sim卡編程

㈠ SIM卡讀卡器的設計二

3 SIM卡與移動台設備的介面 SIM卡晶元有8個觸點，與移動台設備相互接通： (1) 電源VCC(觸點C1)：4.5～5.5 V，ICC<10 mA； (2) 復位RST(觸點C2)； (3) 時鍾CLK(觸點C3)：卡時鍾3.25 MHz； (4) 不提供(觸點C4)； (5) 接地端GND(觸點C5)； (6) 編程電壓VPP(觸點C6)； (7) 數據I/O口(觸點C7)； (8) 不提供(觸點C8)。 SIM卡同移動台設備連接時至少需5個連接線：數據I/O口(Data)、復位(RST)、接地端(GND)、電源(VCC)、時鍾(CLK)。他與基帶單元的介面電路如圖1所示。其中SIM CD為SIM卡檢測腳，用於檢測SIM卡的拔插；SIM CLK為ME提供的讀/寫SIM卡的參考時鍾；SIMRST為SIM卡復位信號；SIM IO為串列數據輸入/輸出線，由20 kΩ上拉電阻上拉至高電平；SIM RnW為讀/寫控制信號，用以指示當前SIM_IO線上數據傳輸的方向；SIM PWCTRL為功率控制信號，可在空閑方式時控制SIM卡上的電源關閉，從而降低功耗，延長待機時間。 4 SIM卡內部數據結構 SIM卡共有3類數據文件：主文件(Master File，MF)、專用文件(Dedicate File，DF)、基本文件(ElementFile，EF)。組織結構規定如下： 0x3F00代表根目錄，0x2FXX代表根目錄下的基本文件； 0x7FXX代表一級子目錄，0x6FXX代表一級子目錄下的基本文件； 0x5FXX代表二級子目錄，0x4FXX代表二級子目錄下的基本文件。 5 SIM卡上電復位流程 SIM卡符合國際標准ISO7816的要求，按照協議中的規定，SIM應有8個觸點，包括電源介面、復位控制介面、時鍾輸入介面、數據輸入輸出介面，SIM卡工作時整體電流消耗小於10 mA。SIM卡的時鍾頻率可由外部提供，在指定時問內運行鑒權過程時至少需要13/4 MHz的時鍾頻率，其他情況下，使用最小為13/8 MHz的時鍾頻率。I/O埠的數據傳輸波特率為時鍾頻率的1/372。 5.1 觸點接通與冷復位時序(Activation and cold reset) 初始時，所有埠皆處於低電平(L)態，電壓范圍0～0.4 V；VCC電源電壓先上電(H態)，後提供VPP編程電壓，在智能SIM卡中，VPP端無用，電壓范圍5 V±0.4 V；VCC電源端穩定一段時間後，將IO埠置為接收方式(H態)，並提供穩定的CLK時鍾信號(註：IO口需在提供CLK信號前或在提供CLK信號後200個時鍾周期內(ta)置為接收方式)；RST復位信號需在提供CLK信號後400個時鍾周期內(tb)保持L態，之後才可置為H態；提供復位信號後400～40 000個時鍾周期內(tc)，I/O口有復位應答。 5.2 熱復位時序(Warm reset) 熱復位在冷復位失敗情況下使用，過程中保持VCC為H態，且有穩定的CLK時鍾信號；熱復位時需保持RST端為L態的時間至少為400個時鍾周期(te)；在RST端置L態之前或之後200個時鍾周期時間內(td)，IO口應置為接收方式；在RST置為H態後的400～40 000個時鍾周期內，I/O口有復位應答。 5.3 時鍾停止時序(Clock stop) 外部控制停止時鍾，可使SIM卡通信暫時中斷，過程中保持VCC端與復位端RST為H態；要停止時鍾，需在I/O口輸出最後一個字元之後等待至少1 860個時鍾周期(tg)；恢復時鍾後至少等待700個時鍾周期(th)，I/O開始有字元輸出。 5.4 觸點釋放時序(Deactivation) 將RST端置為L態；結束CLK輸入並將I/O口置為L態；最後將VCC端置為L態。