铁电存储器官网

A. RAMTRON的官方社区是什么

看看这个吧，很不错，可以下载很多资料，RAMTRON官网上推荐度的中文社区：http://www.ramtron-online.cn/

B. 铁电存储器的存储结构

FRAM的存储单元主要由电容和场效应管构成，但这个电容不是一般的电容，在它的两个电极板中间沉淀了一层晶态的铁电晶体薄膜。前期的FRAM每个存储单元使用两个场效应管和两个电容，称为“双管双容”（2T2C），每个存储单元包括数据位和各自的参考位，简化的2T2C存储单元结构如图2（a）所示。2001年Ramtron设计开发了更先进的"单管单容"（1T1C）存储单元。1T1C的FRAM所有数据位使用同一个参考位，而不是对于每一数据位使用各自独立的参考位。1T1C的FRAM产品成本更低，而且容量更大。简化的1T1C存储单元结构（未画出公共参考位）如图2（b）所示。

C. 铁电存储器的原理

FRAM利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储，铁电晶体的结构如图1所示。铁电效应是指在铁电晶体上施加一定的电场时，晶体中心原子在电场的作用下运动，并达到一种稳定状态；当电场从晶体移走后，中心原子会保持在原来的位置。这是由于晶体的中间层是一个高能阶，中心原子在没有获得外部能量时不能越过高能阶到达另一稳定位置，因此FRAM保持数据不需要电压，也不需要像DRAM一样周期性刷新。由于铁电效应是铁电晶体所固有的一种偏振极化特性，与电磁作用无关，所以FRAM存储器的内容不会受到外界条件诸如磁场因素的影响，能够同普通ROM存储器一样使用，具有非易失性的存储特性。
FRAM的特点是速度快，能够像RAM一样操作，读写功耗极低，不存在如E2PROM的最大写入次数的问题。但受铁电晶体特性制约，FRAM仍有最大访问（读）次数的限制。

D. 什么是铁电存储器

存储器分为易失性和非易失性，如DRAM,SRAM,ROM,FLASH,E2PROM,等
铁电是属于非易失性的，可上百万次读写的存储，存储的原理类似于DRAM,由一个NMOS管，和一个CAP组成，可以参考一本COMS数字集成电路（第二版），那上面讲的很详细，
在芯片里面就是有行译码，列译码，读出写入缓冲器，位读出放大器组成。它的的读出写入时序很简单，只要按照加电压的顺序来就可以，要预充电之类的。
应用于简单存储，类似于EEPROM，应该了解这个吧

E. 铁电存储器有无国产品牌

国内没有生产线，也没有国产的品牌。铁电技术原来只有RAMTRON一家掌握，富士通做代工厂后取得了RANTRON铁电的生产权。目前品牌只有RANTRON和富士通两家。不过，RAMTRON自己没有生产线，目前RAMTRON生产的铁电是美国的IMB和TI代工的。2012年9月RAMTRON被塞朴拉斯收购，估计明年就不再用RAMTRON这个厂商名了。

F. 富士通的铁电存储器可以完全兼容替代RAMTRON的型号吗

基本可以兼容。
型号容量存储格式电压**工作电流**读写频率封装备注
MB85RC16 16k bits 2k x 8 2.7 V-3.6 V 400uA 400kHz SOP8与FM24CL16完全兼容
MB85RC64 64k bits 8k x 8 2.7 V-3.6 V 400uA 400kHz SOP8与FM24CL64完全兼容
MB85RC128 128k bits 16k x 8 2.7 V-3.6 V 400uA 400kHz SOP8****颗128Kb 铁电存储器
串行SPI接口
型号容量存储格式电压**工作电流**读写频率封装备注
MB85RS64 64k bits 8k x 8 3.0 V-3.6 V 10mA 25Mhz SOP8与FM25CL64完全兼容
MB85RS128 128k bits 32k x 8 3.0 V-3.6 V 10mA 25Mhz SOP8****颗128Kb 铁电存储器
MB85RS256 256k bits 32k x 8 3.0 V-3.6 V 10mA 25Mhz SOP8与FM25L256以及FM25V02完全兼容
并行接口
型号容量存储格式电压**工作电流访问时间封装备注
MB85R256H 256k bits 32k x 8 2.7 V-3.6 V 10mA 70ns SOP/TSOP28可直接替换FM18L08或FM28V020
MB85R1001A 1M bits 128k x 8 3.0 V-3.6 V 15mA 120ns TSOP48/FBGA48可替换FM20L08和FM28V100
MB85R1002A 1M bits 64k x 16 3.0 V-3.6 V 15mA 120ns TSOP48/FBGA48
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G. 冰箱保鲜层上冻是怎么回事

冰箱保鲜层上冻是怎么回事？、蒸发器上的冰霜太多，融化时水溢出接水盘，流在冰箱内；

2、冰箱内接水盘未对准接水漏斗，水流在冰箱内；

3、其次排水管口结冰，使化霜水流不出去，而积流在冰箱内也是冰箱冷藏室结冰的一个重要原因。

冰箱冷藏室结冰的原因分析之温度

1、冰箱冷藏室直接存放未经降温的食品饮料，使冰箱内瞬间产生大量雾气和水珠，随着温度的下降，凝结成水；

文章图片2

2、冰箱冷藏室内温度太低，造成饮料玻璃瓶或易拉罐爆破，液体流入箱内；

3、夏季气温高，热空气从出水管进入冰箱内，造成冰箱内水气增多。

冰箱冷藏室结冰的原因分析食物储存

1、冰箱冻冰器内水灌得太满，水冻结成冰时，因体积膨大，使水溢出制冰器，流在冰箱内；

2、冰箱内存放的食品含水量大，随着温度的下降，食品中水气的蒸发，遇冷而凝露而后成水，流在冰箱内。

H. 铁电存储器有什么特点

相对于其它类型的半导体技术而言，铁电存储器具有一些独一无二的特性。传统的主流半导体存储器可以分为两类--易失性和非易失性。易失性的存储器包括静态存储器SRAM（static random access memory)和动态存储器DRAM （dynamic random access memory)。 SRAM和DRAM在掉电的时候均会失去保存的数据。 RAM 类型的存储器易于使用、性能好，可是它们同样会在掉电的情况下会失去所保存的数据。
非易失性存储器在掉电的情况下并不会丢失所存储的数据。然而所有的主流的非易失性存储器均源自于只读存储器（ROM）技术。正如你所猜想的一样，被称为只读存储器的东西肯定不容易进行写入操作
，而事实上是根本不能写入。所有由ROM技术研发出的存储器则都具有写入信息困难的特点。这些技术包括有EPROM (几乎已经废止）、EEPROM和Flash。 这些存储器不仅写入速度慢，而且只能有限次的擦写，写入时功耗大。
铁电存储器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技术一样，是一种非易失性的存储器。铁电存储器在这两类存储类型间搭起了一座跨越沟壑的桥梁--一种非易失性的RAM
铁电存贮器（FRAM）的第一个最明显的优点是可以跟随总线速度（busspeed）写入。
铁电存贮器（FRAM）的第二大优点是几乎可以无限次写入。

I. 铁电存储器和eeprom的区别

铁电存贮器（FRAM）快速擦写和非易失性等特点，令系统工程师可以把现有设计中的SRAM和EEPROM器件整合到一个铁电存贮器（FRAM）里，或者简单地作为SRAM扩展。
在多数情况下，系统使用多种存储器类型，FRAM提供了只使用一个器件就能提供ROM,RAM和EEPROM功能的能力，节省了功耗，成本，空间，同时增加了整个系统的可靠性。
最常见的例子就是在一个有外部串行EEPROM嵌入式系统中，FRAM能够代替EEPROM,同时也为处理器提供了额外的SRAM功能。
典型应用：便携式设备中的一体化存储器，使用低端控制器的任何系统。

J. 铁电存储器FRAM的铁电应用

存储器（FRAM）可以让设计者更快、更频繁地将数据写入非易失性存储器，而且价格比EEPROM低。数据采集通常包括采集和存储两部分，系统所采集的数据（(除临时或中间结果数据外)需要在掉电后能够保存，这些功能是数据采集系统或子系统所具有的基本功能。在大多数情况下，一些历史记录是很重要的。
典型应用：仪表 (电表、气表、水表、流量表)、RF/ID、仪器,、和汽车黑匣子、安全气袋、GPS定位系统、电力电网监控系统。 FRAM通过实时存储数据帮助系统设计者解决了突然断电数据丢失的问题。参数存储用于跟踪系统在过去时间内的改变，它的目的包括在上电状态时恢复系统状态或者确认一个系统错误。总的来说，数据采集是系统或子系统的功能，不论何种系统类型，设置参数存储都是一种底层的系统功能。
典型应用： 影印机,打印机, 工业控制, 机顶盒 (Set-Top-Box), 网络设备（网络调制解调器）和大型家用电器。 铁电存贮器（FRAM）可以在数据传递储存在其它存储器之前快速存储数据。在此情况下，信息从一个子系统非实时地传送到另一个子系统去.。由于资料的重要性, 缓冲区内的数据在掉电时不能丢失.，在某些情况下，目标系统是一个较大容量的存储装置。FRAM以其擦写速度快、擦写次数多使数据在传送之前得到存储。
典型应用：工业系统、银行自动提款机 (ATM), 税控机, 商业结算系统 (POS), 传真机，未来将应用于硬盘非易失性高速缓冲存储器。