静态存储器机构图

⑴ 什么是静态存储器什么是动态存储器

静态存储器(SRAM）：读写速度快,成本高,需要电源才能工作,断电信息将丢失,多用于容量较小的高速缓冲存储器.
动态存储器（DRAM）：读写速度较慢,集成度高,成本低,要求配置动态刷新电路,多用于容量较大的主存储器.

⑵ 谁能给想我详细讲下常用静态存储6116各引脚、最好附带它的引脚图

各引脚含义如下:

A0-A10为地址线;CE是片选线;OE是读允许线;WE是写允许线.

6116的操作方式如下:CE

OEWE方式D0-D7

H**未选中高阻

LLH读Dout

LHL写Din

LLL写Din

⑶ 静态存储和动态存储的区别

1. 静态内存

静态内存是指在程序开始运行时由编译器分配的内存，它的分配是在程序开始编译时完成的，不占用CPU资源。

程序中的各种变量，在编译时系统已经为其分配了所需的内存空间，当该变量在作用域内使用完毕时，系统会

自动释放所占用的内存空间。

变量的分配与释放，都无须程序员自行考虑。

基本类型，数组

2. 动态内存

用户无法确定空间大小，或者空间太大，栈上无法分配时，会采用动态内存分配。

• 处理器不工作,电脑什么都做不了。

  处理器的工作就是处理指令（多条指令就构成一个程序）。

  处理器从内存中取指令集（程序）。

  问题是如果断电的话，内存中的指令就会丢失。因而内存归类为“易失性”介质。

  所以我们要把程序、数据存储在不易失性的介质中，比如硬盘和光盘。

  

⑷ 静态存储器与动态存储器的定义是什么

静态存储器是指依靠双稳态触发器的两个稳定状态保存信息的存储器。双稳态电路是有源器件，需要电源才能工作，只要电源正常，就能长期稳定的保存信息，所以称为静态存储器。如果断电，信息将会丢失，属于挥发性存储器，或称易失性。

动态存储器是指在指定功能或应用软件之间共享的存储器。如果一个或两个应用软件占用了所有存储器空间，此时将无法为其他应用软件分配存储器空间。需要由存储器控制电路按一定周期对存储器刷新，才能维系数据保存。

(4)静态存储器机构图扩展阅读：

动态存储器的工作原理

动态RAM是由许多基本存储元按照行和列地址引脚复用来组成的。在3管动态RAM电路中，读选择线和写选择线是分开的，读数据线和写数据线也是分开的。

写操作时，写选择线为"1"，Q1导通，要写入的数据通过Q1送到Q2的栅极，并通过栅极电容在一定时间内保持信息。

读操作时，先通过公用的预充电管Q4使读数据线上的分布电容CD充电，当读选择线为高电平有效时,Q3处于可导通的状态。若原来存有"1"，则Q2导通，读数据线的分布电容CD通过Q3、Q2放电。此时读得的信息为"0"，正好和原存信息相反。

可见，对这样的存储电路，读得的信息和原来存入的信息正好相反,所以要通过读出放大器进行反向再送往数据总线。

⑸ 何为静态存储器、动态存储器，它们的区别是什么

静态存储器与动态存储器主要性能比较如下表:
静态和动态存储器芯片特性比较
SRAM DRAM
存储信息 触发器 电容
破坏性读出 非 是
需要刷新 不要 需要
送行列地址 同时送 分两次送
运行速度 快 慢
集成度 低 高
发热量 大 小
存储成本 高 低
动态存储器的定期刷新:在不进行读写操作时,DRAM 存储器的各单元处于断电状态,由于漏电的存在,保存在电容CS 上的电荷会慢慢地漏掉,为此必须定时予以补充,称为刷新操作

⑹ 五、画出MOS六管静态和动态存储单元的电路原理图，并简述信息写入、读出的工作过程。

写“1”：

在I/O线上输入高电位，在I/O线上输入高电位，

把高、低电位分别加在A，B点，

使T1管截止，T2管导通，

至此“1”写入存储元。

写“0”：

在I/O线上输入低电位，在I/O线上输入高电位，

把低、高电位分别加在A，B点，

使T1管导通，T2管截止，

至此“0”写入存储元。

⑺ 设计一个SRAM存储器.容量为1M*4,双译码结构,存储器阵列结构中行数与列数相同

摘要 随着微电子技术的迅猛发展，SRAM存储器逐渐呈现出高集成度、快速及低功耗的发展趋势。在半导体存储器的发展中，静态存储器(SRAM)由于其广泛的应用成为其中不可或缺的重要一员。下面由英尚微电子详细介绍关于SRAM随机存储器的特点及结构。

⑻ ram原理图

我们很多的Chip中都有ram作为存储器，存储器是能存储数据，并当给出地址码时能读出数据的装置。根据存储方式的不同，存储器可以分为随机存储器（ram）和只读存储器（rom）两大类。
ram的原意是不管对于哪一个存储单元，都可以以任意的顺序存取数据，而且存取所花的时间都相等。即使不能完全达到以任意的顺序存取，凡是能以相同的动作顺序和相同的动作时间进行存入和读出的半导体存储器都包括在ram中。
按照存放信息原理的不同，随机存储器又可分为静态和动态两种。静态ram是以双稳态元件作为基本的存储单元来保存信息的，因此，其保存的信息在不断电的情况下，是不会被破坏的；而动态ram是靠电容的充、放电原理来存放信息的，由于保存在电容上的电荷，会随着时间而泄露，因而会使得这种器件中存放的信息丢失，必须定时进行刷新。

一般一个存储器系统由以下几部分组成。
1．基本存储单元
一个基本存储单元可以存放一位二进制信息，其内部具有两个稳定的且相互对立的状态，并能够在外部对其状态进行识别和改变。不同类型的基本存储单元，决定了由其所组成的存储器件的类型不同。静态ram的基本存储单元是由两个增强型的nm0s反相器交叉耦合而成的触发器，每个基本的存储单元由六个mos管构成，所以，静态存储电路又称为六管静态存储电路。
图为六管静态存储单元的原理示意图。其中t1、t2为控制管，t3、t4为负载管。这个电路具有两个相对的稳态状态，若tl管截止则a＝“l”(高电平)，它使t2管开启，于是b＝“0”(低电平)，而b＝“0”又进一步保证了t1管的截止。所以，这种状态在没有外触发的条件下是稳定不变的。同样，t1管导通即a＝“0”(低电平)，t2管截止即b＝“1”(高电平)的状态也是稳定的。因此，可以用这个电路的两个相对稳定的状态来分别表示逻辑“1”和逻辑“0”。
当把触发器作为存储电路时，就要使其能够接收外界来的触发控制信号，用以读出或改变该存储单元的状态，这样就形成了如下右图所示的六管基本存储电路。其中t5、t6为门控管。

(a) 六管静态存储单元的原理示意图 (b) 六管基本存储电路
图 六管静态存储单元（我们常看到的还有把t3&t1的gate连到一起，把t2&t4的gate连到一起）
当x译码输出线为高电平时，t5、t6管导通，a、b端就分别与位线d0及 相连；若相应的y译码输出也是高电平，则t7、t8管(它们是一列公用的，不属于某一个存储单元)也是导通的，于是d0及 (这是存储单元内部的位线)就与输入/输出电路的i/o线及 线相通。
写入操作：写入信号自i/o线及 线输入，如要写入“1”，则i/o线为高电平而 线为低电平，它们通过t7、t8管和t5、t6管分别与a端和b端相连，使a=“1”，b=“0”，即强迫t2管导通，tl管截止，相当于把输入电荷存储于tl和t2管的栅级。当输入信号及地址选择信号消失之后，t5、t6、t7、t8都截止。由于存储单元有电源及负载管，可以不断地向栅极补充电荷，依靠两个反相器的交叉控制，只要不掉电，就能保持写入的信息“1”，而不用再生(刷新)。若要写入“0”，则 线为低电乎而i/o线为高电平，使tl管导通，t 2管截止即a=“0”，b=“1”。
读操作：只要某一单元被选中，相应的t5、t6、t7、t8均导通，a点与b点分别通过t5、t6管与d0及 相通，d0及 又进一步通过t7、t8管与i/o及 线相通，即将单元的状态传送到i/o及 线上。
由此可见，这种存储电路的读出过程是非破坏性的，即信息在读出之后，原存储电路的状态不变。

⑼ 利用6116设计8K×16位静态存储器的逻辑框图

理工的？