hy57v641620ftp

A. HY57V561620ftp-H這是什麼晶元呢為什麼連接電路圖的工作原理是什麼呢

海力士內存晶元256M.

B. 存儲容量和地址線、數據線的關系是什麼

1、存儲器

ⅠFlash ROM:SST39VF1601

數據位寬為16位（16根數據線）；20根地址線；2M(1M*16bit)。

ⅡSDRAM:HY57V641620HG

數據位寬為16位（16根數據線）；12根地址線（行地址選擇線有12根，列地址選擇線有8根（12根的低8根）），2根bank選擇線，總共有22根有效地址線；8M(4bank*1M*16bit)。

2、CPU編址：以位元組（8bit）為單位

存儲器編址：以其位寬為單位，也就是說每個存儲器地址下的數據位數為位寬。如

8K*12bit的存儲器中的12就是存儲器的位寬，指每個存儲器地址下數據的位數。

這個12與地址線的多少無關，8K就是指有8K個不同的地址8K=8*1024=2^?2的多少次方等於8*1024就有多少根地址線，8=2^3,1024=2^10, 那麼8K=2^13 ，存儲器地址線就為13根。

3、存儲容量計量單位的換算

1M(MB,mbyte)=2^10K(KB,kbyte)=2^20B(byte);

1Mb(Mbit)=2^10Kb(kbit)=2^20b(bit)；

1字（Word）=2半字（half word）=4位元組(B,byte)=4×8位(b,bit)。

4、關系的確立及舉例

以上面的SST39VF1601為例，

存儲容量2M=16Mbit=16*2^20bit,

地址線定址范圍：2^20*16bit(地址線根數20，位寬16)。

以上面的HY57V641620HG為例，

存儲容量8M=8*8Mbit=64*2^20bit,

地址線定址范圍：2^22*16bit=64*2^20bit(地址線根數22，位寬16)。

總結：

存儲器位寬表示每個地址下有多少位數據，與它的數據線根數相等；

存儲器的地址線根數(N)決定了它的地址編號范圍（2^N）；

存儲器的位寬與它的地址線根數是沒有聯系的；

而存儲器容量是位寬與2^N的乘積，此處單位為bit。

C. hy57v641620ETP-7是多大內存啊

8M位元組
64Mbit (4Mx16bit)
4Bank x 1M x 16bits Synchronous DRAM
就是說這個晶元是有4個Bank，每個Bank有1M個存儲單元，每個存儲單元是16bit的。
所以說有8M位元組。

D. 解讀內存顆粒編號」HY57V641620et-H「具體信息。

現代，SDRAM，工作電壓3.3V，晶元容量和刷新速率64Mbits、8K Ref，晶元輸出的數據位寬16位，4個BANK，內核版本E，工作速度DDR266B有沒有空格什麼的？

E. HY57V641620FTP-7是多大的內存

64M現代的內存顆粒

F. HY57V561620 HY57V641620區別 晶元命名原則是什麼 好多晶元就差幾個數字而已 功能有什麼差別嗎

30.海力士內存以「HY5」為前綴的顆粒是怎樣編號的？

答：韓國Hynix（海力士）原來是現代（Hyundai）公司所屬的一個內存生產廠，當時生產的內存顆粒編號都是以「HY」為前綴的。後來Hynix成了一個獨立的內存生產廠，其顆粒編號也改為以「H」為前綴了。因此，一般把以「HY」為前綴的內存顆粒稱為「現代」內存；而把以「H」為前綴的顆粒成為「海力士」內存。其實都是Hynix的產品。

以「HY5」為前綴的內存顆粒都是比較早期的內存，在計算機用的內存中，DDR2和DDR3內存沒有再使用「HY」為前綴為編號。但是，在Consumer Memory(用於電視機機頂盒或攝像機等用的內存)中，仍然繼續使用了一段時間。2007年決定所有海力士內存的前綴都用「H」代換「HY」。現在舉例說明以「HY5」為前綴的內存的命名方法，見下表所示（根據廠家網站資料，按我的理解歸類的）。

以「HY5」為前綴的海力士內存顆粒的編號規律

含義 類型 電壓 密度 位寬 BANK 介面 版本 功耗 封裝 - 速度 溫度
SDRAM HY57 V 56 8 2 0 F TP - 10s
SDRAM HY57 V 65 16 2 0 A TC - 75
DDR1 HY5D U 56 8 2 2 D TP - D43
DDR1 HY5D U 12 4 2 2 B L T - M

注；其中的速度，對SDRAM來說：5:5ns(200MHz)；6: 6ns(166MHz)；75: 7.5ns(133MHz)；

K: PC133, CL2；H: PC133, CL3；P: PC100, CL2；S: PC100, CL3；10: 10ns(100MHz)；

15: 15ns(66MHz)。

對DDR來說：有過變動，「D4」代表DDR400，時序為3-4-4；「D43」代表DDR400，時序為3-3-3；「J」代表DDR333；「M」、「K」和「H」都代表DDR266，只是時序不同；「L」代表DDR200；「4」代表250MHz；「5」代表200MHz。

其他項的解釋：

類型：「HY」現代的意思；「5」和「57」都代表SDRAM內存；「5D」代表DDR1內存；

電壓：是指處理工藝和供電電壓（PROCESS & POWER SUPPLY）：對SDRAM和DDR1：

空白是5V;「V」代表CMOS,3.3V；「U」代表CMOS,2.5V；

密度：是指顆粒密度和刷新速度（DENSITY & REFRESH）：

對SDRAM來說，「64」和「65」都是64Mb;「26」和「28」都是128Mb；「56」和「52」都是256Mb。

對DDR1來說，「28」是128Mb；「56」是256Mb;「12」是512Mb 。

根據密度和模組顆粒數就可以知道模組的容量。例如，密度標以「12」時，如果有8個顆粒，模組容量就是512MB；如果有16個顆粒，容量就是1GB。

位寬：是指顆粒的位寬（datawidth）：

「4」代表「×4」；「8」代表「×8」;「16」代表「×16」；「32」代表「×32」。

BANK：是指每個顆粒的邏輯BANK數。「1」代表2BANK；「2」代表4BANK；「3」代表8BANK。

介面：是指顆粒的電氣介面（Interface）。「0」代表LVTTL;「1」代表SSTL;「2」代表SSTL_2；

版本：是指顆粒出廠的版本。空白代表第1版；二版後依次用A、B、C、D等表示；

功耗：是指功率消耗（Power consumption）。空白表示正常耗電；「L」表示低功耗；

封裝：晶元發封裝方法（Package）。TC：400mil TSOPII；JQ:100Pin-TQFP；

速度；速度（speed）是指顆粒的頻率，說明見表注。

溫度：溫度（Temperature），「I」是工業溫度；「E」是擴展溫度。但是，在編號中經常沒有這一項。

G. CHY57V641620FTP-7KOR 是什麼晶元

准確名稱叫HY57V641620FTP，這是韓國現代生產的一款SDRAM晶元，8M位元組，16位寬，-7是7納秒的意思可以跑133MHz。

H. hy57v641620ftp是不是單片機

57V641620是SDRAM存儲器,單片存儲容量為8M位元組，韓國現代公司出品。

I. 存儲容量和地址線，數據線的關系

地址線、數據線和存儲容量之間的關系：地址線一次確定一個存儲單元，地址線上值可能取的所有組合確定了存儲單元的個數，所以，存儲單元的個數=2^地址線的條數。

地址線用來傳輸地址信息的，比如，cpu在內存或硬碟裡面尋找一個數據時，先通過地址線找到地址，然後再通過數據線將數據取出來。如果有32根，就可以訪問2的32次方的位元組，也就是4GB。

數據線，其作用是來連接移動設備和電腦，達到數據傳遞或通信目的。通俗點說，就是連接電腦與移動設備用來傳送視頻、鈴聲、圖片等文件的通路工具。

(9)hy57v641620ftp擴展閱讀

存儲容量的計算

一千個位元組是1kb，但是一般說的一千位元組實際上是1024位元組，只是習慣稱為一千位元組。1024kb等於一mb，也就是說的一兆。以下是精確的演算法：

gigabyte等於1024mb

terabyte等於1024gb

perabyte等於1024tb

exabyte等於1024pb

zettabyte等於1024eb

yottabyte等於1024zb

這些單位都是常用的計算單位，一般用於存儲數據的產品通常有這幾個容量，1gb、2gb、4gb、8gb等等，都是2的整次方倍。

磁碟的存儲容量計算公式：存儲容量c=磁碟磁頭的數量h*磁軌的數量t*扇區的數量s。

J. 衛星鍋卓異ZY-5518A G跪求方案

你不要亂用主機升機！就同一牌子的都有很多版本，最好打開機蓋看集成塊是不是一樣的！或者主菜單中看版本要一樣才可以才能連接！否則就會升成磚頭。ZY5518機的232介面主機1同2接，2同1接，4是地接付機4腳，從F頭起看1.2.3.4.腳。祝你成功。我也有教訓，望你注意，這都是他們搞得。。。。挨。。。。。。！