铁电存储器最大容量

❶ 谁能给我讲讲FRAM产品是容量越大越好吗最好能举个例子对照着给我讲！

FRAM就是铁电存储器，运用了铁电效应，是一种高性能的非易失性存储器，结合了传统非易失性存储器（闪存和E2PROM）和高速RAM（SRAM和DRAM）的优点, 在高速写入、高耐受力、低功耗和防窜改方面具有优势。
以富士通的V系列的FRAM产品MB85RC256V为例:
256Kb存储容量基本能满足很多领域的要求,不过具体选用多大容量的FRAM要看每种领域的具体要求；1012次的读写次数，这个是凸显它的卓越的读写能力的，比较适合需要频繁更新数据的领域, 1012 次读写次数基本上已经能满足当今所有领域的要求；+85度数据能保存10年，这个应该说是FRAM的一个亮点，比较适合需要长期存储数据的领域；每一个FRAM都会有电压范围，不同电压范围适合不同领域的需求,像MB85RC256V的2.7V-5.5V工作电压范围就比较适合工业控制领域。
当然在这里不能给你一一举例子，相信随着你的学习，你会发现FRAM其实是个很简单的东西，知道原理后，做应用就会变得很容易。

❷ 单片机能存储多大的数据

2M的数据在51单片机内是没法保存的，只能外部扩展存储器了。像用AT29C040这样512KB的ROM需要4片，所以还是建议你考虑一下使用NandFlash吧，比如K9F1208芯片，64MB的容量足够你用的吧？不过需要注意，K9F1208是3.3V工作的，那你需要使用3.3V的单片机来运行。

❸ 笔记本内存6G和8G有什么差别

笔记本内存6G和8G区别：

1、性能：8g内存性能运行更快。游戏和软件的使用将更加顺畅。

2、数据传输速度：8GB系统比6GB系统快，8g在数据传输上可以更快地存储和传输数据。

3、内存使用率：当软件频繁开启时，6G内存的使用率会增加，导致计算机运行缓慢。

(3)铁电存储器最大容量扩展阅读：

电脑内存分类：

1、SRAM：

SRAM（StaticRAM）意为静态随机存储器。

SRAM数据不需要通过不断地刷新来保存，因此速度比DRAM（动态随机存储器）快得多。

但是SRAM具有的缺点是：同容量相比DRAM需要非常多的晶体管，发热量也非常大。因此SRAM难以成为大容量的主存储器，通常只用在CPU、GPU中作为缓存，容量也只有几十K至几十M。

2、RDRAM：

RDRAM是由RAMBUS公司推出的内存。

RDRAM内存条为16bit，但是相比同期的SDRAM具有更高的运行频率，性能非常强。

然而它是一个非开放的技术，内存厂商需要向RAMBUS公司支付授权费。并且RAMBUS内存的另一大问题是不允许空通道的存在，必须成对使用，空闲的插槽必须使用终结器。

3、XDRRAM：

XDR内存是RDRAM的升级版。依旧由RAMBUS公司推出。XDR就是“eXtremeDataRate”的缩写。

XDR依旧存在RDRAM不能大面普及的那些不足之处。因此，XDR内存的应用依旧非常有限。比较常见的只有索尼的PS3游戏机。

4、Fe－RAM：

铁电存储器是一种在断电时不会丢失内容的非易失存储器，具有高速、高密度、低功耗和抗辐射等优点。

由于数据是通过铁元素的磁性进行存储，因此，铁电存储器无需不断刷新数据。其运行速度将会非常乐观。而且它相比SRAM需要更少的晶体管。它被业界认为是SDRAM的最有可能的替代者。

❹ 什么是铁电存储器

铁电存储器（FRAM）产品将ROM的非易失性数据存储特性和RAM的无限次读写、高速读写以及低功耗等优势结合在一起。FRAM产品包括各种接口和多种密度，像工业标准的串行和并行接口，工业标准的封装类型，以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。

非易失性记忆体掉电后数据不丢失。可是所有的非易失性记忆体均源自ROM技术。你能想象到,只读记忆体的数据是不可能修改的。所有以它为基础发展起来的非易失性记忆体都很难写入，而且写入速度慢，它们包括EPROM（现在基本已经淘汰）,EEPROM和Flash，它们存在写入数据时需要的时间长，擦写次数低,写数据功耗大等缺点。

FRAM 提供一种与RAM一致的性能,但又有与ROM 一样的非易失性。 FRAM 克服以上二种记忆体的缺陷并合并它们的优点，它是全新创造的产品，一个非易失性随机存取储存器。

FRAM技术

Ramtron的FRAM技术核心是铁电。这就使得FRAM产品既可以进行非易失性数据存储又可以像RAM一样操作。

当一个电场被加到铁电晶体时，中心原子顺着电场的方向在晶体里移动，当原子移动时，它通过一个能量壁垒，从而引起电荷击穿。 内部电路感应到电荷击穿并设置记忆体。移去电场后中心原子保持不动，记忆体的状态也得以保存。FRAM 记忆体不需要定时刷新，掉电后数据立即保存，它速度很快，且不容易写坏。

FRAM存储器技术和标准的CMOS制造工艺相兼容。铁电薄膜被放于CMOS base layers之上，并置于两电极之间，使用金属互连并钝化后完成铁电制造过程。

Ramtron 的FRAM 记忆体技术从开始到现在已经相当成熟。 最初FRAM 记忆体采用二晶体管/ 二电容器的( 2T/2C) 结构，导致元件体积相对较大。 最近发展的铁电材料和制造工艺不再需要在铁电存储器每一单元内配置标准电容器。 Ramtron 新的单晶体管/ 单电容器结构记忆体可以像DRAM一样进行操作，它使用单电容器为存储器阵列的每一列提供参考。与现有的2T/2C结构相比，它有效地把内存单元所需要面积减少一半。新的设计极大的改进了die leverage并且降低了FRAM存储器产品的生产成本。

Ramtron公司现采用0.35微米制造工艺，相对于现有的0.5微米的制造工艺而言，这极大地降低芯片功耗，提高了成本效率。

这些令人振奋的发展使FRAM在人们日常生活的各个领域找到了应用的途径。从办公复印机、高档服务器到汽车安全气囊和娱乐设备， FRAM 使一系列产品的性能得到改进并在全世界范围内得到广泛的应用。

铁电应用

数据采集与记录

存储器（FRAM）可以让设计者更快、更频繁地将数据写入非易失性存储器，而且价格比EEPROM低。数据采集通常包括采集和存储两部分，系统所采集的数据（(除临时或中间结果数据外)需要在掉电后能够保存，这些功能是数据采集系统或子系统所具有的基本功能。在大多数情况下，一些历史记录是很重要的。

典型应用：仪表 (电表、气表、水表、流量表)、RF/ID、仪器,、和汽车黑匣子、安全气袋、GPS定位系统、电力电网监控系统。

参数设置与存储

FRAM通过实时存储数据帮助系统设计者解决了突然断电数据丢失的问题。参数存储用于跟踪系统在过去时间内的改变，它的目的包括在上电状态时恢复系统状态或者确认一个系统错误。总的来说，数据采集是系统或子系统的功能，不论何种系统类型，设置参数存储都是一种底层的系统功能。

典型应用： 影印机,打印机, 工业控制, 机顶盒 (Set-Top-Box), 网络设备（网络调制解调器）和大型家用电器。

非易失性缓冲

铁电存贮器（FRAM）可以在数据传递储存在其它存储器之前快速存储数据。在此情况下，信息从一个子系统非实时地传送到另一个子系统去.。由于资料的重要性, 缓冲区内的数据在掉电时不能丢失.，在某些情况下，目标系统是一个较大容量的存储装置。FRAM以其擦写速度快、擦写次数多使数据在传送之前得到存储。

典型应用：工业系统、银行自动提款机 (ATM), 税控机, 商业结算系统 (POS), 传真机，未来将应用于硬盘非易失性高速缓冲存储器。

SRAM的取代和扩展

铁电存贮器（FRAM） 快速擦写和非易失性等特点，令系统工程师可以把现有设计中的SRAM和EEPROM器件整合到一个铁电存贮器（FRAM）里，或者简单地作为SRAM扩展。

在多数情况下，系统使用多种存储器类型，FRAM提供了只使用一个器件就能提供ROM,RAM和EEPROM功能的能力，节省了功耗, 成本, 空间，同时增加了整个系统的可靠性。最常见的例子就是在一个有外部串行EEPROM嵌入式系统中，FRAM能够代替EEPROM,同时也为处理器提供了额外的SRAM功能。

典型应用：便携式设备中的一体化存储器，使用低端控制器的任何系统。

深圳华胄科技有限公司----RAMTRON铁电存储器代理商
网址：www.huazhoucn.com

❺ 富士通的铁电存储器可以完全兼容替代RAMTRON的型号吗

基本可以兼容。
型号容量存储格式电压**工作电流**读写频率封装备注
MB85RC16 16k bits 2k x 8 2.7 V-3.6 V 400uA 400kHz SOP8与FM24CL16完全兼容
MB85RC64 64k bits 8k x 8 2.7 V-3.6 V 400uA 400kHz SOP8与FM24CL64完全兼容
MB85RC128 128k bits 16k x 8 2.7 V-3.6 V 400uA 400kHz SOP8****颗128Kb 铁电存储器
串行SPI接口
型号容量存储格式电压**工作电流**读写频率封装备注
MB85RS64 64k bits 8k x 8 3.0 V-3.6 V 10mA 25Mhz SOP8与FM25CL64完全兼容
MB85RS128 128k bits 32k x 8 3.0 V-3.6 V 10mA 25Mhz SOP8****颗128Kb 铁电存储器
MB85RS256 256k bits 32k x 8 3.0 V-3.6 V 10mA 25Mhz SOP8与FM25L256以及FM25V02完全兼容
并行接口
型号容量存储格式电压**工作电流访问时间封装备注
MB85R256H 256k bits 32k x 8 2.7 V-3.6 V 10mA 70ns SOP/TSOP28可直接替换FM18L08或FM28V020
MB85R1001A 1M bits 128k x 8 3.0 V-3.6 V 15mA 120ns TSOP48/FBGA48可替换FM20L08和FM28V100
MB85R1002A 1M bits 64k x 16 3.0 V-3.6 V 15mA 120ns TSOP48/FBGA48
欧工：180富士通0256授权6372一级代理商

❻ 电脑内存6g和8g区别大吗

根据普通用户需求，6G和8G内存几乎没区别；但对于专业用户，区别很大。具体区别如下：

1、性能：8g内存性能运行更快。游戏和软件的使用会更流畅。

2、数据传输速度：8GB系统比6GB系统快，在数据传输上8g能存能更快的传输数据，

3、内存使用率：6g内存的使用率会在频繁开启软件升高使用率导致电脑运行变慢。

(6)铁电存储器最大容量扩展阅读：

电脑内存分类：

1、SRAM：

SRAM（Static RAM）意为静态随机存储器。SRAM数据不需要通过不断地刷新来保存，因此速度比DRAM（动态随机存储器）快得多。但是SRAM具有的缺点是：同容量相比DRAM需要非常多的晶体管，发热量也非常大。因此SRAM难以成为大容量的主存储器，通常只用在CPU、GPU中作为缓存，容量也只有几十K至几十M。

2、RDRAM：

RDRAM是由RAMBUS公司推出的内存。RDRAM内存条为16bit，但是相比同期的SDRAM具有更高的运行频率，性能非常强。然而它是一个非开放的技术，内存厂商需要向RAMBUS公司支付授权费。并且RAMBUS内存的另一大问题是不允许空通道的存在，必须成对使用，空闲的插槽必须使用终结器。

3、XDR RAM：XDR内存是RDRAM的升级版。依旧由RAMBUS公司推出。XDR就是“eXtreme Data Rate”的缩写。XDR依旧存在RDRAM不能大面普及的那些不足之处。因此，XDR内存的应用依旧非常有限。比较常见的只有索尼的PS3游戏机。

4、Fe-RAM：

铁电存储器是一种在断电时不会丢失内容的非易失存储器，具有高速、高密度、低功耗和抗辐射等优点。由于数据是通过铁元素的磁性进行存储，因此，铁电存储器无需不断刷新数据。其运行速度将会非常乐观。而且它相比SRAM需要更少的晶体管。它被业界认为是SDRAM的最有可能的替代者。

❼ FM25V01A-GTR是存储器芯片吗

你好，根据描述，FM25V01A-GTR是CYPRESS公司生产的低功耗类型的MRAM存储器，存储容量为128Kb，封装形式TSOP II，该器件广泛应用汽车电子、医疗电子以及智能家居等领域，国内比较大的品牌代理湖北亚冠电子有现货，价格根据订货数量不同大致价格在20-40左右，希望对你有帮助。

❽ 新能源汽车电机控制器由什么组成

新能源汽车作为一种绿色的运输工具在环保、节能以及驾驶性能等方面具有诸多内燃机汽车无法比拟的优点，其是由多个子系统构成的一个复杂系统，主要包括电池、电机、制动等动力系统以及其它附件（如图1所示）。各子系统几乎都通过自己的控制单元（ECU）来完成各自功能和目标。为了满足整车动力性、经济性、安全性和舒适性的目标，一方面必须具有智能化的人车交互接口，另一方面，各系统还必须彼此协作，优化匹配，这项任务需要由控制系统中的整车控制器来完成。基于总线的分布式控制网络是使众多子系统实现协同控制的理想途径。由于CAN总线具有造价低廉、传输速率高、安全性可靠性高、纠错能力强和实时性好等优点，己广泛应用于中、低价位汽车的实时分布式控制网络。随着越来越多的汽车制造厂家采用CAN协议，CAN逐渐成为通用标准。采用总线网络可大大减少各设备间的连接信号线束，并提高系统监控水平。另外，在不减少其可靠性前提下，可以很方便地增加新的控制单元，拓展网络系统功能。

下面对每个模块功能进行简要的说明：

1、开关量调理模块

开关量调理模块，用于开关输入量的电平转换和整型，其一端与多个开关量传感器相连，另一端与微控制器相接；

2、继电器驱动模块

继电器驱动模块，用于驱动多个继电器，其一端通过光电隔离器与微控制器相连，另一端与多个继电器相接；

3、高速CAN总线接口模块

高速CAN总线接口模块，用于提供高速CAN总线接口，其一端通过光电隔离器与微控制器相连，另一端与系统高速CAN总线相接；

4、电源模块

电源模块，可为微处理器和各输入和输出模块提供隔离电源，并对蓄电池电压进行监控，与微控制器相连；

5、模拟量输入和输出模块

模拟量输入和输出模块，可采集0~5V模拟信号，并可输出0~4.095V的模拟电压信号。

6、脉冲信号输入和输出模块

可采集脉冲信号并调理，范围1Hz—20KHZ,幅度6---50V；输出PWM信号

范围1HZ—10KHZ，幅度0—14V。

7、故障和数据存储模块

铁电存储器可以存储标定的数据和故障码，车辆特征参数等，容量32K。

二、整车控制器功能说明

新能源汽车整车控制器基本上以下几项功能：

1.对汽车行驶控制的功能

新能源汽车的动力电机必须按照驾驶员意图输出驱动或制动扭矩。当驾驶员踩下加速踏板或制动踏板，动力电机要输出一定的驱动功率或再生制动功率。踏板开度越大，动力电机的输出功率越大。因此，整车控制器要合理解释驾驶员操作；接收整车各子系统的反馈信息，为驾驶员提供决策反馈；对整车各子系统的发送控制指令，以实现车辆的正常行驶。

2.整车的网络化管理

在现代汽车中，有众多电子控制单元和测量仪器，它们之间存在着数据交换，如何让这种数据交换快捷、有效、无故障的传输成为一个问题，为了解决这个问题，德国BOSCH公司于20世纪80年代研制出了控制器局域网（CAN）。在电动汽车中，电子控制单元比传统燃油车更多更复杂，因此，CAN总线的应用势在必行。整车控制器是电动汽车众多控制器中的一个，是CAN总线中的一个节点。在整车网络管理中，整车控制器是信息控制的中心，负责信息的组织与传输，网络状态的监控，网络节点的管理以及网络故障的诊断与处理。

3.制动能量回馈控制

新能源汽车以电动机作为驱动转矩的输出机构。电动机具有回馈制动的性能，此时电动机作为发电机，利用电动汽车的制动能量发电，同时将此能量存储在储能装置中，当满足充电条件时，将能量反充给动力电池组。在这一过程中，整车控制器根据加速踏板和制动踏板的开度以及动力电池的SOC值来判断某一时刻能否进行制动能量回馈，如果可以进行，整车控制器向电机控制器发出制动指令，回收能部分能量。

4.整车能量管理和优化

在纯电动汽车中，电池除了给动力电机供电以外，还要给电动附件供电，因此，为了获得最大的续驶里程，整车控制器将负责整车的能量管理，以提高能量的利用率。在电池的SOC值比较低的时候，整车控制器将对某些电动附件发出指令，限制电动附件的输出功率，来增加续驶里程。

5.车辆状态的监测和显示

整车控制器应该对车辆的状态进行实时检测，并且将各个子系统的信息发送给车载信息显示系统，其过程是通过传感器和CAN总线，检测车辆状态及其各子系统状态信息，驱动显示仪表，将状态信息和故障诊断信息经过显示仪表显示出来。显示内容包括：电机的转速、车速，电池的电量，故障信息等。

6.故障诊断与处理

连续监视整车电控系统，进行故障诊断。故障指示灯指示出故障类别和部分故障码。根据故障内容，及时进行相应安全保护处理。对于不太严重的故障，能做到低速行驶到附近维修站进行检修。

7.外接充电管理

实现充电的连接，监控充电过程，报告充电状态，充电结束。

8.诊断设备的在线诊断和下线检测

负责与外部诊断设备的连接和诊断通讯，实现UDS诊断服务，包括数据流读取，故障码的读和清除，控制端口的调试。

❾ 铁电存储器的存储结构

FRAM的存储单元主要由电容和场效应管构成，但这个电容不是一般的电容，在它的两个电极板中间沉淀了一层晶态的铁电晶体薄膜。前期的FRAM每个存储单元使用两个场效应管和两个电容，称为“双管双容”（2T2C），每个存储单元包括数据位和各自的参考位，简化的2T2C存储单元结构如图2（a）所示。2001年Ramtron设计开发了更先进的"单管单容"（1T1C）存储单元。1T1C的FRAM所有数据位使用同一个参考位，而不是对于每一数据位使用各自独立的参考位。1T1C的FRAM产品成本更低，而且容量更大。简化的1T1C存储单元结构（未画出公共参考位）如图2（b）所示。

❿ 铁电存储器最大容量是多少

目前市场上最大的是1M的！