安全栅存储

A. 固态硬盘slc mlc tlc怎么区分

SLC、MLC和TLC
X3(3-bit-per-cell)架构的TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸,最早期NAND Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell),原理是在1个存储器储存单元(cell)中存放1位元(bit)的资料,直到MLC(Multi-Level Cell)技术接棒后,架构演进为1个存储器储存单元存放2位元.
2009年TLC架构正式问世,代表1个存储器储存单元可存放3位元,成本进一步大幅降低.
如同上一波SLC技术转MLC技术趋势般,这次也是由NAND Flash大厂东芝(Toshiba)引发战火,之后三星电子(Samsung Electronics)也赶紧加入战局,使得整个TLC技术大量被量产且应用在终端产品上.
TLC芯片虽然储存容量变大,成本低廉许多,但因为效能也大打折扣,因此仅能用在低阶的NAND Flash相关产品上,象是低速快闪记忆卡、小型记忆卡microSD或随身碟等.
象是内嵌世纪液体应用、智能型手机(Smartphone)、固态硬盘(SSD)等技术门槛高,对于NAND Flash效能讲求高速且不出错等应用产品,则一定要使用SLC或MLC芯片.
2010年NAND Flash市场的主要成长驱动力是来自于智能型手机和平板计算机,都必须要使用SLC或MLC芯片,因此这两种芯片都处于缺货状态,而TLC芯片却是持续供过于求,且将整个产业的平均价格往下拉,使得市调机构iSuppli在统计2010年第2季全球NAND Flash产值时,出现罕见的市场规模缩小情况发生,从2010年第1季43亿美元下降至41亿美元,减少6.5%.
U盘MP3中使用的SLC、MLC、TLC闪存芯片的区别：
SLC = Single-Level Cell ,即1bit/cell,速度快寿命长,价格超贵（约MLC 3倍以上的价格）,约10万次擦写寿命
MLC = Multi-Level Cell,即2bit/cell,速度一般寿命一般,价格一般,约3000---10000次擦写寿命
TLC = Trinary-Level Cell,即3bit/cell,也有Flash厂家叫8LC,速度慢寿命短,价格便宜,约500次擦写寿命,目前还没有厂家能做到1000次.
目前,安德旺科技生产的指纹U盘产品中采用的闪存芯片都是三星MLC中的原装A级芯片.读写速度：采用H2testw v1.4测试,三星MLC写入速度: 4.28-5.59 MByte/s,读取速度: 12.2-12.9 MByte/s.三星SLC写入速度: 8.5MByte/s,读取速度: 14.3MByte/s.
需要说明的闪存的寿命指的是写入(擦写)的次数,不是读出的次数,因为读取对芯片的寿命影响不大.
面是SLC、MLC、TLC三代闪存的寿命差异
SLC 利用正、负两种电荷 一个浮动栅存储1个bit的信息,约10万次擦写寿命.
MLC 利用不同电位的电荷,一个浮动栅存储2个bit的信息,约一万次擦写寿命,SLC-MLC【容量大了一倍,寿命缩短为1/10】.
TLC 利用不同电位的电荷,一个浮动栅存储3个bit的信息,约500-1000次擦写寿命,MLC-TLC【容量大了1/2倍,寿命缩短为1/20】.
闪存产品寿命越来越短,现在市场上已经有TLC闪存做的产品了
鉴于SLC和MLC或TLC闪存寿命差异太大
强烈要求数码产品的生产商在其使用闪存的产品上标明是SLC和MLC或TLC闪存产品
许多人对闪存的SLC和MLC区分不清.就拿目前热销的MP3随身听来说,是买SLC还是MLC闪存芯片的呢?在这里先告诉大家,如果你对容量要求不高,但是对机器质量、数据的安全性、机器寿命等方面要求较高,那么SLC闪存芯片的首选.但是大容量的SLC闪存芯片成本要比MLC闪存芯片高很多,所以目前2G以上的大容量,低价格的MP3多是采用MLC闪存芯片.大容量、低价格的MLC闪存自然是受大家的青睐,但是其固有的缺点,也不得不让我们考虑一番.
什么是SLC?
SLC英文全称(Single Level Cell——SLC)即单层式储存 .主要由三星、海力士、美光、东芝等使用.
SLC技术特点是在浮置闸极与源极之中的氧化薄膜更薄,在写入数据时通过对浮置闸极的电荷加电压,然后透过源极,即可将所储存的电荷消除,通过这样的方式,便可储存1个信息单元,这种技术能提供快速的程序编程与读取,不过此技术受限于Silicon efficiency的问题,必须要由较先进的流程强化技术(Process enhancements),才能向上提升SLC制程技术.
什么是MLC?
MLC英文全称（Multi Level Cell——MLC)即多层式储存.主要由东芝、Renesas、三星使用.
英特尔（Intel）在1997年9月最先开发成功MLC,其作用是将两个单位的信息存入一个Floating
Gate（闪存存储单元中存放电荷的部分）,然后利用不同电位（Level）的电荷,通过内存储存的电压控制精准读写.MLC通过使用大量的电压等级,每个单元储存两位数据,数据密度比较大.SLC架构是0和1两个值,而MLC架构可以一次储存4个以上的值,因此,MLC架构可以有比较好的储存密度.
与SLC比较MLC的优势：
签于目前市场主要以SLC和MLC储存为主,我们多了解下SLC和MLC储存.SLC架构是0和1两个值,而MLC架构可以一次储存4个以上的值,因此MLC架构的储存密度较高,并且可以利用老旧的生产程备来提高产品的容量,无须额外投资生产设备,拥有成本与良率的优势.
与SLC相比较,MLC生产成本较低,容量大.如果经过改进,MLC的读写性能应该还可以进一步提升.
与SLC比较MLC的缺点：
MLC架构有许多缺点,首先是使用寿命较短,SLC架构可以写入10万次,而MLC架构只能承受约1万次的写入.
其次就是存取速度慢,在目前技术条件下,MLC芯片理论速度只能达到6MB左右.SLC架构比MLC架构要快速三倍以上.
再者,MLC能耗比SLC高,在相同使用条件下比SLC要多15%左右的电流消耗.
虽然与SLC相比,MLC缺点很多,但在单颗芯片容量方面,目前MLC还是占了绝对的优势.由于MLC架构和成本都具有绝对优势,能满足2GB、4GB、8GB甚至更大容量的市场需求.

B. 立体车库防止人员误入的安全光栅能和PLC连接吗

可以的，一般安全光栅都提供有接口。不过建议安全光栅还是不要和PLC连接，除非是EN954的安全PLC。让安全光栅连接到安全继电器，使用安全继电器作为整个立体车库安全控制的核心。这样系统的可靠性最高。如果要使用PLC连接，请考虑PLC故障失效时的风险。
PLC是可编程逻辑控制器，它采用一类可编程的存储器，用于其内部存储程序，执行逻辑运算、顺序控制、定时、计数与算术操作等面向用户的指令，并通过数字或模拟式输入/输出控制各种类型的机械或生产过程。

C. 安全光幕怎么和32单片机连接

安全光栅又称作安全光幕是通过一组红外线光束，形成保护光栅，当光栅出现被遮挡时，光电保护装置发出信号，控制具有潜在危险的机械设备停止工作，以降低作业人员在工作环 境中受到伤害的可能性，有效保护作业人员的人身安全。主要应用于冲压机械、剪切设备、金属切削设备、自动化装配线、自动化焊接线、机械传送搬运设备等。
 
安全光栅选型简单，安装便捷，主要就是接线，常见的线制为三线，五线和五线，七线。如果是街道PLC可以将NPN,PNP线直接接到PLC上，光幕正常通电后即可。一般安全光幕的线序上都会有小标示，可以直观的表现出来。接线十分方便！
 
第一种：不使用控制器时，发射器和接收器的连接图说明：
 
1、24V正压电源接入到接收器的24Vdc电压接口，棕色线
 
2、发射器的test与0vDC接地分别是黄色和蓝色线
 
3、接收器的0vdc以及EDM端口接地，分辨是蓝色和绿色线
 
4、接收器的os1和os2作为输出，分辨接黑色和白色线。
 
第二种：带控制器的光幕传感器接线方法说明：
 
1、安全光幕控制器通过继电器触点自检2、220v交流电接入控制器
 
3、继电器输出out两个，作为控制器信号输出
 
4、光幕输出os1和os2分别接入光幕接收器的黑线和白线
 
5、触点自检EDM通过绿线接入光幕接收器
 
6、接收器电源正24vdc通过棕线接入控制器，0v负极通过蓝线接入控制器
 
7、光幕发射器由黄色线接入控制器的光幕自检TEST开关点8、光幕发射器的正24Vdc电压由棕色线接入，0VdC由蓝色线接入

D. 1.栅格数据存储的压缩编码有几种各有什么优点和缺点

2.1.6 栅格数据存储的压缩编码 1 直接编码 直接栅格编码是最简单最直观而又非常重要的一种栅格结构编码方法，通常称这种编码为图像文件或栅格文件。直接编码就是将栅格数据看作一个数据矩阵，逐行（或逐列）逐个记录代码，可以每行都从左到右逐象元记录，也可奇数行从左到右，而偶数行由右向左记录，为了特定目的还可采用其它特殊的顺序,右图直接编码可表示为矩阵： 2 链式编码 链式编码又称为弗里曼链码（Freeman,1961）或边界链码。由某一原点开始并按某些基本方向确定的单位矢量链。基本方向可定义为：东＝0，南＝3，西＝2，北＝1等。右图多边形边如果确定原点为像元（10，1），则该多边形界按顺时方向的链式编码为：

链式编码对多边形的表示具有很强的数据压缩能力，且具有一定的运算功能，如面积和周长计算等，探测边界急弯和凹进部分等都比较容易。但是，叠置运算如组合、相交等则很难实施，
3 行程编码 行程编码1 只在各行（或列）数据的代码发生变化时依次记录该代码以及相同代码重复的个数。左图可沿行方向进行行程编码： 行程编码2 逐个记录各行（或列）代码发生变化的位置和相应的代码，左图可沿列方向进行行程编码：
1列：（1，3），（3，1）；
2列：（1，3），（4，1）；
3列：（1，3），（5，1）；
4列：（1，4），（2，3），（5，1）；
5列：（1，4），（4，3），（6，2），（7，1）；
6列：（1，4），（4，2）；
7列：（1，4），（4，2）；
8列：（1，4），（3，2）。 行程编码3 按行（或列）记录相同代码的始末象元的列号（或行号）和相应的代码，左图可沿行方向进行程编码：
4 块式编码 把多边形范围划分成由象元组成的正方形，然后对各个正方形进行编码。块式编码数据结构中包括3个数字：块的初始位置（行、列号）和块的大小（块包括的象元数），再加上记录单元的代码组成。左图块式编码：
5 四叉树编码2.1.6 栅格数据存储的压缩编码 1 直接编码 直接栅格编码是最简单最直观而又非常重要的一种栅格结构编码方法，通常称这种编码为图像文件或栅格文件。直接编码就是将栅格数据看作一个数据矩阵，逐行（或逐列）逐个记录代码，可以每行都从左到右逐象元记录，也可奇数行从左到右，而偶数行由右向左记录，为了特定目的还可采用其它特殊的顺序,右图直接编码可表示为矩阵： 2 链式编码 链式编码又称为弗里曼链码（Freeman,1961）或边界链码。由某一原点开始并按某些基本方向确定的单位矢量链。基本方向可定义为：东＝0，南＝3，西＝2，北＝1等。右图多边形边如果确定原点为像元（10，1），则该多边形界按顺时方向的链式编码为： 链式编码对多边形的表示具有很强的数据压缩能力，且具有一定的运算功能，如面积和周长计算等，探测边界急弯和凹进部分等都比较容易。但是，叠置运算如组合、相交等则很难实施， 3 行程编码 行程编码1 只在各行（或列）数据的代码发生变化时依次记录该代码以及相同代码重复的个数。左图可沿行方向进行行程编码： 行程编码2 逐个记录各行（或列）代码发生变化的位置和相应的代码，左图可沿列方向进行行程编码：1列：（1，3），（3，1）； 2列：（1，3），（4，1）； 3列：（1，3），（5，1）； 4列：（1，4），（2，3），（5，1）； 5列：（1，4），（4，3），（6，2），（7，1）； 6列：（1，4），（4，2）； 7列：（1，4），（4，2）； 8列：（1，4），（3，2）。 行程编码3 按行（或列）记录相同代码的始末象元的列号（或行号）和相应的代码，左图可沿行方向进行程编码： 4 块式编码 把多边形范围划分成由象元组成的正方形，然后对各个正方形进行编码。块式编码数据结构中包括3个数字：块的初始位置（行、列号）和块的大小（块包括的象元数），再加上记录单元的代码组成。左图块式编码： 5 四叉树编码 四叉树分割 将图像区域按四个大小相同的象限四等分，每个象限又可根据一定规则判断是否继续等分为次一层的四个象限，无论分割到哪一层象限，只要子象限上仅含一种属性代码或符合既定要求的少数几种属性时，则停止继续分割。否则就一直分割到单个象元为止。按照象限递归分割的原则所分图像区域的栅格阵列应为2n×2n（n为分割的层数）的形式。 四叉树结构 把整个2n×2n象元组成的阵列当作树的根结点，树的高度为ｎ级（最多为ｎ级）。每个结点有分别代表南西（SW）、南东（SE）、北西（NW）、北东（NE）四个象限的四个分支。四个分支中要么是树叶，要么是树叉。树叶代表不能继续划分的结点，该结点代表子象限具有单一的代码；树叉不只包含一种代在码，必须继续划分，直到变成树叶为止。 四叉树编码 1 指针四叉树编码 通过在子结点与父结点之间设立指针的方式建立起整个结构。按这种方式，四叉树的每个结点通常存储6个量，即四个子结点指针、一个父结点指针和该结点的属性代码。这种方法除了要记录叶结点外，还要记录中间结点，一般要占用较大存储空间。 2 线性四叉树编码 为美国马里兰大学地理信息系统中采用的编码方法，该方法记录每个终止结点（或叶结点）的地址和值，值就是子区的属性代码，其中地址包括两部分，共32位（二进制），最右边4位记录该叶结点的深度，即处于四叉树的第几层上，有了深度可以推知子区大小；左边的28位记录路径，从右边第五位往左记录从叶结点到根结点的路径，0，1，2，3分别表示SW、SE、NW、NE。28位 4位 0 0 0 0 ... ... 0 0 0 0 1 1 1 0 0 0 1 1（路径0SW,3NE,2NW） 0 3 2 深度3记录了各个叶子的地址，再记录相应代码值，就记录了整个图像。 四叉树优点 1.容易而有效地计算多边形的数量特征； 2.阵列各部分的分辨率是可变的，边界复杂部分四叉树较高，即分级多，分辨率也高，而不需要表示许多细节的部分则分级少，分辨率低，因而既可精确表示图形结构又可减少存储量； 3.栅格到四叉树及到四叉树到简单栅格结构的转换比其他压缩方法容易； 4.多边形中嵌套异类多边形的表示较方便。 四叉树分割 将图像区域按四个大小相同的象限四等分，每个象限又可根据一定规则判断是否继续等分为次一层的四个象限，无论分割到哪一层象限，只要子象限上仅含一种属性代码或符合既定要求的少数几种属性时，则停止继续分割。否则就一直分割到单个象元为止。按照象限递归分割的原则所分图像区域的栅格阵列应为2n×2n（n为分割的层数）的形式。 四叉树结构 把整个2n×2n象元组成的阵列当作树的根结点，树的高度为ｎ级（最多为ｎ级）。每个结点有分别代表南西（SW）、南东（SE）、北西（NW）、北东（NE）四个象限的四个分支。四个分支中要么是树叶，要么是树叉。树叶代表不能继续划分的结点，该结点代表子象限具有单一的代码；树叉不只包含一种代在码，必须继续划分，直到变成树叶为止。 四叉树编码 1 指针四叉树编码 通过在子结点与父结点之间设立指针的方式建立起整个结构。按这种方式，四叉树的每个结点通常存储6个量，即四个子结点指针、一个父结点指针和该结点的属性代码。这种方法除了要记录叶结点外，还要记录中间结点，一般要占用较大存储空间。 2 线性四叉树编码 为美国马里兰大学地理信息系统中采用的编码方法，该方法记录每个终止结点（或叶结点）的地址和值，值就是子区的属性代码，其中地址包括两部分，共32位（二进制），最右边4位记录该叶结点的深度，即处于四叉树的第几层上，有了深度可以推知子区大小；左边的28位记录路径，从右边第五位往左记录从叶结点到根结点的路径，0，1，2，3分别表示SW、SE、NW、NE。
28位 4位
0 0 0 0 ... ... 0 0 0 0 1 1 1 0 0 0 1 1
（路径0SW,3NE,2NW） 0 3 2 深度3
记录了各个叶子的地址，再记录相应代码值，就记录了整个图像。 四叉树优点 1.容易而有效地计算多边形的数量特征； 2.阵列各部分的分辨率是可变的，边界复杂部分四叉树较高，即分级多，分辨率也高，而不需要表示许多细节的部分则分级少，分辨率低，因而既可精确表示图形结构又可减少存储量； 3.栅格到四叉树及到四叉树到简单栅格结构的转换比其他压缩方法容易； 4.多边形中嵌套异类多边形的表示较方便。

E. 固态硬盘SSD的SLC与MLC和TLC三者的区别

1、具体含义不同：

SLC即Single Level Cell，速度快寿命长，价格较贵，约10万次擦写寿命。

MLC即Multi Level Cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000~10000次擦写寿命。

TLC即Trinary Level Cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500-1000次擦写寿命。

2、硬件情况不同：

大多数U盘都是采用TCL芯片颗粒，其优点是价格便宜，不过速度一般，寿命相对较短。而SSD固态硬盘中，MLC颗粒固态硬盘是主流，其价格适中，速度与寿命相对较好，而低价SSD固态硬盘普遍采用的是TLC芯片颗粒。

(5)安全栅存储扩展阅读：

固态硬盘特点

1、固态硬盘和机械硬盘相比读写速度远远胜出，这也是其最主要的功能，还具有低功耗、无噪音、抗震动、低热量的特点，这些特点可以延长靠电池供电的计算机设备运转时间。

2、固态硬盘防震抗摔性传统硬盘都是磁盘型的，数据储存在磁盘扇区里。而固态硬盘是使用闪存颗粒（即mp3、U盘等存储介质）制作而成，所以SSD固态硬盘内部不存在任何机械部件。

F. U盘存储数据的原理

闪存(Flash Memory)是非挥发存储的一种，具有关掉电源仍可保存数据的优点，同时又可重复读写且读写速度快、单位体积内可储存最多数据量，以及低功耗特性等优点。 其存储物理机制实际上为一种新型EEPROM（电可擦除可编程只读存储）。是SCM（半导体存储器）的一种。

早期的SCM采用典型的晶体管触发器作为存储位元，加上选择、读写等电路构成存储器。现代的SCM采用超大规模集成电路工艺制成存储芯片，每个芯片中包含相当数量的存储位元，再由若干芯片构成存储器。目前SCM广泛采用的主要材料是金属氧化物场效应管（MOS），包括PMOS、NMOS、CMOS三类，尤其是NMOS和CMOS应用最广泛。

RAM（随机存取存储），是一种半导体存储器。必须在通电情况下工作，否则会丧失存储信息。RAM又分为DRAM（动态）和SRAM（静态）两种，我们现在普遍使用的PC机内存即是SDRAM（同步动态RAM），它在运行过程当中需要按一定频率进行充电（刷新）以维持信息。DDR DDR2内存也属于SDRAM。而SRAM不需要频繁刷新，成本比DRAM高，主要用在CPU集成的缓存（cache）上。

PROM（可编程ROM）则只能写入一次，写入后不能再更改。

EPROM（可擦除PROM）这种EPROM在通常工作时只能读取信息，但可以用紫外线擦除已有信息，并在专用设备上高电压写入信息。

EEPROM（电可擦除PROM），用户可以通过程序的控制进行读写操作。

闪存实际上是EEPROM的一种。一般MOS闸极(Gate)和通道的间隔为氧化层之绝缘(gate oxide)，而Flash Memory的特色是在控制闸(Control gate)与通道间多了一层称为“浮闸”(floating gate)的物质。拜这层浮闸之赐，使得Flash Memory可快速完成读、写、抹除等三种基本操作模式；就算在不提供电源给存储的环境下，也能透过此浮闸，来保存数据的完整性。

Flash Memory芯片中单元格里的电子可以被带有更高电压的电子区还原为正常的1。Flash Memory采用内部闭合电路，这样不仅使电子区能够作用于整个芯片，还可以预先设定“区块”(Block)。在设定区块的同时就将芯片中的目标区域擦除干净，以备重新写入。传统的EEPROM芯片每次只能擦除一个字节，而Flash Memory每次可擦写一块或整个芯片。Flash Memory的工作速度大幅领先于传统EEPROM芯片。

MSM（磁表面存储）是用非磁性金属或塑料作基体，在其表面涂敷、电镀、沉积或溅射一层很薄的高导磁率、硬矩磁材料的磁面，用磁层的两种剩磁状态记录信息"0"和"1"。基体和磁层合称为磁记录介质。依记录介质的形状可分别称为磁卡存储器、磁带存储器、磁鼓存储器和磁盘存储器。计算机中目前广泛使用的MSM是磁盘和磁带存储器。硬盘属于MSM设备。

ODM（光盘存储）和MSM类似，也是将用于记录的薄层涂敷在基体上构成记录介质。不同的是基体的圆形薄片由热传导率很小，耐热性很强的有机玻璃制成。在记录薄层的表面再涂敷或沉积保护薄层，以保护记录面。记录薄层有非磁性材料和磁性材料两种，前者构成光盘介质，后者构成磁光盘介质。
ODM是目前辅存中记录密度最高的存储器，存储容量很大且盘片易于更换。缺点是存储速度比硬盘低一个数量级。现已生产出与硬盘速度相近的ODM。CD-ROM、DVD-ROM等都是常见的ODM。

G. 内存卡和U盘的存储原理是什么和硬盘一样么

内存卡和U盘是芯片储存，内部没有机械装置。
区别从内容和本质上差距比较大
一、存储的原理不同
U盘是以半导体材料(芯片)作为存储单元,又叫固体存储器,本质上是闪存EEPROM ，没有机械部分.
移动硬盘则是以磁性介质作为存储器,有机械部分.

二、能耗不同
U盘没有机械部分，需要提供的能量相比小得多，一般不会超过 100mA，而移动硬盘耗能相对较大，有的时间一个USB口提供的电流不能很好的保证其正常运行，因此移动硬盘一般配的数据线都是可以查两个USB端口，甚至需要配置专门的电源。这也是有的移动硬盘不正常工作的主要原因。
三、体积不同
U盘比移动硬盘明显的体积小了很多，携带更为方便。
四、安全性不同
U盘由于没有机械部分，因此比移动硬盘具有优异的抗震动、潮湿性能。但要按照规定的程序操作和使用，U盘也要买质量过硬的，万一出了问题，数据挽救就比移动硬盘难度大多了，数据无价啊！

H. U盘能存储的原理是什么

主要就是在原有的晶体管上加入了浮动栅和选择栅
在源极和漏极之间电流单向传导的半导体上形成贮存电子的浮动棚。浮动栅包裹着一层硅氧化膜绝缘体。它的上面是在源极和漏极之间控制传导电流的选择/控制栅。数据是0或1取决于在硅底板上形成的浮动栅中是否有电子。有电子为0，无电子为1。
闪存就如同其名字一样，写入前删除数据进行初始化。具体说就是从所有浮动栅中导出电子。即将有所数据归“1”。
写入时只有数据为0时才进行写入，数据为1时则什么也不做。写入0时，向栅电极和漏极施加高电压，增加在源极和漏极之间传导的电子能量。这样一来，电子就会突破氧化膜绝缘体，进入浮动栅。
读取数据时，向栅电极施加一定的电压，电流大为1，电流小则定为0。浮动栅没有电子的状态（数据为1）下，在栅电极施加电压的状态时向漏极施加电压，源极和漏极之间由于大量电子的移动，就会产生电流。而在浮动栅有电子的状态（数据为0）下，沟道中传导的电子就会减少。因为施加在栅电极的电压被浮动栅电子吸收后，很难对沟道产生影响。