浮栅存储器

1. 固态硬盘和内存条有什么区别

这个问题需要从技术层面入手才能回答清楚、说透本质，讲速度、内部结构只能触及皮毛。固态硬盘的正式名称叫闪存（Flash
Memory），是非易失性存储器的一种，内存条的正式名称叫随机动态存储器（Dynamic Random Access
Memory，缩写为DRAM），属于易失性存储器。

两者虽然都是半导体存储器，但原理却完全不同。内存的基本单元叫DRAM
CELL，都是由一个晶体管（Transistor）和两个电容器（Capacitor）组成，原理结构如下图。

Flash
Memory是东芝公司的藤尾增冈在1980年发明，属于第五代非易失性存储器。固态硬盘（Flash
Memory）虽然也是通过存储电荷完成数据“写入”，但是由于不是采用电容存储电荷，断电之后并不会马上失去电荷，所以可以长久存储数据。

总之，内存（DRAM）断电后会失去存储的数据，固态硬盘（Flash
Memory）则不会，这是它们最本质的区别。其次，在数据独写速度上，内存远远超过固态硬盘。不过，存储数据的固态硬盘如果长期不用，也容易丢失数据，需要时不时拿出来插入电脑，以免数据丢失。

2. EPROM是存储器中的一类，下述哪个（些

EPROM由以色列工程师Dov Frohman发明，是一种断电后仍能保留数据的计算机储存芯片——即非易失性的（非挥发性）。它是一组浮栅晶体管，被一个提供比电子电路中常用电压更高电压的电子器件分别编程。一旦编程完成后，EPROM只能用强紫外线照射来擦除。通过封装顶部能看见硅片的透明窗口，很容易识别EPROM，这个窗口同时用来进行紫外线擦除。可以将EPROM的玻璃窗对准阳光直射一段时间就可以擦除。
详见网络，可以看出EPROM为只读存储器~

3. 什么叫 浮栅场效应管

闪存（Flash）技术利用的场效应管就是浮栅场效应管

FLASH技术是采用特殊的浮栅场效应管作为存储单元。这种场效应管的结构与普通场管有很大区别。它具有两个栅极，一个如普通场管栅极一样，用导线引出，称为“选择栅”；另一个则处于二氧化硅的包围之中不与任何部分相连，这个不与任何部分相连的栅极称为“浮栅”。通常情况下，浮栅不带电荷，则场效应管处于不导通状态，场效应管的漏极电平为高，则表示数据1。编程时，场效应管的漏极和选择栅都加上较高的编程电压，源极则接地。这样大量电子从源极流向漏极，形成相当大的电流，产生大量热电子，并从衬底的二氧化硅层俘获电子，由于电子的密度大，有的电子就到达了衬底与浮栅之间的二氧化硅层，这时由于选择栅加有高电压，在电场作用下，这些电子又通过二氧化硅层到达浮栅，并在浮栅上形成电子团。浮栅上的电子团即使在掉电的情况下，仍然会存留在浮栅上，所以信息能够长期保存（通常来说，这个时间可达10年）。由于浮栅为负，所以选择栅为正，在存储器电路中，源极接地，所以相当于场效应管导通，漏极电平为低，即数据0被写入。擦除时，源极加上较高的编程电压，选择栅接地，漏极开路。根据隧道效应和量子力学的原理，浮栅上的电子将穿过势垒到达源极，浮栅上没有电子后，就意味着信息被擦除了。

由于热电子的速度快，所以编程时间短，并且数据保存的效果好，但是耗电量比较大。

详见http://user.qzone.qq.com/47944393/blog/1196996961

4. 半浮栅晶体管的性能和结构

半浮栅晶体管（SFGT）：结构巧 性能高
金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）是目前集成电路中最基本的器件，工艺的进步让MOSFET晶体管的尺寸不断缩小，而其功率密度也一直在升高。我们常用的U盘等闪存芯片则采用了另一种称为浮栅晶体管的器件。闪存又称“非挥发性存储器”。所谓“非挥发”，就是在芯片没有供电的情况下，信息仍被保存不会丢失。这种器件在写入和擦除时都需要有电流通过一层接近5纳米厚的氧化硅介质，因此需要较高的操作电压（接近20伏）和较长的时间（微秒级）。科学家们把一个隧穿场效应晶体管（TFET）和浮栅器件结合起来，构成了一种全新的“半浮栅”结构的器件，称为半浮栅晶体管。
“硅基TFET晶体管使用了硅体内的量子隧穿效应，而传统的浮栅晶体管的擦写操作则是使电子隧穿过绝缘介质。”“隧穿”是量子世界的常见现象，可以“魔术般”地通过固体，好像拥有了穿墙术。“隧穿”势垒越低，相当于“墙”就越薄，器件隧穿所需电压也就越低。把TFET和浮栅相结合，半浮栅晶体管（SFGT）的“数据”擦写更加容易、迅速。“TFET为浮栅充放电、完成‘数据擦写’的操作，‘半浮栅’则实现“数据存放和读出”的功能。”传统浮栅晶体管是将电子隧穿过高势垒（禁带宽度接近8.9 eV）的二氧化硅绝缘介质，而半浮栅晶体管（SFGT）的隧穿发生在禁带宽度仅1.1 eV的硅材料内，隧穿势垒大为降低。打个比方，原来在浮栅晶体管中，电子需要穿过的是一堵“钢筋水泥墙”，而在半浮栅晶体管中只需要穿过“木板墙”，“穿墙”的难度和所需的电压得以大幅降低，而速度则明显提升。这种结构设计可以让半浮栅晶体管的数据擦写更加容易、迅速，整个过程都可以在低电压条件下完成，为实现芯片低功耗运行创造了条件。

5. 存储系统中的EPROM是指什么

EEPROM是指带电可擦可编程只读存储器，是一种掉电后数据不丢失的存储芯片，EEPROM可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程，一般用在即插即用。

EPROM是一种断电后仍能保留数据的计算机储存芯片，它是一组浮栅晶体管，被一个提供比电子电路中常用电压更高电压的电子器件分别编程。一旦编程完成后，EPROM只能用强紫外线照射来擦除，通过封装顶部能看见硅片的透明窗口，很容易识别EPROM，这个窗口同时用来进行紫外线擦除。
EEPROM和EPROM的应用区别

对于一个需要开关设置参数的小型系统，可以把诸如波特率、同步和异步选择、数据长度等参数储存在EEPROM中，制定一个数据序列或表格，使用户方便地完成选择。每次上电CPU按EEPROM中设定的参数进行指定的工作方式设茕。

对于大规模的计算机及通讯阿络，可把诸如通道配置、数据速率以及终端的承受能力等控制信息用表格的形式显示在CRT上，用在CRT上对系统可以方便地进行组态，EEPROM可以很好地将这些数据和表格存储下来，解决了通讯网络的稳定性和灵活性问题。

EPROM是一种常用的存储器，在单片机开发应用中一般用它作为程序存储器，实际上它也是一种可编程逻辑器件。除了可以用它实现逻辑函数外，还可以用它实现一些复杂的测量和控制，通常的数字式电压表采用液晶显示，显示亮度不高，显示的数字也不大，在此介绍采用A/D转换器和EPROM为核心构成的大型显示LED数字式直流电压表。适合于教学实验演示及测控设备的仪表台柜等的应用场合。

6. ROM和EPROM是什么

ROM是只读存储器（Read-Only Memory）的简称，是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。其特性是一旦储存资料就无法再将之改变或删除。通常用在不需经常变更资料的电子或电脑系统中，并且资料不会因为电源关闭而消失。

EPROM由以色列工程师Dov Frohman发明，是一种断电后仍能保留数据的计算机储存芯片——即非易失性的（非挥发性）。它是一组浮栅晶体管，被一个提供比电子电路中常用电压更高电压的电子器件分别编程。

一旦编程完成后，EPROM只能用强紫外线照射来擦除。通过封装顶部能看见硅片的透明窗口，很容易识别EPROM，这个窗口同时用来进行紫外线擦除。可以将EPROM的玻璃窗对准阳光直射一段时间就可以擦除。

(6)浮栅存储器扩展阅读：

ROM的种类：

1、ROM

只读存储器（Read-Only Memory）是一种只能读取资料的存储器。在制造过程中，将资料以一特制光罩（mask）烧录于线路中，其资料内容在写入后就不能更改，所以有时又称为“光罩式只读内存”（mask ROM）。

2、PROM

可编程程序只读存储器之内部有行列式的熔丝，是需要利用电流将其烧断，写入所需的资料，但仅能写录一次。 PROM在出厂时，存储的内容全为1，用户可以根据需要将其中的某些单元写入数据0， 以实现对其“编程”的目的。

3、EPROM

可抹除可编程只读存储器（Erasable Programmable Read Only Memory，EPROM）可利用高电压将资料编程写入，抹除时将线路曝光于紫外线下，则资料可被清空，并且可重复使用。通常在封装外壳上会预留一个石英透明窗以方便曝光。

4、OTPROM

一次编程只读存储器（One Time Programmable Read Only Memory，OTPROM）之写入原理同EPROM，但是为了节省成本，编程写入之后就不再抹除，因此不设置透明窗。

5、EEPROM

电子式可抹除可编程只读存储器（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory，EEPROM）之运作原理类似EPROM，但是抹除的方式是使用高电场来完成，因此不需要透明窗。

6、快闪存储器

快闪存储器（Flash memory）的每一个记忆胞都具有一个“控制闸”与“浮动闸”，利用高电场改变浮动闸的临限电压即可进行编程动作。

参考资料来源：

网络-ROM

网络-EPROM

7. MOS FLOATING

悬浮的栅极，简称浮栅
举个例子，比如浮栅雪崩注入MOS（FAMOS）结构，用于可擦写只读存贮器
优点：浮栅编程技术具有可擦除性，电路可再构造，并且可作为非丢失器件，在掉电后仍能保持编程数据，不需要外接永久性存储器。
缺点：浮栅编程技术的工艺较复朵，功耗比较高

希望能对你有所帮助

8. 谁能告诉我存储器dataflash norflash nandflash EEPROM这些的区别啊

norflash,nandflash,EEPROM都是些非易失性存储器，它们都是基于悬浮栅晶体管结构，但具体实现工艺上有差异。

EEPROM:(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory),我把它译作电擦电写只读存储器，也有书本译作“电可擦可编程只读存储器”。特点是可掉电存储数据，缺点是存储速度较慢，且早期的EEPROM需高压操作，现在的EEPROM一般片内集成电压泵，读写速度小于250纳秒，使用很方便。

FLASH：一般译为“闪存”，你可以理解为是EEPROM的一种，但存储速度较快，制作工艺优良，U盘的核心元件就是它。NandFlash一般比较大，而NorFlash都比较小，并且NorFlash比较贵，并且NorFlash写的速度比较慢，但读的速度比较快 ，而NandFlash读的速度比较慢，写的速度比较快.nandflash用于存储，而norflash除了存储数据功能外，还可以直接在上面运行程序。

至于dataflash则是一个抽象概念，可以由norflash nandflash EEPROM构成。

9. 半浮栅晶体管的应用领域

作为一种新型的基础器件，半浮栅晶体管（SFGT）可应用于不同的集成电路。首先，它可以取代一部分的SRAM，即静态随机存储器。SRAM是一种具有高速静态存取功能的存储器，多应用于中央处理器(CPU)内的高速缓存，对处理器性能起到决定性的作用。传统SRAM需用6个MOSFET晶体管才能构成一个存储单元，集成度较低，占用面积大。半浮栅晶体管则可以单个晶体管构成一个存储单元，存储速度接近由6个晶体管构成的SRAM存储单元。因此，由半浮栅晶体管（SFGT）构成的SRAM单元面积更小，密度相比传统SRAM大约可提高10倍。显然如果在同等工艺尺寸下，半浮栅晶体管（SFGT）构成的SRAM具有高密度和低功耗的明显优势。
其次，半浮栅晶体管（SFGT）还可以应用于DRAM领域。DRAM（Dynamic Random Access Memory），即动态随机存储器，广泛应用于计算机内存。其基本单元由1T1C构成，也就是一个晶体管加一个电容的结构。由于其电容需要保持一定电荷量来有效地存储信息，无法像MOSFET那样持续缩小尺寸。业界通常通过挖“深槽”等手段制造特殊结构的电容来缩小其占用的面积，但随着存储密度提升，电容加工的技术难度和成本大幅度提高。因此，业界一直在寻找可以用于制造DRAM的无电容器件技术，而半浮栅晶体管（SFGT）构成的DRAM无需电容器便可实现传统DRAM全部功能，不但成本大幅降低，而且集成度更高，读写速度更快。
半浮栅晶体管（SFGT）不但应用于存储器，它还可以应用于主动式图像传感器芯片(APS)。传统的图像传感器芯片需要用三个晶体管和一个感光二极管构成一个感光单元，而由单个半浮栅晶体管构成的新型图像传感器单元在面积上能缩小20%以上。感光单元密度提高，使图像传感器芯片的分辨率和灵敏度得到提升。制造工艺和产业发展

10. 硬件问题

BIOS原理

我们知道，系统内存主要可分为只读存储器（ROM)和随机存储器（RAM)，随机存储器即我们常说的内存，体现在物理上也就是我们插装在主机板上的内存条，主要用来在系统运行时临时存放各种程序和数据，机器关闭时里面的内容就丢掉。只读存储器ROM则是安装在主机板上的一块专用芯片，里面的内容由计算机制造商在出厂前固化在里面，不会随机器的关闭而丢失，里面存储（固化）的内容主要就是BIOS(Basic Input/Output System—基本输入输出系统）。BIOS可以视为是一个永久地记录在ROM中的一个软件，是操作系统输入输出管理系统的一部分。它包括post自检程序，基本启动程序，基本的硬件驱动程序等。主要用来负责机器的启动和系统中重要硬件的控制和驱动，并为高层软件提供基层调用。因ROM中主要存储的就是BIOS，因此，也可混称为ROM BIOS，或系统ROM BIOS。此外，操作系统还在硬盘上存储了一个重要文件IO.SYS—输入输出接口模块，主要提供操作系统与硬件的接口，并扩充了ROM BIOS的某些功能。

早期的ROM BIOS芯片确实是"只读"的，里面的内容是用一种烧录器写入的，一旦写入，就不能更改，除非更换芯片，现在的主机板都使用一种叫Flash EPROM的芯片来存储系统BIOS，里面的内容可通过使用主板厂商提供的擦写程序擦除后重新写入，这样就给用户升级BIOS提供了极大的方便。

一、BIOS的主要内容

系统ROM BIOS的主要内容有：

1、自诊断测试程序：PC系列微机启动时，首先进入ROM BIOS，接着执行加电自检（Power-on self test，简称post)，通过读取系统主机板上CMOS RAM中的内容来识别系统的硬件配置，并根据这些配置信息对系统中各部件进行自检和初始化，在自检过程中，如果发现系统实际存在的硬件与CMOS RAM中的设置参数不符时，将导致系统不能正确运行甚至死机。

2、系统自举装入程序：在机器启动时，系统ROM BIOS首先读取磁盘引导记录进内存，然后由引导记录读取磁盘操作系统重要文件进内存，从而启动系统。

3、系统设置程序（SETUP)：通过运行SETUP程序，将系统的配置情况以参数的形式存入CMOS RAM中，在系统的启动过程中，会在屏幕上提示，询问用户是否执行ROM BIOS中的SETUP程序进行CMOS参数设置，如需要，则可以通过在规定时间内按某一个键（通常是del键）来启动SETUP程序，以设置正确的系统硬件参数，系统自动将参数存入到系统主板上的CMOS RAM中。

一般地，当微机系统出现下列情况时，需运行SETUP程序来设置CMOS参数：微机系统第一次加电，增加、减少、更换硬件，CMOS RAM掉电后原内容丢失，因需要而调整某些设置参数等。

据主板厂家和生产ROM BIOS芯片的厂家不同，SETUP程序也有不同的类型，目前常用的有：QUADTEL BIOS SETUP, AMI BIOS SETUP, AWARD BIOS SETUP, AMI WINBIOS SETUP等。

虽然BIOS SETUP程序的类型各异，但系统设置的内容大同小异，如AWARD BIOS SETUP的主要内容有以下项目：

（1）、标准CMOS参数设置

（2）、BIOS特性设置

（3）、芯片组特性设置

（4）、电源管理设置

（5）、PCI配置设置

（6）、装载BIOS的缺省参数

（7）、装载设置的缺省参数

（8）、密码设置

（9）、自动检测IDE型的硬盘

（10）、硬盘低级格式化

（11）、修改的参数存入BIOS并退出设置

（12）、修改的参数不存入BIOS退出

详见CMOS设置；当然，别说是不同厂家的产品不完全一样，就是同一厂家的产品因版本的不同，形式也会有一些差异，详细情况可参照主机板说明书进行设置。

4、主要I/O设备的I/O驱动程序及基本的中断服务程序等。为保证系统常用重要程序的安全性和方便性，计算机制造商会把一些重要的设备驱动程序或一些主板上集成了的硬件的驱动程序也固化在里面。

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二、BIOS芯片

BIOS芯片，其实就是BIOS文件的载体。BIOS文件存储在芯片中，通过芯片的外部接口可对芯片中的程序进行擦除和读写。BIOS芯片我们可以理解为一个有多个单元的楼房（芯片的存储单元），每一个单元存储一个二进制代码（0或1）。二进制的BIOS文件，就是这样一一按顺序排列存储在芯片中的。BIOS芯片根据存储原理和工艺，可以分为EPROM、EEPROM、FLASHROM等。EPROM是非易失型存储器（图三）（图四），

具有掉电不丢失的特性；其存储单元由浮栅型场效应管构成，利用高压使浮栅带电实现对芯片的写入，擦除内部数据靠紫外线消除浮栅上的电荷，使其不带电。EPROM工作电压为5V，在写入时要用专用的编程器，并且写入时必须要加一定的编程电压（VPP=12-24V，随不同的芯片型号而定），EPROM的型号是以27开头（如ATMEL27C020）。

EEPROM是电擦除非易失型存储器（图五）（图六），其存储单元也是由浮栅型场效应管构成，写入时，利用高压下的隧道效应，令浮栅带电；擦除时，仍是利用高压下的隧道效应，不过电压极性相反，因此令浮栅不带电。EEPROM工作电压为5V，在写入时，需要加上一定的编程电压（VPP＝12V），EERPROM的型号以28开头（如AM28F020）。

FLASH ROM也是电擦除非易失型存储器（快擦写存储芯片）（图七）（图八），其也是浮栅型场效应管构成，写入时，利用热电子注入，使浮栅带电；擦除时，则利用高压下的隧道效应，使浮栅失去电子。FLASH ROM的工作和刷新电压都是5V，其型号一般为29、39、49开头（如SST 39SF020）。目前主板上的BIOS芯片，基本上都属于FLASH ROM。 BIOS芯片有三种基本操作：读取、擦除、编程。要了解以上操作过程，首先了解一下芯片的结构。芯片（存储器）外部接口（引脚）可分为：数据线、地址线、控制线、电源线（图九）。地址线用来确定数据所在的地址，数据线用来输入和输出数据。控制线包括CE、OE、WE；CE是片选信号，当CE为低电平时，芯片被选中（也就是可以对芯片进行任何操作，对于多BIOS芯片串联使用时，可以用CE来选择要操作的芯片是那一片，如RD2000双BIOS系统即为用CE来切换两个BIOS芯片的，通常主板上为单BIOS芯片，因此CE始终为低电平，也就是一直为选中）；OE是输出允许，也是低电平时有效，当OE为低电平时，允许数据输出，也就是可以读取芯片中的内容，当OE是高电平时，输出被禁止，无法读取内容；WE为编程允许，也是低电平有效，当WE为低电平时可以对芯片进行编程（写入），当WE为高电平时不能对芯片进行编程（我们可将此脚接为高电平，那么芯片就无法写入，无敌锁即是将此脚升为高电平，来保护芯片的）。对于EEPROM不需要擦除，可以直接进行编程操作，对于FLASH ROM，需要先擦除芯片内的内容，然后才可以写入新的内容。电原线包括VCC、VPP、PR.。VCC为5V工作电源，VPP为28系列写入时12V电源（29系列此脚为NC，即为空脚），PR则是28系列分块式BIOS，对BOOT BLOCK块进行编写的12V电源。芯片无论是读取、擦除还是编程，都需要各种信号按一定的时序、一定的电平相互配合才能完成，控制信号时序是由编程程序来完成的。完成这段时序的过程，也称为刷新流程（其也是一段程序码，由生产厂家提供，同型号的芯片，虽然生产厂家不同，但是其刷新流程是一致的）；不同的芯片，其控制时序也是不同的，因此编程程序也会根据芯片的型号进行相应的控制。

不同芯片，其控制时序不同，编程程序会根据芯片的型号进行相应的控制，刷新程序是如何识别芯片的型号呢？其实，每一种芯片，都有自己的标识，这就是芯片ID（也称为芯片的身份证），由于不同的芯片，有不同的ID，因此刷新程序就是通过读取芯片的ID，来分辨不同的芯片，同时根据其芯片ID来调用不同的刷新流程代码（控制程序），来完成对芯片的编程的。

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三、BIOS检测信息

开机时如果硬件有错，BIOS往往显示一些数字代码和简短的文字提示。其实都是可以查厂商的有关手册来确诊故障的原因的，只不过现在的生产厂商已基本不给最终用户提供这些技术资料了。有一些文字提示是用户经常会遇到的：

◇ BIOS ROM checksum error - System halted

BIOS总和检查时发现错误，表明BIOS代码遭到损坏。和主板供应商联系，更换一个BIOS芯片或自己动手进行BIOS芯片刷新重写。

◇ CMOS battery failed

给CMOS供电的主板上的电池失效，如果开机一段时间后重新启动微机时仍然出现此提示，就应该更换电池。

◇ CMOS checksum error - Defaults loaded

CMOS总和检查时发现错误，因此系统加载BIOS缺省的配置设定。此错误通常由于电池失效所引起，检查电池并根据需要予以更换。

◇ Floppy disk(s) fail

不能发现或初始化软驱。检查软驱数据线和电源连线是否正确。如果没有软驱，就在CMOS Setup中将Diskette Drive设置为NONE。

◇ HARD DISK INSTALL FAILURE

不能发现或初始化硬盘控制器或硬盘。请先检查硬盘的电源线、数据线是否连接正确，或硬盘后背的跳线是否设置正确。如果一根硬盘线上有两个硬盘或光驱，其中一个设置为Master，另一个应设为Slave。如果没有安装硬盘，应在CMOS设置中将硬盘设置为NONE或 AUTO。

◇ Hard disk(s) diagnosis fail

执行硬盘诊断时发现有坏的硬盘。可以先把被怀疑的硬盘接到其它微机上试一试，以确认硬盘确实有故障。

◇ Keyboard error or no keyboard present

不能初始化键盘。检查键盘是否连接好，键盘上有没有重物压在按键上。

◇ Memory test fail

内存测试时发现错误码。随后屏幕还会进一步显示内存错误的类型和位置。

◇ Override enabled - Defaults loaded

如果系统不能按照当前CMOS的配置启动，则按照BIOS缺省设置启动。

◇ Press TAB to show POST screen

一些原装机往往会更改BIOS的开机画面（个人也可以更改），被更改后的BIOS会在屏幕的底部显示这样一行提示，以便用户按下TAB键后，还原到BIOS的正常开机画面显示。

◇ Press Esc to skip memory test

按“Esc”键跳过内存检测。如果你在BIOS内并没有设定快速启动的话，那么开机就会执行对物理内存的测试，如果不想等待，可按键盘上的“Esc”键略过或到BIOS中开启“Quick Power On Self Test(快速启动)”功能。

◇ Primary master hard disk fail

第一硬盘接口上的主硬盘有错误。

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四、CMOS 系统设置

如前所述，系统在启动时要通过读取系统设置参数来配置机器并对机器的各个配置部件进行自检和初始化，那么系统设置的参数，存放在何处以便修改及长期保存呢？显然，ROM不便用来保存系统设置，因为它虽然能长期保存数据但不能由一般用户随便写入数据，早期的一些机器（如IBM PC/XT机）多利用系统主板上一组可拨动的DIP开关，以其不同的开关组合来代表系统硬件资源的配置情况，现在的机器都是使用系统主板上的CMOS RAM来保存系统设置参数。

1、CMOS RAM的特点

CMOS RAM是一种互补金属氧化物半导体的随机存储器，它具有功耗低 (每位约10毫微瓦) ；可随机读写数据，存取方便，工作速度比动态存储器高等特点；但它毕竟也是一种随机存储器，它也具有断电后其存储内容消失的缺点；于是人们利用它功耗低的优点，想到了在外界电源断开时，用外加电池来保持其存储内容的办法；现在的主机板大都采用锂电池或芯片内建电池对其供电。

2、CMOS RAM中的内容

由于CMOS RAM具有以上特点， 所以微机系统中常用它来保存系统配置数据(如当前系统时间、日期、软驱、硬盘类型、基本显示方式等)，刚组装好的新机器在第一次使用时，CMOS存储器里面只有缺省参数，系统实际上并不知道都有些什么资源可以使用，如果不告诉它，CPU就不能更好地管理各种资源，系统也就无法正常工作，为此，应先将系统的硬件配置写入CMOS存储器中。这就要通过ROM BIOS 中的SETUP程序来进行设置，这种在开机后通过ROM BIOS中的设置程序进行系统硬件的实际配置及在CMOS存储器中设置相应参数的过程称为CMOS系统设置。

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CMOS与BIOS辨析

CMOS使互补金属氧化物半导体的缩写。其本意是指制造大规模集成电路芯片用的一种技术或用这种技术制造出来的芯片。在这里通常是指微机主板上的一块可读写的RAM芯片。它存储了微机系统的实时时钟信息等，共计128个字节。系统在加电引导机器时，只读取CMOS信息，用来初始化机器各个部件的状态。它靠系统电源和后备电池来供电，系统掉电后其信息不会丢失。

BIOS是基本输入输出系统的缩写，指集成在主板上的一个ROM芯片，其中保存了微机系统最重要的基本输入输出程序、系统开机自检程序等。它负责开机时，对系统各项硬件进行初试化设置和测试，以保证系统能够正常工作。

由于CMOS与BIOS都跟微机系统设置密切相关，所以才有CMOS设置和BIOS设置的说法。CMOS RAM是系统参数存放的地方，而BIOS中系统设置程序是完成参数设置的手段。因此，准确的说法应是通过BIOS设置程序对CMOS参数进行设置。而我们平常所说的CMOS设置和BIOS设置是其简化说法，也就在一定程度上造成了两个概念的混淆。