m标的存储芯片

‘壹’ M1芯片的M是什么意思

对呀，这个就是苹果的，别人给我笔记本电脑的芯片，..

他自言新片，因为他之前用的的内心变，但是现在他可以开始自己开发自己生自己设计芯片，所以说不用英特的MCP是目前性能最强的芯片，而且功耗特别低，所以说续航特别久，差不多用三五年都不会落后，他是目前最厉害的芯片性能最强的，比英特尔所有的芯片都要厉害。...

你可以看一下苹果的市值，现在苹果是渝州市值最高的，差不多都一家公司都3亿美元，30,000亿美元，真的是富可敌国，特别厉害的公司，如果之前买到股票，现在估计都赚翻了。

‘贰’ 芯片上有个特大"M",请问是哪家的芯片啊

Marvell MediaTek Mstar 最有可能的是 MediaTek

‘叁’ 内存条上有个M标志是什么牌子

内存条上有个M标志是镁光。

镁光(Micron)身为世界第二大内存颗粒制造商。产品在国内极少现身。这是因为镁光很少将自己的优质颗粒卖给其他内存品牌。其极品颗粒供自家DIY品牌Crucial使用及品牌机OEM市场。在IBM.COMPAQ.HP.Dell等国际知名品牌都可以看到其内存颗粒的产品。可知其稳定性及超频性好。

(3)m标的存储芯片扩展阅读

镁光内存条的优势：

镁光与英特尔研究成果发布——3D Xpoint技术的新类别内存产品推出。3D堆叠技术是利用摩尔定律，将存储单元拉近，并且速度增加的技术。

基于这种技术的内存采用了高性能和高容量、低成本的存储解决方案，在内存处理上做出了重大突破。新内存产品的DRAM密度提升10倍，比目前使用的闪存速度快1000倍，并且拥有更好的耐久度。3D Xpoint技术将大幅提升智能手机的性能。

此外，镁光旗下拥有知名内存品牌——英睿达，其生产的柏胜运动系列内存从北美引入国内，获得了较好的市场反应。

镁光柏胜运动系列包括Sport系列、Tactical系列、Elite系列，这三个系列构成一个全面的产品线，从低延迟的DDR-2 800MHz到高速度的DDR3-2133MHz，可以满足游戏玩家、高端用户不同级别的性能需求。

‘肆’ 内存条芯片如何解读

整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。

颗粒编号解释如下：

1． HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。

2． 内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM）

3． 处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）

4． 芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）

5． 内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片）

6． 内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）

7． 接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）

8． 内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）

9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）

10． 封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））

11． 封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））

12． 封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）

13． 速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）

14． 工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））

由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤其是第13位数字，它将明确的告诉消费者，这款内存实际的最高工作状态是多少。假如，消费者买到一款这里显示为L的产品（也就是说，它只支持DDR 200的工作频率），那么就算内存条上贴的标签或者包装盒上吹的再好，它也只是一款低档产品。

常见SDRAM 编号识别

维修SDRAM内存条时，首先要明白内存芯片编号的含义，在其编号中包括以下几个内容：厂商名称（代号）、容量、类型、工作速度等，有些还有电压和一些特殊标志等。通过对这些参数的分析比较，就可以正确认识和理解该内存条的规格以及特点。
(1)世界主要内存芯片生产厂商的前缀标志如下：
▲ HY HYUNDAI ------- 现代
▲ MT Micron ------- 美光
▲ GM LG-Semicon
▲ HYB SIEMENS ------ 西门子
▲ HM Hitachi ------ 日立
▲ MB Fujitsu ------ 富士通
▲ TC Toshiba ------ 东芝
▲ KM Samsung ------ 三星
▲ KS KINGMAX ------ 胜创
(2)内存芯片速度编号解释如下:
★ -7 标记的SDRAM 符合 PC143 规范,速度为7ns.
★ –75标记的SDRAM 符合PC133规范,速度为7.5ns.
★ –8标记的SDRAM 符合PC125规范,速度为8ns.
★ –7k/-7J/10P/10S标记的SDRAM 符合PC100规范,速度为10ns.
★ –10K标记的SDRAM符合PC66规范,速度为15ns.
(3) 编 号 形 式
HY 5a b ccc dd e f g h ii-jj
其中5a中的a表示芯片类别,7---SDRAM; D—DDR SDRAM.
b表示电压,V—3.3V; U---2.5V; 空白—5V.
CCC表示容量,16—16M; 65—64M; 129—129M; 256—256M.
dd表示带宽。
f表示界面，0—LVTTL； 1—SSTL（3）； 2—SSTL_2.
g表示版本号，B—第三代。
h表示电源功耗， L—低功耗； 空白—普通型。
ii表示封装形式， TC—400mil TSOP—H.
jj表示速度，7—143MHZ; 75—133MHZ;8—125MHZ;
10P—100MHZ(CL=2);10S—100MHZ(CL=3)
10—100MHZ(非PC100)。
例：1） HY57V651620B TC-75
按照解释该内存条应为：SDRAM， 3.3V, 64M, 133MHZ.
2) HY57V653220B TC-7
按照解释该内存条应为：SDRAM， 3.3V, 64M, 143MHZ

全球主要内存芯片生产厂家(掌握内存芯片生产技术的厂家主要分布在美国、韩国、日本、德国、台湾)：

序号 品牌 国家/地区 标识 备注
1 三星 韩国 SAMSUNG
2 现代 韩国 HY
3 乐金 韩国 LGS 已与HY合并
4 迈克龙 美国 MT
5 德州仪器 美国 Ti 已与Micron合并
6 日电 日本 NEC
7 日立 日本 HITACHI
8 冲电气 日本 OKI
9 东芝 日本 TOSHIBA
10 富士通 日本 F
11 西门子 德国 SIEMENS
12 联华 台湾 UMC
13 南亚 台湾 NANYA
14 茂矽 台湾 MOSEI

‘伍’ 以下是哪个芯片厂商的图标：一个m上加一个椭圆，椭圆长轴轴线向右上

Micron（美国镁光）半导体是全球第三大内存芯片厂，是全球着名的半导体存储器方案供应商，是美国500强企业之一。

官网网址网页链接

‘陆’ U盘、MP3这些产品用的内存芯片分MLC和SLC的，它们都有什么区别啊

MLC（Multi-Level-Cell）技术，由英特尔于1997年率先推出，能够让单个存储单元保存两倍的数据量。MLC内存颗粒是个相当良好的低价解决方案，可大幅节省制造商端的成本，但是MLC NAND颗粒制成的CompactFlash卡相较于SLC（Single-Lecel_Cell） 内存颗粒的产品有着写入速度慢、耗电多、寿命短的缺点，MLC颗粒制成的产品只有10X（1.5Mbyte/sec）的写入速度，SLC 颗粒制成的产品可以达到 22X（3.2Mbyte/sec）的写入速度。Intel 在1997年9月最先开发成功，能够让单个存储单元保存两倍的数据量；
SLC 与 MLC 的参数对比：
Item SLC MLC
电压 3.3V/1.8V 3.3V
生产工艺 / 芯片尺寸 0.12um 0.16um
页容量 / 块容量 2KB/128KB 512KB/32KB or 2KB/256KB
访问时间（最大） 25us 70us
页编程时间（典 型） 250us 1.2ms
可否局部编程 Yes No
擦写次数 100K 10K
数据写入速率 8MB/S+ 1.5MB/S

‘柒’ 一个M上面一个圈是什么牌子的内存呀

美光（Micron ）内存，也有叫镁光的，都是同一个牌子。美国牌子货高级货！
美光科教是世界第二大内存颗粒制造商，总部位于美国爱德荷州首府博伊西市。在中国的制造工厂司设在西安，于2007年3月21日落成在西安高新区，是目前陕西省最大的外商投资企业之一。2012年完成收购日本尔必达后成为全球仅次于三星的第二大内存颗粒制造商。美光(Micron)在国内主要涉足于闪存、固态硬盘和影像传感器等。
美光科技有限公司（以下简称美光科技），成立于1978年，是全球最大的半导体储存及影像产品制造商之一，其主要产品包括DRAM、NAND闪存、NOR闪存、SSD固态硬盘和CMOS影像传感器。总公司（Micron Technology, Inc.）设于美国西北部爱达荷州的首府博伊西，拥有完整先进的制造业和研发设备。美光的业务分布全球，在全球拥有两万六千名正式雇员，其中亚洲有一万名。在中国，美光科技公司在上海设立了市场营销办事处和集成电路设计中心；在北京、深圳设立了市场营销办事处，致力于为上海、北京、深圳、福建和其他省市的客户提供高水平的服务。另外，2005年9月，美光公司经过对国内10余个城市的进行综合考察后，最后决定选址西安，建造美光在中国的半导体工厂，该项目包括芯片模块组装和芯片封装测试两个部分，总投资达2.5亿美元，出口额可达5亿美元以上，创造就业岗位2000余个。
作为全球知名的半导体记忆产品生产商，产量位于全世界前列。美光的DRAM动态随机存取存储器和Flash闪存使用广泛，主要用于计算机系统、电路网路和电讯产品；电脑，工作站，服务器，网状系统，行动电话，无线装置，数码照相机，和游戏系统，都是有使用美光的DRAM动态随机存取存储器和Flash闪存构成的产品。美光是行业的创新者和领导者，致力于开发突破性技术和产品，优化性能。美光的使命是要成为最具创新精神和低成本的存储解决方案供应商。这一使命是体现在生产周期短、产出高、生产成本低、芯片尺寸是业界最小这几个方面。美光科技公司一直致力于提高其客户群，提高其在中国运用先进的半导体技术的地位。
美光公司普通股代码为MU，在纽约证券交易所交易（NYSE）。
参考资料：网络和网络新闻