硅怎么配置

① 工业制硅用什么方法！

高纯硅的制取：SiO2+2CSi+2CO↑（制粗硅）Si (粗硅)+2Cl2SiCl4（分馏提纯SiCl4）SiCl4+2H2Si+4HCl

② 水质偏硅酸溶液配制

水质偏硅酸溶液配制
硅酸钠有模数的区别 ,不同模数的硅酸钠SI NA比不同. 硅 钠比为1的,一般是偏硅酸钠.
硅酸钠的模数自己也可以调整,加热条件下分别加热二氧化硅或氢氧化钠.实际生产中几乎无意义.市场上有不同模数的硅酸钠出售.可根据自己需要购买.

③ 硅有哪些用途

1、硅是电子工业超纯硅的原料，超纯半导体单晶硅做的电子器件具有体积小、重量轻、可靠性好和寿命长等优点。掺有特定微量杂质的硅单晶制成的大功率晶体管、整流器及太阳能电池，比用锗单晶制成的好。

2、非晶硅太阳能电池研究进展很快，转换率达到了8%以上。硅钼棒电热元件最高使用温度可达1700℃，具有电阻不易老化和良好的抗氧化性能。

3、用硅生产的三氯氢硅，可配制几百种硅树脂润滑剂和防水化合物等。此外，碳化硅可作磨料，高纯氧化硅制作的石英管是高纯金属冶炼及照明灯具的重要材料。

4、硅构筑植物的重要元素。硅是植物重要的营养元素，大部分植物体内含有硅。表明，硅在植物干物质中占的比例为0.1-20%。

5、硅是品质元素。有改善农产品品质的作用，并有利于贮存和运输。硅能调节作物的光合作用和蒸腾作用，提高光合效率，增强作物的抗旱、抗干热风和抗低温能力。

硅肥可增强作物对病虫害的抵抗力，减少病虫危害。作物吸收硅后，在体内形成硅化细胞，使茎叶表层细胞壁加厚，角质层增加，从而提高防虫抗病能力。硅肥可提高作物抗倒伏。由于作物的茎秆直，使抗倒伏能力提高80%左右。

硅肥可使作物体内通气性增强。作物体内含硅量增加，使作物导管刚性加强，促使通气性，不但可促进作物根系生长，还可预防根系的腐烂和早衰。

6、微孔硅钙保温材料微孔硅钙保温材料是一种优良的保温材料。它具有热容量小、机械强度高、导热系数低、不燃烧、无毒无味、可切割、运输方便等特点，可广泛用于冶金、电力、化工、船舶等各种热力设备及管道上。

(3)硅怎么配置扩展阅读

1、常见硅酸盐产品

陶瓷、玻璃、水泥是使用量最大的传统无机非金属材料。

玻璃原料：纯碱、石灰石和石英。

水泥：是一种非常重要的建筑材料。原料：黏土、石灰石。

陶瓷：人类应用最早的硅酸盐材料。原料：黏土。

陶瓷具有抗氧化、抗酸碱腐蚀、耐高温、绝缘、易成型等许多优点，因此，陶瓷制品一直为人们所喜爱。

2、新型无机非金属材料

高温结构陶瓷：氮化硅Si3N4、碳化硅SiC，俗名金刚砂。

生物陶瓷：Al2O3、ZrO2。

压电陶瓷：钛酸钡BaTiO3、钛酸铅PbTiO3。

特征：耐高温、强度高；具有电学性质；具有光学性质；具有生物功能。

④ 硅是做CPU的材料吗

现在市场上产品丰富，琳琅满目，当你使用着配置了最新款CPU的电脑在互联网上纵横驰骋，在各种程序应用之间操作自如的时候，有没有兴趣去想一想这个头不大、功能不小的CPU是怎么制作出来的呢。 在今天的半导体制造业中，计算机中央处理器无疑是受关注程度最高的领域，而这个领域中众所周知的两大巨头，其所遵循的处理器架构均为x86，而另外一家号称信息产业的蓝色巨人的IBM，也拥有强大的处理器设计与制造能力，它们最先发明了应变硅技术，并在90纳米的处理器制造工艺上走在最前列。在今天的文章中，我们将一步一步的为您讲述中央处理器从一堆沙子到一个功能强大的集成电路芯片的全过程。

制造CPU的基本原料

如果问及CPU的原料是什么，大家都会轻而易举的给出答案—是硅。这是不假，但硅又来自哪里呢？其实就是那些最不起眼的沙子。难以想象吧，价格昂贵，结构复杂，功能强大，充满着神秘感的CPU竟然来自那根本一文不值的沙子。当然这中间必然要经历一个复杂的制造过程才行。不过不是随便抓一把沙子就可以做原料的，一定要精挑细选，从中提取出最最纯净的硅原料才行。试想一下，如果用那最最廉价而又储量充足的原料做成CPU，那么成品的质量会怎样，你还能用上像现在这样高性能的处理器吗？

除去硅之外，制造CPU还需要一种重要的材料就是金属。目前为止，铝已经成为制作处理器内部配件的主要金属材料，而铜则逐渐被淘汰，这是有一些原因的，在目前的CPU工作电压下，铝的电迁移特性要明显好于铜。所谓电迁移问题，就是指当大量电子流过一段导体时，导体物质原子受电子撞击而离开原有位置，留下空位，空位过多则会导致导体连线断开，而离开原位的原子停留在其它位置，会造成其它地方的短路从而影响芯片的逻辑功能，进而导致芯片无法使用。这就是许多Northwood Pentium 4换上SNDS（北木暴毕综合症）的原因，当发烧友们第一次给Northwood Pentium 4超频就急于求成，大幅提高芯片电压时，严重的电迁移问题导致了CPU的瘫痪。这就是intel首次尝试铜互连技术的经历，它显然需要一些改进。不过另一方面讲，应用铜互连技术可以减小芯片面积，同时由于铜导体的电阻更低，其上电流通过的速度也更快。

除了这两样主要的材料之外，在芯片的设计过程中还需要一些种类的化学原料，它们起着不同的作用，这里不再赘述。

CPU制造的准备阶段

在必备原材料的采集工作完毕之后，这些原材料中的一部分需要进行一些预处理工作。而作为最主要的原料，硅的处理工作至关重要。首先，硅原料要进行化学提纯，这一步骤使其达到可供半导体工业使用的原料级别。而为了使这些硅原料能够满足集成电路制造的加工需要，还必须将其整形，这一步是通过溶化硅原料，然后将液态硅注入大型高温石英容器而完成的。

而后，将原料进行高温溶化。中学化学课上我们学到过，许多固体内部原子是晶体结构，硅也是如此。为了达到高性能处理器的要求，整块硅原料必须高度纯净，及单晶硅。然后从高温容器中采用旋转拉伸的方式将硅原料取出，此时一个圆柱体的硅锭就产生了。从目前所使用的工艺来看，硅锭圆形横截面的直径为200毫米。不过现在intel和其它一些公司已经开始使用300毫米直径的硅锭了。在保留硅锭的各种特性不变的情况下增加横截面的面积是具有相当的难度的，不过只要企业肯投入大批资金来研究，还是可以实现的。intel为研制和生产300毫米硅锭而建立的工厂耗费了大约35亿美元，新技术的成功使得intel可以制造复杂程度更高，功能更强大的集成电路芯片。而200毫米硅锭的工厂也耗费了15亿美元。下面就从硅锭的切片开始介绍CPU的制造过程。
在制成硅锭并确保其是一个绝对的圆柱体之后，下一个步骤就是将这个圆柱体硅锭切片，切片越薄，用料越省，自然可以生产的处理器芯片就更多。切片还要镜面精加工的处理来确保表面绝对光滑，之后检查是否有扭曲或其它问题。这一步的质量检验尤为重要，它直接 决定了成品CPU的质量。

新的切片中要掺入一些物质而使之成为真正的半导体材料，而后在其上刻划代表着各种逻辑功能的晶体管电路。掺入的物质原子进入硅原子之间的空隙，彼此之间发生原子力的作用，从而使得硅原料具有半导体的特性。今天的半导体制造多选择CMOS工艺（互补型金属氧化物半导体）。其中互补一词表示半导体中N型MOS管和P型MOS管之间的交互作用。而N和P在电子工艺中分别代表负极和正极。多数情况下，切片被掺入化学物质而形成P型衬底，在其上刻划的逻辑电路要遵循nMOS电路的特性来设计，这种类型的晶体管空间利用率更高也更加节能。同时在多数情况下，必须尽量限制pMOS型晶体管的出现，因为在制造过程的后期，需要将N型材料植入P型衬底当中，而这一过程会导致pMOS管的形成。

在掺入化学物质的工作完成之后，标准的切片就完成了。然后将每一个切片放入高温炉中加热，通过控制加温时间而使得切片表面生成一层二氧化硅膜。通过密切监测温度，空气成分和加温时间，该二氧化硅层的厚度是可以控制的。在intel的90纳米制造工艺中，门氧化物的宽度小到了惊人的5个原子厚度。这一层门电路也是晶体管门电路的一部分，晶体管门电路的作用是控制其间电子的流动，通过对门电压的控制，电子的流动被严格控制，而不论输入输出端口电压的大小。

准备工作的最后一道工序是在二氧化硅层上覆盖一个感光层。这一层物质用于同一层中的其它控制应用。这层物质在干燥时具有很好的感光效果，而且在光刻蚀过程结束之后，能够通过化学方法将其溶解并除去。

光刻蚀

这是目前的CPU制造过程当中工艺非常复杂的一个步骤，为什么这么说呢？光刻蚀过程就是使用一定波长的光在感光层中刻出相应的刻痕， 由此改变该处材料的化学特性。这项技术对于所用光的波长要求极为严格，需要使用短波长的紫外线和大曲率的透镜。刻蚀过程还会受到晶圆上的污点的影响。每一步刻蚀都是一个复杂而精细的过程。设计每一步过程的所需要的数据量都可以用10GB的单位来计量，而且制造每块处理器所需要的刻蚀步骤都超过20步（每一步进行一层刻蚀）。而且每一层刻蚀的图纸如果放大许多倍的话，可以和整个纽约市外加郊区范围的地图相比，甚至还要复杂，试想一下，把整个纽约地图缩小到实际面积大小只有100个平方毫米的芯片上，那么这个芯片的结构有多么复杂，可想而知了吧。

当这些刻蚀工作全部完成之后，晶圆被翻转过来。短波长光线透过石英模板上镂空的刻痕照射到晶圆的感光层上，然后撤掉光线和模板。通过化学方法除去暴露在外边的感光层物质，而二氧化硅马上在陋空位置的下方生成。

掺杂

在残留的感光层物质被去除之后，剩下的就是充满的沟壑的二氧化硅层以及暴露出来的在该层下方的硅层。这一步之后，另一个二氧化硅层制作完成。然后，加入另一个带有感光层的多晶硅层。多晶硅是门电路的另一种类型。由于此处使用到了金属原料（因此称作金属氧化物半导体），多晶硅允许在晶体管队列端口电压起作用之前建立门电路。感光层同时还要被短波长光线透过掩模刻蚀。再经过一部刻蚀，所需的全部门电路就已经基本成型了。然后，要对暴露在外的硅层通过化学方式进行离子轰击，此处的目的是生成N沟道或P沟道。这个掺杂过程创建了全部的晶体管及彼此间的电路连接，没个晶体管都有输入端和输出端，两端之间被称作端口。

重复这一过程

从这一步起，你将持续添加层级，加入一个二氧化硅层，然后光刻一次。重复这些步骤，然后就出现了一个多层立体架构，这就是你目前使用的处理器的萌芽状态了。在每层之间采用金属涂膜的技术进行层间的导电连接。今天的P4处理器采用了7层金属连接，而Athlon64使用了9层，所使用的层数取决于最初的版图设计，并不直接代表着最终产品的性能差异。

接下来的几个星期就需要对晶圆进行一关接一关的测试，包括检测晶圆的电学特性，看是否有逻辑错误，如果有，是在哪一层出现的等等。而后，晶圆上每一个出现问题的芯片单元将被单独测试来确定该芯片有否特殊加工需要。
而后，整片的晶圆被切割成一个个独立的处理器芯片单元。在最初测试中，那些检测不合格的单元将被遗弃。这些被切割下来的芯片单元将被采用某种方式进行封装，这样它就可以顺利的插入某种接口规格的主板了。大多数intel和AMD的处理器都会被覆盖一个散热层。在处理器成品完成之后，还要进行全方位的芯片功能检测。这一部会产生不同等级的产品，一些芯片的运行频率相对较高，于是打上高频率产品的名称和编号，而那些运行频率相对较低的芯片则加以改造，打上其它的低频率型号。这就是不同市场定位的处理器。而还有一些处理器可能在芯片功能上有一些不足之处。比如它在缓存功能上有缺陷（这种缺陷足以导致绝大多数的CPU瘫痪），那么它们就会被屏蔽掉一些缓存容量，降低了性能，当然也就降低了产品的售价，这就是Celeron和Sempron的由来。

在CPU的包装过程完成之后，许多产品还要再进行一次测试来确保先前的制作过程无一疏漏，且产品完全遵照规格所述，没有偏差。

我们希望这篇文章能够为一些对于CPU制作过程感兴趣的人解答一些疑问。毕竟作者水平有限，不可能以专业的水平把制作过程完全展示给您，如果您有兴趣继续钻研，建议您去阅读一些有关集成电路制造的高级教材。

⑤ 怎样换配置请详细说明。

单机的要求比网游要求高多了。你那机器还是换平台吧，升级意义不大

⑥ 硅磷晶在闭式巡环中如何正确配置用量

循环中，正确的配置用量需要根据使用的具体环境和要达到的效果去匹配到的

⑦ 50毫克每毫升的硅怎么配置

看书吧

⑧ 单硅机的调试方法

单硅机，这个名词对于渔友来说耳熟能详了，而且几乎谁都会做，但最后做出来能调试出好的效果出来的人没几个！呵呵，不是我要贬低大家，而是事实如此！有一部分人了解一些调试重点，但却忽视了很多参数，或者说没有理解透单硅！！今天我简单谈一下单硅机的调试要点！纯属个人意见，大家可信可不信！！
1：倍压，一个好的机器要出好的效果倍压选择很重要，根据自己当地水质选择最高倍压能充分发挥出机器性能，一般的商品机都有高低电压选择档位，如果新手做机得话最好也多留几个电压档位，我的经验是倍压在600-800V最佳！
2：电感，很多人都说关断电感只要能关断就好了，随便绕个几十匝就行，那我就要告诉你，你永远也做不好鱼机！关断电感的作用是增大输出脉宽，降低输出尖峰的作用！增大脉宽实际上就是提高控鱼能力！但并非越大越好，适当的脉宽就可以了，太大只会增加耗电！！
3：电容，嘿嘿，很多人发现机子不浮鱼都拼命加电容，结果效果越来越差！！那这个关断电容到底起什么作用呢？电容主要增大输出尖峰，而晕鱼就是靠这个尖峰，电容越大，尖峰越高，晕鱼效果越好，但太高的尖峰容易死鱼，沉鱼，惊鱼！
4，电感和电容的匹配：上面简单介绍了电感和电容的作用，我们不难看出这两个东西是一个矛盾体，相互制约着，电容和电感很难匹配到最佳点，到底要怎样选择这两个参数呢？这是一个很复杂的问题，很多大师级的人物也无法做到精确，那么肯定有一个参考标准，我说说我的经验！1mh电感配2-4uf电容，要想有控鱼能力，电感量必须达到1mh以上，电容2-4UF时的尖峰电压能有效晕鱼并且不会惊鱼，按这个比例匹配，频率调得好，效果是非常好的！！前级功率的大小也是非常重要的，500W以下的一定不要超过1mh----2-4uf的比例，功率大的机器以此类推按比例选择！
5，怎么判断你现在的机子配置是否合理？如果电鱼的时候鱼能从水底打圈浮上来，电极旁边的鱼也能吸过来，但这个持续的时间很短，手快的话还能捞到几条，手慢的话全跑了，或者一松开关鱼就逃了。把频率调高还是跑！这种现象说明输出脉宽大，尖峰低，能控鱼不能晕鱼！主要是电感的比例大于电容，要减小电感量！！另一种现象是鱼很少能浮上来，大多数是半浮或者沉底了，电极旁边或者远处的鱼一按开关就跑了，惊鱼很严重，调低频率有时候能浮鱼，但逃鱼现象严重，这表明电容的比例大于电感了！
再说说电感的制作，电感有空心，铁芯，磁芯的区别,1000W以内的机空心电感最好，再大功率的机也可以用空心电感，只是制作成本要高一些，一个电感的成本超过主变！我不建议电感加磁芯，虽然这样做能节约成本，但加了磁芯电感量不好控制，再就是电感量极不稳定，随温度变化非常大！有些朋友动不动就往电感里加磁芯，你要知道你加了磁芯后电感量增加几倍，此时电容不做调整的话你的机器很难有好的效果，但加了电容，耗电巨大，你的前级又吃不消了，所以不要盲目调整！我自己做的机子上一律使用使用的空心电感，500W以下的机电感1mh-1.5mh,1.2的线在25x25mm内径的骨架上绕200T左右！我看很多人做的电感只有80-100T，电容用6-8UF ,这样的匹配电小白条就差不多，要想有什么好的效果是不可能的，控鱼效果很差的，把电感改改吧！！
有很多人不知道空心电感怎么做，大家可以参考音响分频电感的做法，或者直接买音响分频电感，一定要选择线径等于或者大于1.2的，那种电感质量很好，都有标称电感量！！！自己做的话能节约点银子！！
先说这么多，如果漏掉什么，以后再补充！！

⑨ 硅烷化试剂怎么配制

硅烷化试剂的配制标准为：用3ML六甲基二硅烷+1ML三甲基氯硅烷+9ML吡啶

硅烷化试剂的应用有三甲基甲硅烷基单官能SBA，如三甲基氯硅烷、六甲基二硅氮烷等；

硅烷化试剂的应用有位阻型单官能SBA，如叔丁基二甲基氯硅烷、三异丙基氧硅烷等；

硅烷化试剂的应用有位阻型双官能SBA，如二甲基二乙酰氧基硅烷、二叔丁基二氯硅烷等；

硅烷化试剂的应用有其它保护剂，如三甲基轻乙基硅烷、甲基二苯基羟乙基硅烷等

(9)硅怎么配置扩展阅读：

硅烷化试剂，简写SBA，又称硅烷保护剂。在分析或有机合成中用以变更或保护有机物中活性基团的一类有机硅单体或小分子化合物

硅烷化试剂的原理为将反应物与过量的六甲基二硅氮烷一起回流，直至氨逸出为止，然后将生成的甲硅烷基化的衍生物进一步进行其它合成反应，最后经过催化水解，脱除上去的硅甲烷基团，使原活性基团再生也可用它改性药物，如使成油溶性或丧失苦味等

⑩ 固体硅酸钠怎么配置成比重为1.25的硅酸钠溶液，也就是水玻璃。需要硅酸钠的质量是多少水溶液又是多少

比重就是物体的重量与其体积的比值。
有些国家是把比重规定为干燥物体完全密实（没有孔隙）的重量和同体积的纯水在4℃时的重量之比。例如金子的比重是19.3，水银的比重是13.55。