存储器刷新

A. 半导体 动态存储器为什么要进行刷新

动态半导体存储器利用电容存储电荷记录。电容会放电,因此必须在电荷流失前对电容充电–刷新

B. 老师好，存储器刷新周期与读写周期有何区别

读写周期：两次存储器读/写操作的最短时间间隔
存储周期：稍大于读写周期，（在读写周期的基础上加上必要的其他操作）
读周期或写周期：读写周期具体到或读或写

C. 半导体动态存储器为什么要刷新刷新的主要方式有哪三种

动态存储器依靠电容电荷存储信息，时间一长，电荷可能泄放，因此要定期刷新。 刷新方式有集中刷新、分散刷新、异步刷新。

D. 动态MOS存储器为什么要刷新常用的刷新方式有哪几种

动态MOS存储单元存储信息的原理，是利用MOS管栅极电容具有暂时存储信息的作用。但由于漏电流的存在，栅极电容上存储的电荷不可能长久保持不变，因此为了及时补充漏掉的电荷，避免存储信息丢失，需要定时地给栅极电容补充电荷，通常把这种操作称作刷新或再生。 常用的刷新方式有三种，一种是集中式，另一种是分散式，第三种是异步式。 集中式刷新：在整个刷新间隔内，前一段时间重复进行读/写周期或维持周期，等到需要进行刷新操作时，便暂停读/写或维持周期，而逐行刷新整个存储器，它适用于高速存储器。 分散式刷新：把一个存储系统周期t c 分为两半，周期前半段时间t m 用来读/写操作或维持信息，周期后半段时间t r 作为刷新操作时间。这样，每经过128个系统周期时间，整个存储器便全部刷新一遍。 异步式刷新：前两种方式的结合。同学们可以自己画画它的刷新周期图。

E. DRAM存储器的刷新需要硬件电路的支持,请给出所需要的硬件,这些硬件是如何组织

1、是指给DRAM芯片复位吗。复位就能刷新，
2、复位电路一般由电容，三极管，电阻等元件组成。
3、手动或自动电路复位芯片。

F. 什么是刷新存储器其存储器容量与什么因素有关

将存储器原有内容擦除，写入新的内容，就叫刷新存储器。存储器容量与芯片集成技术发展程度有关。

G. 存储器所有单元刷新一遍需要多少次刷新操作如何理解

静态存储单元（SRAM） ●存储原理：由触发器存储数据 ●单元结构：六管NMOS或OS构成 ●优点：速度快、使用简单、不需刷新、静态功耗极低；常用作Cache ●缺点：元件数多、集成度低、运行功耗大 ●常用的SRAM集成芯片：6116(2K×8位)，6264(8K×8位)，62256(32K×8位)，2114(1K×4位) 动态存储单元（DRAM） ●存贮原理：利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理，需刷新（早期：三管基本单元；之后：单管基本单元） ●刷新(再生)：为及时补充漏掉的电荷以避免存储的信息丢失，必须定时给栅极电容补充电荷的操作 ●刷新时间：定期进行刷新操作的时间。该时间必须小于栅极电容自然保持信息的时间（小于2ms）。 ●优点： 集成度远高于SRAM、功耗低，价格也低 ●缺点：因需刷新而使外围电路复杂；刷新也使存取速度较SRAM慢，所以在计算机中，DRAM常用于作主存储器。尽管如此，由于DRAM存储单元的结构简单，所用元件少，集成度高，功耗低，所以已成为大容量RAM的主流产品。

H. 在实际SRAM存储器刷新操作中,最常用的刷新操作时哪几种它们如何工作,特点是

SRAM利用寄存器来存储信息，所以一旦掉电，资料就会全部丢失，只要供电，它的资料就会一直存在，不需要动态刷新。特点是速度快，价格较贵，常用于高速缓冲存储器。
SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能。
但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，功耗较DRAM大 ，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积。同样面积的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM显得更贵。

I. RAM存储器需要每隔1~2ms刷新一次

RAM存储器需要每隔1~2ms刷新一次的原因是：
DRAM电容上的电荷只能维持1-2ms，即使电源不掉电，信息也会自动消失，需要动态刷新。