铁电存储

㈠ 铁电存储器和eeprom的区别

铁电存贮器（FRAM）快速擦写和非易失性等特点，令系统工程师可以把现有设计中的SRAM和EEPROM器件整合到一个铁电存贮器（FRAM）里，或者简单地作为SRAM扩展。
在多数情况下，系统使用多种存储器类型，FRAM提供了只使用一个器件就能提供ROM,RAM和EEPROM功能的能力，节省了功耗，成本，空间，同时增加了整个系统的可靠性。
最常见的例子就是在一个有外部串行EEPROM嵌入式系统中，FRAM能够代替EEPROM,同时也为处理器提供了额外的SRAM功能。
典型应用：便携式设备中的一体化存储器，使用低端控制器的任何系统。

㈡ 什么是铁电存储器

存储器分为易失性和非易失性，如DRAM,SRAM,ROM,FLASH,E2PROM,等
铁电是属于非易失性的，可上百万次读写的存储，存储的原理类似于DRAM,由一个NMOS管，和一个CAP组成，可以参考一本COMS数字集成电路（第二版），那上面讲的很详细，
在芯片里面就是有行译码，列译码，读出写入缓冲器，位读出放大器组成。它的的读出写入时序很简单，只要按照加电压的顺序来就可以，要预充电之类的。
应用于简单存储，类似于EEPROM，应该了解这个吧

㈢ 富士通的铁电存储器可以完全兼容替代RAMTRON的型号吗

基本可以兼容。
型号容量存储格式电压**工作电流**读写频率封装备注
MB85RC16 16k bits 2k x 8 2.7 V-3.6 V 400uA 400kHz SOP8与FM24CL16完全兼容
MB85RC64 64k bits 8k x 8 2.7 V-3.6 V 400uA 400kHz SOP8与FM24CL64完全兼容
MB85RC128 128k bits 16k x 8 2.7 V-3.6 V 400uA 400kHz SOP8****颗128Kb 铁电存储器
串行SPI接口
型号容量存储格式电压**工作电流**读写频率封装备注
MB85RS64 64k bits 8k x 8 3.0 V-3.6 V 10mA 25Mhz SOP8与FM25CL64完全兼容
MB85RS128 128k bits 32k x 8 3.0 V-3.6 V 10mA 25Mhz SOP8****颗128Kb 铁电存储器
MB85RS256 256k bits 32k x 8 3.0 V-3.6 V 10mA 25Mhz SOP8与FM25L256以及FM25V02完全兼容
并行接口
型号容量存储格式电压**工作电流访问时间封装备注
MB85R256H 256k bits 32k x 8 2.7 V-3.6 V 10mA 70ns SOP/TSOP28可直接替换FM18L08或FM28V020
MB85R1001A 1M bits 128k x 8 3.0 V-3.6 V 15mA 120ns TSOP48/FBGA48可替换FM20L08和FM28V100
MB85R1002A 1M bits 64k x 16 3.0 V-3.6 V 15mA 120ns TSOP48/FBGA48
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㈣ 电脑内存6g和8g区别大吗

根据普通用户需求，6G和8G内存几乎没区别；但对于专业用户，区别很大。具体区别如下：

1、性能：8g内存性能运行更快。游戏和软件的使用会更流畅。

2、数据传输速度：8GB系统比6GB系统快，在数据传输上8g能存能更快的传输数据，

3、内存使用率：6g内存的使用率会在频繁开启软件升高使用率导致电脑运行变慢。

(4)铁电存储扩展阅读：

电脑内存分类：

1、SRAM：

SRAM（Static RAM）意为静态随机存储器。SRAM数据不需要通过不断地刷新来保存，因此速度比DRAM（动态随机存储器）快得多。但是SRAM具有的缺点是：同容量相比DRAM需要非常多的晶体管，发热量也非常大。因此SRAM难以成为大容量的主存储器，通常只用在CPU、GPU中作为缓存，容量也只有几十K至几十M。

2、RDRAM：

RDRAM是由RAMBUS公司推出的内存。RDRAM内存条为16bit，但是相比同期的SDRAM具有更高的运行频率，性能非常强。然而它是一个非开放的技术，内存厂商需要向RAMBUS公司支付授权费。并且RAMBUS内存的另一大问题是不允许空通道的存在，必须成对使用，空闲的插槽必须使用终结器。

3、XDR RAM：XDR内存是RDRAM的升级版。依旧由RAMBUS公司推出。XDR就是“eXtreme Data Rate”的缩写。XDR依旧存在RDRAM不能大面普及的那些不足之处。因此，XDR内存的应用依旧非常有限。比较常见的只有索尼的PS3游戏机。

4、Fe-RAM：

铁电存储器是一种在断电时不会丢失内容的非易失存储器，具有高速、高密度、低功耗和抗辐射等优点。由于数据是通过铁元素的磁性进行存储，因此，铁电存储器无需不断刷新数据。其运行速度将会非常乐观。而且它相比SRAM需要更少的晶体管。它被业界认为是SDRAM的最有可能的替代者。

㈤ 运行内存6g和8g的区别

1、性能不同。

8G的运行内存能够存储的内容和用于交换的内存更加的充足，运行的速度比6G的内存要快，所以说8G的运行内存比6G的运行内存性能更优越。

2、数据的传输速度。

8G的运行内存比6G的内存多出了2G的内存，用于物理页置换的内存更多，有了富余的存储空间，调入内存的数据访问的速度比在物理存储上的快，所以数据的传输速度更快。

3、内存的利用率。

当运行的程序越来越多时，6G内存的利用率会增加，导致运行的速度变慢，8G的运行内存相较于6G运行内存大额利用率增大。

(5)铁电存储扩展阅读：

通常采用随机存储器（RAM）来作为运行内存，是电脑内部最重要的的存储器，用来加载各式各样的程序与资料以供CPU（中央处理器）直接运行与运用。

由于DRAM的性价比很高，且扩展性也不错，是现今一般电脑运行内存的最主要部分。

运行内存是外存与CPU进行沟通的桥梁，计算机中所有程序的运行都在内存中进行。

运行内存主要有两种随机存储器和只读存储器构成，其中的只读存储器放计算机的基本程序和数据，如BIOSROM。其物理外形一般是双列直插式（DIP）的集成块。随机存储器（RAM）才是真正的用户运行时交换的内存。

参考资料来源：网络-内存

㈥ CPU-Z里面内存里的DC模式是什么意思

DC模式意思为、Dual Channel。Dual Channel是关于电脑记忆体的一种技术，最早使用此技术的记忆体是RDRam。

DC模式可理解为“打开双通道的方式”。一般在CPU-Z中的显示有灰色不可见、“对称”、“不对称”、“单通道+”等方式。DC模式在部分Intel芯片组的主板上是灰色的，原因是Intel的芯片组只支持对称双通道同步模式。

(6)铁电存储扩展阅读：

在DDR Ram发展中期，内存带宽开始出现瓶颈。原因是FSB带宽比内存带宽大得多，而处理器处理完的数据不能即时转入内存，造成处理器性能得不到完全发挥。基于此,芯片组厂商引入双通道内存技术。单条DDR内存是64位元带宽,而两条则是双倍，128位元。内存瓶颈得以缓解。

注:若芯片组只支援单通道内存，就算插入两条DDR内存也都是单通道内存，不会变成双通道内存的。

引入双通道内存技术的第一家芯片组厂商是nVidia。但当时AMD处理器的FSB带宽不是很大，双通道内存的效能提升作用轻微。

期后Intel将DDR双通道内存技术引入，配合Xeon,芯片组名为E7205。它支援DDR266双通道内存。用DDR的价钱，得到RDRam的效能。而主板厂将之支援Pentium 4。

毕竟是服务器平台产品,价格比较贵。而SiS的SiS 655出现,使DDR双通道成了平民化的技术。由于支援DDR333双通道内存，效能比E7205更高,价钱更低。

而最经典的应该是i865PE了，支援DDR400双通道内存，800MHz FSB的Pentium 4。 而i915P亦新增支援DDR-II 533双通道内存。 最新的975X更支援DDR-II 667双通道内存。

AMD平台方面，nVidia凭nForce 2 Ultra 400支援DDR400双通道内存，成为当时AMD平台性能最佳的芯片组，更击败VIA的皇者地位。随后AMD的Athlon 64系列处理器亦内建了DDR400双通道内存控制器。

㈦ 铁电存储器有什么型号，有什么容量的，有没有现成的驱动，什么封装

铁电芯片的型号多数以FM24xxxx,FM25xxxx,FM3xxxx为主，容量：串口最小的4K，最大的512K，并口最小的8K，最大的2M。只是单纯的存储，无驱动部分，串口多为SOP-8封装，并口多为贴片，管脚数不一。有任何问题可发邮件到我的Q邮箱 [email protected]。

㈧ 铁电存储器的存储结构

FRAM的存储单元主要由电容和场效应管构成，但这个电容不是一般的电容，在它的两个电极板中间沉淀了一层晶态的铁电晶体薄膜。前期的FRAM每个存储单元使用两个场效应管和两个电容，称为“双管双容”（2T2C），每个存储单元包括数据位和各自的参考位，简化的2T2C存储单元结构如图2（a）所示。2001年Ramtron设计开发了更先进的"单管单容"（1T1C）存储单元。1T1C的FRAM所有数据位使用同一个参考位，而不是对于每一数据位使用各自独立的参考位。1T1C的FRAM产品成本更低，而且容量更大。简化的1T1C存储单元结构（未画出公共参考位）如图2（b）所示。

㈨ 铁电存储器的原理

FRAM利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储，铁电晶体的结构如图1所示。铁电效应是指在铁电晶体上施加一定的电场时，晶体中心原子在电场的作用下运动，并达到一种稳定状态；当电场从晶体移走后，中心原子会保持在原来的位置。这是由于晶体的中间层是一个高能阶，中心原子在没有获得外部能量时不能越过高能阶到达另一稳定位置，因此FRAM保持数据不需要电压，也不需要像DRAM一样周期性刷新。由于铁电效应是铁电晶体所固有的一种偏振极化特性，与电磁作用无关，所以FRAM存储器的内容不会受到外界条件诸如磁场因素的影响，能够同普通ROM存储器一样使用，具有非易失性的存储特性。
FRAM的特点是速度快，能够像RAM一样操作，读写功耗极低，不存在如E2PROM的最大写入次数的问题。但受铁电晶体特性制约，FRAM仍有最大访问（读）次数的限制。

㈩ 铁电存储器有什么特点

相对于其它类型的半导体技术而言，铁电存储器具有一些独一无二的特性。传统的主流半导体存储器可以分为两类--易失性和非易失性。易失性的存储器包括静态存储器SRAM（static random access memory)和动态存储器DRAM （dynamic random access memory)。 SRAM和DRAM在掉电的时候均会失去保存的数据。 RAM 类型的存储器易于使用、性能好，可是它们同样会在掉电的情况下会失去所保存的数据。
非易失性存储器在掉电的情况下并不会丢失所存储的数据。然而所有的主流的非易失性存储器均源自于只读存储器（ROM）技术。正如你所猜想的一样，被称为只读存储器的东西肯定不容易进行写入操作
，而事实上是根本不能写入。所有由ROM技术研发出的存储器则都具有写入信息困难的特点。这些技术包括有EPROM (几乎已经废止）、EEPROM和Flash。 这些存储器不仅写入速度慢，而且只能有限次的擦写，写入时功耗大。
铁电存储器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技术一样，是一种非易失性的存储器。铁电存储器在这两类存储类型间搭起了一座跨越沟壑的桥梁--一种非易失性的RAM
铁电存贮器（FRAM）的第一个最明显的优点是可以跟随总线速度（busspeed）写入。
铁电存贮器（FRAM）的第二大优点是几乎可以无限次写入。