的。
容量PSRAM容量有4Mb,8Mbit,16Mbit,32Mbit等等，容量没有SDRAM那样密度高，但肯定是比SRAM的容量要高很多的，速度支持突发模式，并不是很慢，Hynix，Fidelix,Coremagic, WINBOND .MICRON. CY 等厂家都有供应，价格只比相同容量的SDRAM稍贵一点点，比SRAM便宜很多。

编辑本段主要应用PSRAM主要应用于手机，电子词典，掌上电脑，PDA,PMP.MP3/4,GPS接收器等消费电子产品与SRAM(采用6T的技术)相比,PSRAM采用的是1T+1C的技术,所以在体积上更小,同时,PSRAM的I/O接口与SRAM相同.在容量上,目前有4MB,8MB,16MB,32MB,64MB和128MB。目前智能手机基本采用256MB以上的PSRAM，很多采用512MB。比较于SDRAM,PSRAM的功耗要低很多。所以对于要求有一定缓存容量的很多便携式产品是一个理想的选择。

编辑本段目前发展现状：东芝(Toshiba)、NEC Electronics和富士通(Fujitsu)三家公司日前共同提出PSRAM (Pseudo Static Random Access Memory)第四版的标准接口规范，也称之为CSOMORAM Rev. 4 (COmmon Specifications for MObile RAM)是用于移动RAM的通用规范。三家公司将各自生产与销售自家产品，产品最快可在2007年3月推出。上述三家公司在1998年9月首次提出通用规范，将堆栈多芯片封装(MCP)通用接口规范共享给包括闪存和SRAM在内的移动设备。随后，他们在2002、2003和2004年分别对其进行了修订，增加了页面模式和突发模式等规格。COSMORAM Rev. 4为Pseudo SRAM增加了双速率突发(DDR突发)模式。
3、SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积，且功耗较大。所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积。
4、
PRAM是韩国三星公司推出的一款存储器，相比普通的DRAM和闪存，PRAM具有高速低功耗的特点。如果发展顺利的话，预计PRAM将从2007年起逐步取代闪存，成为下一代存储器产品中的主导力量。

PRAM内存可在芯片供电中断时保存数据，与普通闪存的工作原理相同。但PRAM写入数据的速度要比闪存块30倍，其寿命周期也将至少提高十倍。

ITRI可能不是第一家销售PRAM内存产品的商家。全球最大芯片制造商三星公司在去年发布了512MB新内存原型，并有望在明年早些时候上市销售。但ITRI其他公司有可能以更大的内存容量和不同功能来击败三星。

其他芯片制造商也在积极开发相变内存，其中有英特尔公司、IBM公司、Qimonda公司、意法半导体公司、Hynix半导体公司和Ovonyx。

台积电和ITRI也在开发磁性随机储存内存技术（MRAM)，双方已经获得了与此有关的40多项专利。台积电有可能在明年底或2009年早期向客户销售MRAM。

新芯片运用了 "垂直电极" 及 "3D 晶体管结构" 两项技术，让芯片的尺寸缩小，同时在写入新数据时，也不必先将旧资料复写。着眼于 Samsung 日前发表的 32GB NAND 内存还是属于 40 奈米制程，就长期来看，PRAM 也将比 NAND 更省成本。

IBM 和几家内存模块大厂合作，包括 Qimonda AG、台湾的旺宏电子（Macronix International），在固态内存（non-volatile memory）上头，有了相当大的进展。

PRAM（Phase-Change RAM），这个在将来的将来可能取代闪存（将来用来取代传统硬盘）的男人，不仅仅是在 Samsung 的大本营默默的蛰伏，以 IBM 为首的研究团队，更是在速度上硬是压下了 Samsung 先前发表的 30x 读写速度，一举推到了 500x ~ 1000x，并且电力也只需要ㄧ半，寿命（重复写入的次数）也大大的延长（以上皆是相较于一般闪存）,IBM还是强大啊,硬盘到PRAM一路都是IBM在唱主角.

❸ “PSRAM”和“NORFLASH”有什么区别

PSRAM，假静态随机存储器。

PSRAM

背景：

PSRAM具有一个单晶体管的DRAM储存格，与传统具有六个晶体管的SRAM储存格或是四个晶体管与two-load resistor SRAM 储存格大不相同，但它具有类似SRAM的稳定接口，内部的DRAM架构给予PSRAM一些比low-power 6T SRAM优异的长处，例如体积更为轻巧，售价更具竞争力。目前在整体SRAM市场中，有90%的制造商都在生产PSRAM组件。在过去两年，市场上重要的SRAM/PSRAM供货商有Samsung、Cypress、Renesas、Micron与Toshiba等。

基本原理：

PSRAM就是伪SRAM，内部的内存颗粒跟SDRAM的颗粒相似，但外部的接口跟SRAM相似，不需要SDRAM那样复杂的控制器和刷新机制，PSRAM的接口跟SRAM的接口是一样的。

PSRAM容量有8Mbit,16Mbit,32Mbit等等，容量没有SDRAM那样密度高，但肯定是比SRAM的容量要高很多的，速度支持突发模式，并不是很慢，Hynix，Coremagic, WINBOND .MICRON. CY 等厂家都有供应，价格只比相同容量的SDRAM稍贵一点点，比SRAM便宜很多。

PSRAM主要应用于手机，电子词典，掌上电脑，PDA,PMP.MP3/4,GPS接收器等消费电子产品与SRAM(采用6T的技术)相比,PSRAM采用的是1T+1C的技术,所以在体积上更小,同时,PSRAM的I/O接口与SRAM相同.在容量上,目前有4MB,8MB,16MB,32MB,64MB和128MB。比较于SDRAM,PSRAM的功耗要低很多。所以对于要求有一定缓存容量的很多便携式产品是一个理想的选择。

目前发展现状：

东芝(Toshiba)、NEC Electronics和富士通(Fujitsu)三家公司日前共同提出PSRAM (Pseudo Static Random Access Memory)第四版的标准接口规范，也称之为CSOMORAM Rev. 4 (COmmon Specifications for MObile RAM)是用于移动RAM的通用规范。三家公司将各自生产与销售自家产品，产品最快可在2007年3月推出。上述三家公司在1998年9月首次提出通用规范，将堆栈多芯片封装(MCP)通用接口规范共享给包括闪存和SRAM在内的移动设备。随后，他们在2002、2003和2004年分别对其进行了修订，增加了页面模式和突发模式等规格。COSMORAM Rev. 4为Pseudo SRAM增加了双速率突发(DDR突发)模式。

NOR是现在市场上主要的非易失闪存技术。NOR一般只用来存储少量的代码；NOR主要应用在代码存储介质中。NOR的特点是应用简单、无需专门的接口电路、传输效率高，它是属于芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在（NOR型）flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分

目前大部分手机使用NORFLASH实现代码存储，同时采用SRAM或者PSRAM作为缓存或工作内存，而NANDFLASH厂商提倡把NANDFLASH与SDRAM相结合。

❹ 移动硬盘1t是什么意思

存储器中所包含存储单元的数量称为存储容量，其计量基本单位是字节（Byte。简称B），8个二进制位称为1个字节，此外还有KB、MB、GB、TB等，它们之间的换算单位是1Byte＝8bit，1KB=1024B，1MB=1024KB，1GB=1024MB，1TB=1024GB.
不过1T=1024G是电脑系统的计算方式，硬盘厂商是按1T=1000G的算法，这样的话1T的硬盘实际容量只有9800~9900G的。

❺ 1tb固态硬盘实际容量

1T的固态硬盘的实际容量约为931G。

一、存储器中所包含存储单元的数量称为来存储容量，其计量基本单位是字节，单位是Byte，简称B，8个二进制位（bit）称为1个字节。

二、存储容量的换算关系是：1Byte＝8bit，1KB=1024B，1MB=1024KB，1GB=1024MB，1TB=1024GB。

三、厂商以1000进制来计算，标出的1TB容量其实是1000000000000B，计算机里面是以1024进制计算，其换算为1TB=1000000000000B/1024/1024/1024=931G。

(5)1T1C存储器扩展阅读

硬盘容量的计算方式：作为计算机系统的数据存储器，容量是硬盘最主要的参数。硬盘容量 =柱面数(表示每面盘面上有几条磁道，一般总数是1024) ×磁头数(表示盘面数) ×扇区数（表示每条磁道有几个扇区，一般总数是64）× 扇区(存储基本单元，大小一般为512B/4KB)。

硬盘的主要优点：非常大的存储量，其容量已可达千万兆以上；采用随机存取方式，平均存取时间极短，实现了快速存取；由于记录密度高和磁盘转速快，硬盘的传输率很高；硬盘的结构设计保证了它有高的可靠性和工作稳定性，一般无故障时间可达8000～12000h，误码率低于磁带和软磁盘一个数量级。

❻ 铁电存储器的读写操作

FRAM保存数据不是通过电容上的电荷，而是由存储单元电容中铁电晶体的中心原子位置进行记录。直接对中心原子的位置进行检测是不能实现的，实际的读操作过程是：在存储单元电容上施加一已知电场（即对电容充电），如果原来晶体的中心原子的位置与所施加的电场方向使中心原子要达到的位置相同，则中心原子不会移动；若相反，则中心原子将越过晶体中间层的高能阶到达另一位置，则在充电波形上就会出现一个尖峰，即产生原子移动的比没有产生移动的多了一个尖峰，把这个充电波形同参考位（确定且已知）的充电波形进行比较，便可以判断检测的存储单元中的内容是“1”或“0”。
无论是2T2C还是1T1C的FRAM，对存储单元进行读操作时，数据位状态可能改变而参考位则不会改变（这是因为读操作施加的电场方向与原参考位中原子的位置相同）。由于读操作可能导致存储单元状态的改变，需要电路自动恢复其内容，所以每个读操作后面还伴随一个"预充"（precharge）过程来对数据位恢复，而参考位则不用恢复。晶体原子状态的切换时间小于1ns，读操作的时间小于70ns，加上"预充"时间60ns，一个完整的读操作时间约为130ns。
写操作和读操作十分类似，只要施加所要方向的电场改变铁电晶体的状态就可以了，而无需进行恢复。但是写操作仍要保留一个"预充"时间，所以总的时间与读操作相同。FRAM的写操作与其它非易失性存储器的写操作相比，速度要快得多，而且功耗小。

❼ 半浮栅晶体管的应用领域

作为一种新型的基础器件，半浮栅晶体管（SFGT）可应用于不同的集成电路。首先，它可以取代一部分的SRAM，即静态随机存储器。SRAM是一种具有高速静态存取功能的存储器，多应用于中央处理器(CPU)内的高速缓存，对处理器性能起到决定性的作用。传统SRAM需用6个MOSFET晶体管才能构成一个存储单元，集成度较低，占用面积大。半浮栅晶体管则可以单个晶体管构成一个存储单元，存储速度接近由6个晶体管构成的SRAM存储单元。因此，由半浮栅晶体管（SFGT）构成的SRAM单元面积更小，密度相比传统SRAM大约可提高10倍。显然如果在同等工艺尺寸下，半浮栅晶体管（SFGT）构成的SRAM具有高密度和低功耗的明显优势。
其次，半浮栅晶体管（SFGT）还可以应用于DRAM领域。DRAM（Dynamic Random Access Memory），即动态随机存储器，广泛应用于计算机内存。其基本单元由1T1C构成，也就是一个晶体管加一个电容的结构。由于其电容需要保持一定电荷量来有效地存储信息，无法像MOSFET那样持续缩小尺寸。业界通常通过挖“深槽”等手段制造特殊结构的电容来缩小其占用的面积，但随着存储密度提升，电容加工的技术难度和成本大幅度提高。因此，业界一直在寻找可以用于制造DRAM的无电容器件技术，而半浮栅晶体管（SFGT）构成的DRAM无需电容器便可实现传统DRAM全部功能，不但成本大幅降低，而且集成度更高，读写速度更快。
半浮栅晶体管（SFGT）不但应用于存储器，它还可以应用于主动式图像传感器芯片(APS)。传统的图像传感器芯片需要用三个晶体管和一个感光二极管构成一个感光单元，而由单个半浮栅晶体管构成的新型图像传感器单元在面积上能缩小20%以上。感光单元密度提高，使图像传感器芯片的分辨率和灵敏度得到提升。制造工艺和产业发展

❽ 铁电存储器的存储结构

FRAM的存储单元主要由电容和场效应管构成，但这个电容不是一般的电容，在它的两个电极板中间沉淀了一层晶态的铁电晶体薄膜。前期的FRAM每个存储单元使用两个场效应管和两个电容，称为“双管双容”（2T2C），每个存储单元包括数据位和各自的参考位，简化的2T2C存储单元结构如图2（a）所示。2001年Ramtron设计开发了更先进的"单管单容"（1T1C）存储单元。1T1C的FRAM所有数据位使用同一个参考位，而不是对于每一数据位使用各自独立的参考位。1T1C的FRAM产品成本更低，而且容量更大。简化的1T1C存储单元结构（未画出公共参考位）如图2（b）所示。

❾ 1T1R存储器是什么意思

存储器的“单元(Cell)”是指用来存取资料的最小结构，如果含有一个电晶体(Transistor)与一个电容(Capacitor)则称为“1T1C”；如果含有一个电晶体(Transistor)与一个电阻(Resistor)则称为“1T1R”；如果含有一个 二极体(Diode)与一个电阻(Resistor)则称为“1D1R”。
存储器（Memory）是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备。计算机中全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。有了存储器，计算机才有记忆功能，才能保证正常工作。
存储器按照电源关闭后是否能够保存数据分为两类。断电后依然可以保存数据的是非易失性存储器，相反则是易失性存储器。比较熟悉的存储器包括：寄存器、缓存、系统内存（简称内存）和闪存。