模擬緩存晶元

『壹』 cache主要由什麼半導體晶元組成

cache主要由SRAM半導體晶元組成。

Cache存儲器，又稱之為高速緩沖存儲器，是位於CPU和主存儲器DRAM（Dynamic Random Access Memory）之間，規模較小，但速度很高的存儲器，通常由SRAM（Static Random Access Memory 靜態存儲器）組成。

SRAM，全稱靜態隨機存取存儲器（StaticRandom-AccessMemory），是隨機存取存儲器的一種。所謂的「靜態」，是指這種存儲器只要保持通電，裡面儲存的數據就可以恆常保持。

(1)模擬緩存晶元擴展閱讀：

SRAM的類型：

一、根據晶體管類型分類

1、雙極性結型晶體管（用於TTL與ECL）—非常快速但是功耗巨大

2、MOSFET（用於CMOS）—低功耗，現在應用廣泛。

二、根據功能分類

1、非同步—獨立的時鍾頻率，讀寫受控於地址線與控制使能信號。

2、同步—所有工作是時鍾脈沖邊沿開始，地址線、數據線、控制線均與時鍾脈沖配合。

三、根據特性分類

1、零匯流排翻轉（Zero bus turnaround，ZBT）—SRAM匯流排從寫到讀以及從讀到寫所需要的時鍾周期是0

2、同步突發SRAM（synchronous-burst SRAM，syncBurst SRAM）

3、DDR SRAM—同步、單口讀/寫，雙數據率I/O

4、QDR SRAM（Quad Data Rate (QDR) SRAM）—同步，分開的讀/寫口，同時讀寫4個字（word）。

四、根據觸發類型

1、二進制SRAM

2、三進制計算機SRAM

『貳』 固態硬碟獨立緩存有什麼用

緩做高存晶元在固態硬碟讀寫數據時用作數據臨時儲存緩沖作用，以加快硬碟的數據讀寫速度。
帶有獨悉胡春立緩存的SSD能更快的查找更新映射表，性能發揮更加穩定，大緩存也讓SSD長時間持續讀寫性能得到了保障，一般認為高端SSD產品必備。
而沒有配備獨立緩存的SSD，基本都是使用SLC模擬緩存來提升連續讀寫速度的。SLC模擬緩存（主要分固定容量和全盤模擬兩種），是指通過固件演算法模擬出超高速度，如果單次傳睜耐輸文件過大，超出了模擬的SLC緩存空間，或者全盤模擬機制壓力較大，此時SSD的傳輸速度就會大幅下降，呈現的速度也就是所謂的「緩外速度」。