hy57v561620ftp
Ⅰ HY57V561620FTP-H 是什麼晶元
韓國現代產的SDRAM內存晶元，不是FLASH
Ⅱ 內存編號是HY57V561620CTP-H什麼含義
含義不清楚,應該是256的條子
現代SD內存顆粒編號含義
以現代為例，SDRAM晶元上的標識為以下格式：
HY 5X X XXX XX X X X X XX -XX
HY代表是現代的產品。
5X表示晶元類型，57為一般的SDRAM，5D為DDR SDRAM。
第2個X代表工作電壓，空白為5V，\"V\"為3.3V, \"U\"為2.5V。
第3-5個X代表容量和刷新速度，分別如下：
16： 16Mbits，4K Ref。
64： 64Mbits，8K Ref。
65： 64Mbits，4K Ref。
128：128Mbits，8K Ref。
129：128Mbits，4K Ref。
256：256Mbits，16K Ref。
257：256Mbits，8K Ref。
第6、7個X代表晶元輸出的數據位寬，40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位。
第8個X代表內存晶元內部由幾個Bank組成，1、2、3分別代表2個、4個和8個Bank。是2的冪次
關系。
第9個X一般為0，代表LVTTL(Low Voltage TTL)介面。
第10個X可以為空白或A、B、C、D等字母，越往後代表內核越新。
第11個X如為\"L\"則代表低功耗的晶元，如為空白則為普通晶元。
第12、13個X代表封裝形式，分別如下：
JC ： 400mil SOJ
TC ： 400mil TSOP-Ⅱ
TD ： 13mm TSOP-Ⅱ
TG ： 16mm TSOP-Ⅱ
最後幾位為速度：
7： 7ns (143MHz)
8： 8ns (125MHz)
10p： 10ns (PC-100 CL2 &3)
10s： 10ns (PC-100CL 3)
10 ： 10ns (100MHz)
12 ： 12ns (83MHz)
15 ： 15ns (66MHz)
註：例如常見的HY57V658010CTC-10s，HY是現代的晶元，57說明是SDRAM，65是64Mhbit和4K
refresh cycles/64ms，下來的8是8位輸出，10是2個Bank，C是第4個版本的內核，TC是400mil
TSOP-Ⅱ封裝，10S代表CL=3的PC-100。
Ⅲ 1T的硬碟要多少錢
1TB硬碟到底是個什麼概念？用最直觀的方式解釋就是1TB硬碟可以存儲25萬首MP3歌曲、358部電影、1000小時視頻、333.3萬張高質量照片或者500多個大型游戲。隨著1TB硬碟不斷走低，目前已經被不少攝影、BT等用戶列為購買計劃之內。今天筆者了解到：日立1TB硬碟已經跌破1200元大關，目前僅1199元，相信會令不少用戶眼前一亮。
日立1TB 32MB SATA2.5硬碟外觀
筆者將日立1TB 32MB SATA2.5硬碟拿在手裡第一感覺就是分量相當沉重，該硬碟內部採用5張碟片，單碟容量為200GB，總共有10個磁頭。該產品使用垂直記錄技術生產，3Gbps介面傳輸率、轉速7200RPM、平均延遲4.17ms、平均尋道時間8.7ms、緩存為32MB、最大數據傳輸率1070Mb/s、最大高度26.1mm、空閑功耗9.0W。
日立1TB 32MB SATA2.5硬碟規格標簽
從標簽中可以看出，日立1TB 32MB SATA2.5硬碟編號為HDS721010KLA330，容量為1TB，轉速7200轉，採用SATA2.5介面，支持NCQ技術，產品生產於泰國。
日立1TB 32MB SATA2.5硬碟介面
日立1TB 32MB SATA2.5硬碟除了具備SATA專用供電介面以外，還保留了傳統4針D型供電口，擴大了產品的兼容範圍。
主控晶元
日立1TB 32MB SATA2.5硬碟使用了英飛凌公司的主控晶元，獨立緩存設計，緩存晶元為韓國現代原廠SDRAM，編號為HY57V561620FTP-6。
編輯評語：日立1TB 32MB SATA2.5硬碟從上市到現在跌幅已經很大，目前價格已經下跌過半，僅售1199元，相信是企業用戶不錯的選擇。
日立1TB 32MB SATA2.5硬碟（7K1000）
[市場售價] 1199元
Ⅳ SD的內存編號HY57V561620BT－H是多大的啊
256MB
57 表示為SDRAM內存
V代表VDD=3.3V & VDDQ=2.5V
56代表256MB容量，8K刷新
16代表16bit
最後一位 H代表DDR266B（133MHz），延遲為2.5-3-3
Ⅳ 我的內存上的編號為HY57V561620FTP-H內存容量是多少
HY 開頭內存的是海力士內存.一般看第6,7位數看容量.
28是128MB
56是256MB
1G是1GB
你的應該是64M內存.
此答案是正確的.如果誰認為不對,可以向我技術交流.
Ⅵ ADC（AD9245）、FPGA（EP2S60F1020C3）和SDRAM（HY57V561620）的介面電路
FPGA做控制器。ADC和SDRAM為外圍電路。根據各自的datasheet，了解晶元的應用電路和控制時序等。外圍電路無外乎就是關於數據線地址線和控制線的分配。把FPGA的IO口定義成相應的地址數據和控制線，根據文檔里的應用需求搭外圍電路。同時考慮軟體控制時方式，設計相應的硬體應用電路。
思路有了，然後就是設計和論證。當然調試是必須的，有問題就解決。經驗就是在不斷的否定自我積累出來的。相信你能辦到。
Ⅶ HY57V561620FTP-H這是什麼晶元呢為什麼連接電路圖的工作原理是什麼呢
海力士內存晶元256M.
Ⅷ TQ2440開發板接了兩塊256M的SDRAM，但是ARM9不是最大支持128M的SDRAM嗎
很巧，我剛學到這一塊，一開始也被迷糊了，之後想了想.
s3c2440的bank6和bank7支持128M B，注意，單位是 Byte.
TQ2440原理圖的HY57V561620FTP是 4bank * 4M * 16bit，256M，注意，單位是 bit，也就是 32M Byte.
存儲器很多都是以 bit為單位來說的！
PS，我的TQ2440用的片子貌似是 MT48LC16M16A2.難道我們的批次不一樣？
Ⅸ HY57V561620HT-H這條內存的標號是什麼意思
現代晶元編號格式一般為："HY 5a b cde fg h i j k lm-no"。其中：
HY代表現代的產品；
5a表示晶元類型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；
b代表工作電壓(空白=5V，V=3.3V，U=2.5V)；
cde代表容量和刷新速度(16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref)；
fg代表晶元輸出的數據位寬(40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位)；
h代表內存晶元內部由幾個Bank組成(1、2、3分別代表2個、4個和8個Bank)；
I代表介面(0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕介面)；
j代表內核版本(可以為空白或A、B、C、D等字母，越往後代表內核越新)；
k代表功耗(L=低功耗晶元，空白=普通晶元)；
lm代表封裝形式(JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-II，TD=13mm TSOP-II，TG=16mm TSOP-II)；
no代錶速度(7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，10p=10ns〔PC-100 CL2或3〕，10s=10ns〔PC-100 CL3〕，10=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=5ns〔66MHz〕，K =DDR266A ，H =DDR266B ，L =DDR200)。
如"HY5DU28822T－H"表示該晶元是一塊現代生產的符合PC2100標準的DDR SDRAM
Ⅹ HY57V561620 HY57V641620區別 晶元命名原則是什麼 好多晶元就差幾個數字而已 功能有什麼差別嗎
30.海力士內存以「HY5」為前綴的顆粒是怎樣編號的？
答：韓國Hynix（海力士）原來是現代（Hyundai）公司所屬的一個內存生產廠，當時生產的內存顆粒編號都是以「HY」為前綴的。後來Hynix成了一個獨立的內存生產廠，其顆粒編號也改為以「H」為前綴了。因此，一般把以「HY」為前綴的內存顆粒稱為「現代」內存；而把以「H」為前綴的顆粒成為「海力士」內存。其實都是Hynix的產品。
以「HY5」為前綴的內存顆粒都是比較早期的內存，在計算機用的內存中，DDR2和DDR3內存沒有再使用「HY」為前綴為編號。但是，在Consumer Memory(用於電視機機頂盒或攝像機等用的內存)中，仍然繼續使用了一段時間。2007年決定所有海力士內存的前綴都用「H」代換「HY」。現在舉例說明以「HY5」為前綴的內存的命名方法，見下表所示（根據廠家網站資料，按我的理解歸類的）。
以「HY5」為前綴的海力士內存顆粒的編號規律
含義 類型 電壓 密度 位寬 BANK 介面 版本 功耗 封裝 - 速度 溫度
SDRAM HY57 V 56 8 2 0 F TP - 10s
SDRAM HY57 V 65 16 2 0 A TC - 75
DDR1 HY5D U 56 8 2 2 D TP - D43
DDR1 HY5D U 12 4 2 2 B L T - M
注；其中的速度，對SDRAM來說：5:5ns(200MHz)；6: 6ns(166MHz)；75: 7.5ns(133MHz)；
K: PC133, CL2；H: PC133, CL3；P: PC100, CL2；S: PC100, CL3；10: 10ns(100MHz)；
15: 15ns(66MHz)。
對DDR來說：有過變動，「D4」代表DDR400，時序為3-4-4；「D43」代表DDR400，時序為3-3-3；「J」代表DDR333；「M」、「K」和「H」都代表DDR266，只是時序不同；「L」代表DDR200；「4」代表250MHz；「5」代表200MHz。
其他項的解釋：
類型：「HY」現代的意思；「5」和「57」都代表SDRAM內存；「5D」代表DDR1內存；
電壓：是指處理工藝和供電電壓（PROCESS & POWER SUPPLY）：對SDRAM和DDR1：
空白是5V;「V」代表CMOS,3.3V；「U」代表CMOS,2.5V；
密度：是指顆粒密度和刷新速度（DENSITY & REFRESH）：
對SDRAM來說，「64」和「65」都是64Mb;「26」和「28」都是128Mb；「56」和「52」都是256Mb。
對DDR1來說，「28」是128Mb；「56」是256Mb;「12」是512Mb 。
根據密度和模組顆粒數就可以知道模組的容量。例如，密度標以「12」時，如果有8個顆粒，模組容量就是512MB；如果有16個顆粒，容量就是1GB。
位寬：是指顆粒的位寬（datawidth）：
「4」代表「×4」；「8」代表「×8」;「16」代表「×16」；「32」代表「×32」。
BANK：是指每個顆粒的邏輯BANK數。「1」代表2BANK；「2」代表4BANK；「3」代表8BANK。
介面：是指顆粒的電氣介面（Interface）。「0」代表LVTTL;「1」代表SSTL;「2」代表SSTL_2；
版本：是指顆粒出廠的版本。空白代表第1版；二版後依次用A、B、C、D等表示；
功耗：是指功率消耗（Power consumption）。空白表示正常耗電；「L」表示低功耗；
封裝：晶元發封裝方法（Package）。TC：400mil TSOPII；JQ:100Pin-TQFP；
速度；速度（speed）是指顆粒的頻率，說明見表注。
溫度：溫度（Temperature），「I」是工業溫度；「E」是擴展溫度。但是，在編號中經常沒有這一項。