存储密度低

Ⅰ 微型计算机的内部存储器按其功能特征可分为几类 各有什么特点(5分)

根据存储器在计算机中处于不同的位置，可以分为主存储器和辅助存储器。
在主机内部，直接与CPU交换信息的存储器称为内部存储器（简称内存）或主存储器。
内部存储器的功能：是提供快速数据存放区域。其作用是在慢速的外部存储器设备和高速的处理器之间承担中间角色。

在PC中，内存主要指的是DRAM（动态随机存储器），主要作用是：
（1）暂时存放正在执行的程序、原始数据、中间结果和运算结果。
（2）作为CPU运行程序的区域
（3）配合CPU与外设打交道

内部存储器的分类
按照存储特性不同可分为以下两类：
1.随机存储器 RAM（Random Access Memory)
（1）主要特性可随时读出或写入数据，但电源一旦中断则所储存之数据即消失。
（2）主要用来暂存程序和数据。
（3）RAM又可分动态随机存储器（DRAM，Dynamic RAM）和静态随机存储器（SRAM，Static RAM)两种。
1）DRAM的储存密度较高，成本低，但需加上更新电路，速度较慢。
2）SRAM的速度快，但储存密度低、成本高
主板的内存即是动态随机存储器，CPU内部与内存之间的缓存即是静态随机存储器。
2.只读存储器ROM（Read Only Memory)
（1）只能读出而不能写入数据，不会因断电而消失。
（2）一般用来储存系统程序。（如：BIOS）
常见的ROM
名称 特征
PROM ●用于Modem和低档显示卡的BIOS
●一次性写入，无法更改

EPROM ●用于低档主板和显示卡
●芯片上有小窗口，经紫外线照谢可擦除ROM中的数据；利用编程器写入数据
●常见型号为27×××

EEPROM ●用于主板和显示卡的BIOS
●利用专用的编程器，可能过提高写入电压的方法进行擦除和写入
Flash ROM ●用于主板和显示卡的BIOS
●直接利用计算机软件进行擦除和写入

Ⅱ 信息资源存储有哪些主要技术

1.印刷技术。采用各种印刷技术把文字图像记录在纸上，便于阅读流通。存储密度低，加工难以自动化。
2.光学缩微技术，利用光学缩微技术将文字图像记录在感光材料上，存储密度高，便于收藏，但是阅读设备投资高。
3.磁录光录技术，利用磁录光录技术将声音和图像记录在磁性和光学材料，存储密度高内容直观。表达力强。
4.计算机存储技术，将文字图像音视频转为数字化信息，以磁光盘和网络载体等，密度高，读取快高，速远距传输。
（1）.数据压缩技术。数据压缩可以分为无损压缩和有损压缩两大类 。
（2）.数据库技术。数据库技术是计算机处理与存储数据的最有效最成功的技术。
（3）文字、图像和语音的识别技术
（4）图像扫描与处理技术
（5）信息数字化技术，将模拟信号形式的音视频转化为数字化音视频的音视频信息数字化技术

Ⅲ 链式存储结构的存储密度小，反而空间利用率却比顺序存储结构的大为什么

因为链式存储结构的存储空间在逻辑上是连续的，但是在物理上是离散的；而顺序存储结构的存储空间在逻辑上是连续的，在物理上也是连续的。

链式存储可以将一些零碎的小空间链接起来组成逻辑上连续的空间，因此空间利用率较高；而顺序存储是占用磁盘上一片连续的物理空间，小于存储要求的那些空间不能被使用，因此会跳过那些小存储空间，往后寻找满足要求的连续的存储空间，于是空间利用率就变低了。

但是，顺序存储中所有存储单元存储的都是数据信息；而链式存储中每个存储节点除了存储数据信息外，还需要使用一个链域来指向下一个存储结点，这样就可以将物理上离散的空间链接成逻辑上连续的，因此存储同样大小的内容时，链式存储所用空间比顺序存储所用空间要大，所以存储密度就小些。

Ⅳ 存储密度

在数据结构中，存储密度：结点数据本身所占的存储量和整个结点结构所占的存储量之比。
存储密度 = （结点数据本身所占的存储量）/（结点结构所占的存储总量）

Ⅳ NOR和NAND Flash存储器的区别

应用程序对NOR芯片操作以“字”为基本单位。为了方便对大容量NOR闪存的管理，通常将NOR闪存分成大小为128KB或者64KB的逻辑块，有时候块内还分成扇区。读写时需要同时指定逻辑块号和块内偏移。应用程序对NAND芯片操作是以“块”为基本单位。NAND闪存的块比较小，一般是8KB，然后每块又分成页，页的大小一般是512字节。要修改NAND芯片中一个字节，必须重写整个数据块。

2）NOR闪存是随机存储介质，用于数据量较小的场合；NAND闪存是连续存储介质，适合存放大的数据。

3) 由于NOR地址线和数据线分开，所以NOR芯片可以像SRAM一样连在数据线上。NOR芯片的使用也类似于通常的内存芯片，它的传输效率很高，可执行程序可以在芯片内执行( XI P, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码 读到系统RAM中。由于NOR的这个特点，嵌入式系统中经常将NOR芯片做启动芯片使用。而NAND共用地址和数据总线，需要额外联结一些控制的输入输出，所以直接将NAND芯片做启动芯片比较难。

4) N AN D闪存芯片因为共用地址和数据总线的原因，不允许对一个字节甚至一个块进行的数据清空，只能对一个固定大小的区域进行清零操作；而NOR芯片可以对字进行操作。所以在处理小数据量的I/O操作的时候的速度要快与NAND的速度。比如一块NOR芯片通 常写一个字需要10微秒，那么在32位总线上写512字节需要1280毫秒；而NAND闪存写512字节需要的时间包括：512×每字节50纳秒+10微秒的寻页时间+200微秒的片擦写时间＝234微秒。

5）NAND闪存的容量比较大，目前最大容量己经达到8G字节。为了方便管理，NAND的存储空间使用了块和页两级存储体系，也就是说闪存的存储空间是二维的，比如K9F5608UOA闪存块的大小为16K，每页的大小是512字节，每页还16字节空闲区用来存放错误校验码空间(有时也称为out-of-band，OOB空间)；在进行写操作的时候NAND闪存每次将一个字节的数据放入内部的缓存区，然后再发出“写指令”进行写操作。由于对NAND闪存的操作都是以块和页为单位的，所以在向NAND闪存进行大量数据的读写时，NAND的速度要快于NOR闪存。

6）NOR闪存的可靠性要高于NAND闪存，这主要是因为NOR型闪存的接口简单，数据操作少，位交换操作少，因此可靠性高，极少出现坏区块，因而一般用在对可靠性要求高的地方。相反的，NAND型闪存接口和操作均相对复杂，位交换操作也很多，关键性数据更是需安错误探测/错误更正〔EDC/ECC)算法来确保数据的完整性，因此出现问题的几率要大得多，坏区块也是不可避免的，而且由于坏区块是随机分布的，连纠错也无法做到。

7）NAND Flash一般地址线和数据线共用，对读写速度有一定影响；而NOR Flash闪存数据线和地址线分开，所以相对而言读写速度快一些。

NAND和NOR芯片的共性首先表现在向芯片中写数据必须先将芯片中对应的内容清空，然后再写入，也就是通常说的“先擦后写”。只不过NOR芯片只用擦写一个字，而NAND需要擦写整个块。其次，闪存擦写的次数都是有限的.当闪存的使用接近使用寿命的时候，经常会出现写操作失败；到达使用寿命时，闪存内部存放的数据虽然可以读，但是不能再进行写操作了所以为了防止上面问题的发生，不能对某个特定的区域反复进行写操作。通常NAND的可擦写次数高于NOR芯片，但是由于NAND通常是整块擦写，块内的页面中如果有一位失效整个块就会失效，而且由于擦写过程复杂，失败的概率相对较高，所以从整体上来说NOR的寿命较长。

另一个共性是闪存的读写操作不仅仅是一个物理操作，实际上在闪存上存放数据必须使用算法实现，这个模块一般在驱动程序的MTD' (Memory Technology Drivers)模块中或者在FTLZ (Flash Translation Layer)层内实现，具体算法和芯片的生产厂商以及芯片型号有关系。
从使用角度来看，NOR闪存与NAND闪存是各有特点的：（1）NOR的存储密度低，所以存储一个字节的成本也较高，而NAND闪存的存储密度和存储容量均比较高；（2）NAND型闪存在擦、写文件（特别是连续的大文件）时速度非常快，非常适用于顺序读取的场合，而NOR的读取速度很快，在随机存取的应用中有良好的表现。 NOR与NAND各有所长，但两种优势无法在一个芯片上得到体现。所以，设计人员在选用芯片时，只能趋其利而避其害，依照使用目的和主要功能在两者之间进行适当的选择。

Ⅵ 在顺序存储结构与链式存储结构中,获取第i个元素的操作有何不同哪种更快

顺序存储是一种随机存取的结构,而链表则是一种顺序存取结构,因此它们对各种操作有完全不同的算法和时间复杂度。
一：顺序表的特点是逻辑上相邻的数据元素，物理存储位置也相邻，并且，顺序表的存储空间需要预先分配。

它的优点是：

（1）方法简单，各种高级语言中都有数组，容易实现。

（2）不用为表示节点间的逻辑关系而增加额外的存储开销。

（3）顺序表具有按元素序号随机访问的特点。

缺点：

（1）在顺序表中做插入、删除操作时，平均移动表中的一半元素，因此对n较大的顺序表效率低。

（2）需要预先分配足够大的存储空间，估计过大，可能会导致顺序表后部大量闲置；预先分配过小，又会造成溢出。

二、在链表中逻辑上相邻的数据元素，物理存储位置不一定相邻，它使用指针（引用）实现元素之间的逻辑关系。并且，链表的存储空间是动态分配的。

链表的最大特点是：

插入、删除运算方便。

缺点：

（1）要占用额外的存储空间存储元素之间的关系，存储密度降低。存储密度是指一个节点中数据元素所占的存储单元和整个节点所占的存储单元之比。

（2）链表不是一种随机存储结构，不能随机存取元素。

Ⅶ 存储密度，什么是存储密度

在数据结构中，存储密度:结点数据本身所占的存储量和整个结点结构所占的存储量之比。
存储密度 = (结点数据本身所占的存储量)/(结点结构所占的存储总量)
在数据结构中，数据元素是数据的基本单位，一般将数据元素定义为一个结点，在结点中包含的有数据部分和非数据部分，比如链表中的指针，存储密度是衡量数据对存储空间利用率的指标，即一个数据元素存储单元中数据所占空间与这个数据元素存储空间的百分比。

Ⅷ 磁盘存储器的技术指标有哪些

存储器的主要技术指标有：
1、存储器容量：存储器容量是指存储器存放信息的总量。以Byte为单位，读作“字节”。习惯上使用KB(1KB=1024B)、MB(1MB=1024KB)和GB(1GB=1024MB)。
2、存储密度：外存储器软磁盘按存储密度不同分为低密度盘(48TPI)和高密度盘(96TPI)。尺寸为5.25英寸的软盘：低密度盘容量为360KB，高密度盘容量为1.2MB；尺寸为3.5英寸的软盘：低密度盘容量为720KB，高密度盘容量为1.44MB。
3、存取周期：存取周期是指从存储器中取出(或存入)一个字到再能取出(或存入)下一个字所需要的时间。以毫微秒(ns)为单位。

Ⅸ 单链表存储密度小于1是怎么回事

存储密度=单链表数据项所占空间/结点所占空间
结点所占空间由数据项所占空间和存放后继结点地址的链域，所以，存储密度小于1