存储器的读写

① 存储器进行一次完整的读写操作所需的全部时间称为（ ）。A. 存取时间B. 存取周期C. CPU周期D. 机器周期

存储器进行一次完整的读写操作所需的全部时间称为存取时间。

存储器存取时间又称存储器访问时间，是指从启动一次存储器操作到完成该操作所经历的时间。主存储器得主要性能指标为主存容量、存储器存取时间和存储周期时间。存储器的速度一般用存储器存取时间和存储周期来表示。

存储器进行一次“读”或“写”操作所需的时间称为存储器的访问时间（或读写时间），而连续启动两次独立的“读”或“写”操作（如连续的两次“读”操作）所需的最短时间，称为存取周期。

(1)存储器的读写扩展阅读：

存储器的主要功能是存储程序和各种数据，并能在计算机运行过程中高速、自动地完成程序或数据的存取，有了存储器，计算机才有记忆功能，才能保证正常工作。计算机中的存储器按用途存储器可分为主存储器和辅助存储器，也有分为外部存储器和内部存储器的分类方法。

主存储器的主要性能指标为主存容量、存储器存取时间和存储周期时间。存储器的速度一般用存储器存取时间和存储周期来表示。

② 4. 存储器的读写操作是怎样的

1.存储器通过加法处理器对CS:IP进行处理,得到一个物理地址;
2.通过地址总线在内存中找到物理地址,在物理地址内存中找到对应的机器码即汇编指令
3.机器码通过数据总线到达指令缓冲器
4.执行机器码
至于是读还是写就要看汇编指令是怎么的了

③ 存储器读写过程是什么

读应该是放下电，写应该是被电

④ 按存储器的读写功能分类，半导体存储器可分为几类各有何特点

按存储器的读写功能分类，半导体存储器可分为两类：1.静态 SRAM ，2.动态 DRAM
简单说特点:静态耗时稍长但信息稳定；动态快速但信息易流失。

⑤ 存储器的读写

RAM、硬盘、光盘、储蓄器

⑥ 计算机的存储器读写速度比较

首先，CACHE是CPU的缓存，和CPU速度一致，用于平衡CPU和内存的速度差,是速度最快的
其次是RAM。因为内存储存的是电脑的缓存，需要快速调用，速度必须快。比如ddr3 1333mhz内存的速度约是10.664GB/s.
然后首先，我先说一点，ROM和硬盘是一个东西。u盘和硬盘也是同一类东西。而且速度也不好比。例如，硬盘分为机械硬盘和固态硬盘，固态硬盘比机械硬盘快很多。
同时，u盘的传输速度除了和u盘自身有关外，还和传输接口有关，比如，usb3.1>usb3.0>usb2.0。
那么我就把这两个东西统一看为硬盘。目前世界上最快的消费级硬盘速度是威刚推出SSD，速度达3.2gb/s，自然卖的很贵。
u盘虽然自身速度跟硬盘没啥区别，但是收到系统、接口之类的限制，u盘还是比硬盘要慢一点。
至于软盘，你懂的。这玩意可以当纪念品了，速度慢地像蜗牛，内存小到装不下现在的一个软件。。。
综合来说，速度应该是：CACHE>RAM>ROM或硬盘>u盘>软盘

⑦ 读写最快的存储器

通常来说，内存速度最快，但不排除特殊情况，比如nvme固态硬盘要比几年前ddr2内存还快，不过nvme固态延迟ms级，内存延迟是nm级，固态还是不能取代内存的。但是最快的要属CPU中的缓存，一级缓存最快，比内存还快几百上千倍，其次是二级缓存，三级缓存。也有部分CPU设计了四级缓存，速度类推。

储存卡读写速度的快慢是有差异的，对于内存卡来说，读写速度是以class做标志的，市面上比较常见的有三种，分别是C4、C6、C10。分别表示最低写入速度为4M/s、6M/s、10M。C4等级为最常见的内存卡，C6/C8为高速卡，通常能良好满足相机等设备高速连拍、高清摄像。

资料拓展：

存储器单元实际上是时序逻辑电路的一种。按存储器的使用类型可分为只读存储器(ROM)和随机存取存储器(RAM)，两者的功能有较大的区别，因此在描述上也有所不同。
存储器是许多存储单元的集合，按单元号顺序排列。每个单元由若干三进制位构成，以表示存储单元中存放的数值，这种结构和数组的结构非常相似，故在VHDL语言中，通常由数组描述存储器。

存储器的主要功能是存储程序和各种数据，并能在计算机运行过程中高速、自动地完成程序或数据的存取。存储器是具有“记忆”功能的设备，它采用具有两种稳定状态的物理器件来存储信息。这些器件也称为记忆元件。

⑧ 几种存储器读写速度关系

存储器大体分为两种：只读存储器ROM和随机存储器RAM。ROM用得比较多的是NANDFLASH和NOR FLASH，写入速度NAND比NOR快，读取速度NOR比NAND快。随机存储器分为静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM），速度是SRAM>DDR3>DDR2>DDR>SDRAM.

⑨ 存储器的读写过程是什么样的

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5.1 存储器系统基本知识

作者： 时间： 2008-04-10 来源：

5.1.1存储器的分类

按照存储介质不同，可以将存储器分为半导体存储器、磁存储器、激光存储器。

这里我们只讨论构成内存的半导体存储器。

按照存储器的存取功能不同，半导体存储器可分为只读存储器（Read Only Memory简称ROM）和随机存储器（Random Access Memory简称RAM）

1.只读存储器（ROM）

ROM的特点是把信息写入存储器以后，能长期保存，不会因电源断电而丢失信息。计算机在运行过程中，只能读出只读存储器中的信息，不能再写入信息。一般地，只读存储器用来存放固定的程序和数据，如微机的监控程序、汇编程序、用户程序、数据表格等。根据编程方式的不同，ROM共分为以下5种：

(1)掩模工艺ROM

这种ROM是芯片制造厂根据ROM要存贮的信息，设计固定的半导体掩模版进行生产的。一旦制出成品之后，其存贮的信息即可读出使用，但不能改变。这种ROM常用于批量生产，生产成本比较低。微型机中一些固定不变的程序或数据常采用这种ROM存贮。

(2)可一次性编程ROM（PROM）

为了使用户能够根据自己的需要来写ROM，厂家生产了一种PROM。允许用户对其进行一次编程──写入数据或程序。一旦编程之后，信息就永久性地固定下来。用户可以读出和使用，但再也无法改变其内容。

(3)紫外线擦除可改写ROM（EPROM）

可改写ROM芯片的内容也由用户写入，但允许反复擦除重新写入。EPROM是用电信号编程而用紫外线擦除的只读存储器芯片。在芯片外壳上方的中央有一个圆形窗口，通过这个窗口照射紫外线就可以擦除原有的信息。由于阳光中有紫外线的成分，所以程序写好后要用不透明的标签封窗口，以避免因阳光照射而破坏程序。EPROM的典型芯片是Intel公司的27系列产品，按存储容量不同有多种型号，例如2716（2KB′8）、2732（4KB′8）、2764（8KB′8）、27128（16KB′8）、27256（32KB′8）等，型号名称后的数字表示其存储容量。

(4)电擦除可改写ROM（EEPROM或E2PROM）

这是一种用电信号编程也用电信号擦除的ROM芯片，它可以通过读写操作进行逐个存储单元读出和写入，且读写操作与RAM存储器几乎没有什么差别，所不同的只是写入速度慢一些。但断电后却能保存信息。典型E2PROM芯片有28C16、28C17、2817A等。

(5)快擦写ROM（flash ROM）

E2PROM虽然具有既可读又可写的特点，但写入的速度较慢，使用起来不太方便。而flash ROM是在EPROM和E2PROM的基础上发展起来的一种只读存储器，读写速度都很快，存取时间可达70ns，存储容量可达16MB~128MB。这种芯片可改写次数可从1万次到100万次。典型flash ROM芯片有28F256、28F516、AT89等。

2.随机存储器RAM（也叫读写存储器）

读写存储器RAM按其制造工艺又可以分为双极型RAM和金属氧化物RAM。

(1) 双极型RAM
双极型RAM的主要特点是存取时间短，通常为几到几十纳秒（ns）。与下面提到的MOS型RAM相比，其集成度低、功耗大，而且价格也较高。因此，双极型RAM主要用于要求存取时间短的微型计算机中。

(2) 金属氧化物（MOS）RAM
用MOS器件构成的RAM又分为静态读写存储器（SRAM）和动态读写存储器（DRAM）。

j静态RAM（SRAM）

静态RAM的基本存储单元是MOS双稳态触发器。一个触发器可以存储一个二进制信息。静态RAM的主要特点是，其存取时间为几十到几百纳秒（ns），集成度比较高。目前经常使用的静态存储器每片的容量为几KB到几十KB。SRAM的功耗比双极型RAM低，价格也比较便宜。

k动态RAM（DRAM）

动态RAM的存取速度与SRAM的存取速度差不多。其最大的特点是集成度特别高。其功耗比SRAM低，价格也比SRAM便宜。DRAM在使用中需特别注意的是，它是靠芯片内部的电容来存贮信息的。由于存贮在电容上的信息总是要泄漏的，所以，每隔2ms到4ms，DRAM要求对其存贮的信息刷新一次。

l集成RAM（i RAM）

集成RAM――Integrated RAM，缩写为i RAM，这是一种带刷新逻辑电路的DRAM。由于它自带刷新逻辑，因而简化与微处理器的连接电路，使用它和使用SRAM一样方便。

m非易失性RAM（NVRAM）

非易失性RAM――Non-Volatile RAM，缩写为NVRAM，其存储体由SRAM和EEPROM两部分组合而成。正常读写时，SRAM工作；当要保存信息时（如电源掉电），控制电路将SRAM的内容复制到EEPROM中保存。存入EEPROM中的信息又能够恢复到SRAM中。

NVRAM既能随机存取，又具有非易失性，适合用于需要掉电保护的场合。

5.1.2存储器的主要性能指标
1.存贮容量
不同的存储器芯片，其容量不一样。通常用某一芯片有多少个存贮单元，每个存贮单元存贮若干位来表示。例如，静态RAM6264的容量为8KB′8bit，即它有8K个单元（1K＝1024），每个单元存贮8位（一个字节）数据。

2.存取时间
存取时间即存取芯片中某一个单元的数据所需要的时间。在计算机工作时，CPU在读写RAM时，它所提供的读写时间必须比RAM芯片所需要的存取时间长。如果不能满足这一点，微型机则无法正常工作。

3.可靠性
微型计算机要正确地运行，必然要求存储器系统具有很高的可靠性。内存的任何错误就足以使计算机无法工作。而存储器的可靠性直接与构成它的芯片有关。目前所用的半导体存储器芯片的平均故障间隔时间（MTBF）大概是（5′106∽1′108）小时左右。

4.功耗
使用功耗低的存储器芯片构成存储器系统，不仅可以减少对电源容量的要求，而且还可以提高存贮系统的可靠性。

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⑩ 存储器读写单位

以字节为单位

我确认，十分的确认

一个汉字占两个字节

1024 字节=1 K

1024 K=1 MB

1024 MB= 1G