電存儲器件

㈠ 鐵電存儲器和eeprom的區別是什麼

鐵電存貯器（FRAM）快速擦寫和非易失性等特點，令系統工程師可以把現有設計中的SRAM和EEPROM器件整合到一個鐵電存貯器（FRAM）里，或者簡單地作為SRAM擴展。

在多數情況下，系統使用多種存儲器類型，FRAM提供了只使用一個器件就能提供ROM,RAM和EEPROM功能的能力，節省了功耗，成本，空間，同時增加了整個系統的可靠性。

最常見的例子就是在一個有外部串列EEPROM嵌入式系統中，FRAM能夠代替EEPROM,同時也為處理器提供了額外的SRAM功能。

典型應用：攜帶型設備中的一體化存儲器，使用低端控制器的任何系統。

㈡ 電子元器件的儲存方法及保管條件是什麼

場所：立體式貨架倉庫：通風、乾燥、無腐蝕性氣體。倉庫保持通風、通光、通氣、通道通暢狀態，嚴禁吸煙，禁止違章用火、用電並做好防火工作，消防標識明確。
4.2.2 貯存條件和期限
（1）無特殊要求的物品（合格原材料、半成品）
存儲條件：遮陽、常溫、保持通風，乾燥。
（2）儲存期限
①電子元器件的有效儲存期為12個月；
②塑膠件的有效儲存期為12個月；
③五金件的有效儲存期6個月；
④包裝材料的有效儲存期為12個月；
⑤成品的有效儲存期為12個月。
（3）特殊要求的物品
針對特殊要求的物料根據存儲要求存放。
物料類別 存貯相對 溫度 貯存相對
濕度 存貯高度、
容器 貯存期限

錫膏、膠水類 2－10℃ 無特殊要求 冰箱、冰櫃 根據保質期規定
電子元器件 20±5℃ 40%~70% 電子倉，標准包裝 12個月

4.4 防護
4.4.1 電子倉防護要求
4.4.1.1 電子倉要求有防靜電地板，人員必須按照防靜電的要求，著裝防靜電服，佩戴防靜電手環。
4.4.1.2 要求按物品的類別分區存放，易燃易爆品要求有適當的隔離措施，針對特殊要求的物品應有顯著的警示標識或安全標識。
4.4.1.3 物料擺放整齊，存料卡出、入庫內容規范，做到帳、物、卡相符。
4.4.1.4 物品不可直接落地存放，需有托盤或貨架防護。
4.4.1.5 物料疊放要求上小下大，上輕下重，一個托盤只能放置同一種物料，堆放高度有特殊要求的依據特殊要求堆放，但最高不得超過160cm。
4.4.1.6 散料、盤料及有特殊要求的物品存放具體參考相關規范。
4.4.1.7 對有防靜電要求的物品必須根據實際情況選擇以下方法：裝入防靜電袋和防靜電周轉箱存放等。
4.4.2 原材料防護要求
4.4.2.1 主要針對產品元器件、PCB板、五金件、塑膠件、包材等的防護。
4.4.2.2 電子元器件應充分考慮防塵和防潮等方面的要求。
4.4.2.3 對於真空包裝的PCB光板、IC 等要將其完好包裝,不能讓銅箔和引腳直接暴露在空氣中，以防止產品氧化。
4.4.2.4 針對特殊原材料的防護請依據其要求進行防護。
4.4.2.5 對於有引腳的元件特別是IC等引腳容易變形的元件在盛裝時要採用原廠的包裝形式，避免元件引腳變形導致不方便甚至不能作業。
4.4.2.6 原材料防護見下表

防護作業過程 防護設施或設備 防護要點 責任部門
元器件 庫房、工位架、防靜電袋、防靜電箱 靜電防護 物流部
PCB板 庫房、工位架、防靜電袋、防靜電箱 靜電防護 物流部
五金件 庫房、工位架、紙箱、膠筐 磕碰、劃傷 物流部
塑膠件 庫房、工位架、紙箱、膠筐 擠壓、磕碰、劃傷 物流部
包材 庫房、棧板 防雨防潮 物流部
附件及配件

磁鐵 庫房、工位架、棧板、紙箱

紙箱、膠筐
防雨防潮

與其他五金件隔離 物流部

物流部

4.4.3 成品倉防護要求
4.4.3.1 要求防雨防潮，遮陽，保持通風乾燥。
4.4.3.2 出、入庫要輕拿輕放，嚴禁亂摔、亂拋。
4.4.3.3 堆放合理，嚴格按照成品要求的堆放層數堆放。

㈢ 存儲器為什麼要分為外儲存器和內儲存器兩者各有什麼特點Cache的作用是什麼

外存——非易失性存儲器（速度慢）——代表性器件：硬碟
內存——電存儲器（速度特別快）——代表性器件：內存
緩存（cache）——電存儲器（比內存更快）——預讀內存中的數據共處理器隨時調用，減少直接讀取內存，提高性能。

㈣ 電荷和電能的元件什麼叫「儲存電荷」「儲存電能」

因為電是一種能量，它能使物體發熱發光轉動等等，是一種大自然的神力！把這種神力存起來不讓它跑掉就叫儲存電能，等用得著的時候再把它放出來就叫釋放能量。電容具有儲存電能的能力，它可以做到這一點，電阻就做不到這一點，二極體也不行，桌子凳子喝水的杯子也做不到，所以才說電容是存儲電能的元件，電容屬於電子元件，這是人們規定的，它不屬於床上用品。

㈤ 電子元器件的存儲條件及有效期的標准及標准來源

電子元器件存儲條件：

1、電子元器件倉庫儲存要求：

1.1、環境要求： 電子元器件必須儲存在清潔、通風、無腐蝕性氣體的倉庫內；除另有規定外，倉庫的溫 度和相對濕度必須滿足如下要求： a.溫度： -5~30℃； b.相對濕度：20%~75%； 倉庫儲存環境條件的優劣直接影響有限儲存期的長短，參見附錄 A。

1.2、特殊要求：對靜電敏感器件 （如 MOS 場效應晶體管、 砷化鎵場效應晶體管、 CMOS 電路等） ， 應存放在具有靜電屏蔽作用的容器內。

(5)電存儲器件擴展閱讀：

電容在電路中一般用"C"加數字表示(如C13表示編號為13的電容)，電容是由兩片金屬膜緊靠，中間用絕緣材料隔開而組成的元件，電容的特性主要是隔直流通交流。

電容的容量大小表示能貯存電能的大小，電容對交流信號的阻礙作用稱為容抗，它與交流信號的頻率和電容量有關。

晶體二極體在電路中常用「D」加數字表示，如，D5表示編號為5的二極體。

作用：二極體的主要特性是單向導電性，也就是在正向電壓的作用下,導通電阻很小;而在反向電壓作用下導通電阻極大或無窮大。

因為二極體具有上述特性，無繩電話機中常把它用在整流、隔離、穩壓、極性保護、編碼控制、調頻調制和靜噪等電路中。

㈥ 電子元器件的儲存方法及保管條件

場所：立體式貨架倉庫：通風、乾燥、無腐蝕性氣體。倉庫保持通風、通光、通氣、通道通暢狀態，嚴禁吸煙，禁止違章用火、用電並做好防火工作，消防標識明確。
4.2.2 貯存條件和期限
（1）無特殊要求的物品（合格原材料、半成品）
存儲條件：遮陽、常溫、保持通風，乾燥。
（2）儲存期限
①電子元器件的有效儲存期為12個月；
②塑膠件的有效儲存期為12個月；
③五金件的有效儲存期6個月；
④包裝材料的有效儲存期為12個月；
⑤成品的有效儲存期為12個月。
（3）特殊要求的物品
針對特殊要求的物料根據存儲要求存放。
物料類別 存貯相對 溫度 貯存相對
濕度 存貯高度、
容器 貯存期限

錫膏、膠水類 2－10℃ 無特殊要求 冰箱、冰櫃 根據保質期規定
電子元器件 20±5℃ 40%~70% 電子倉，標准包裝 12個月

4.4 防護
4.4.1 電子倉防護要求
4.4.1.1 電子倉要求有防靜電地板，人員必須按照防靜電的要求，著裝防靜電服，佩戴防靜電手環。
4.4.1.2 要求按物品的類別分區存放，易燃易爆品要求有適當的隔離措施，針對特殊要求的物品應有顯著的警示標識或安全標識。
4.4.1.3 物料擺放整齊，存料卡出、入庫內容規范，做到帳、物、卡相符。
4.4.1.4 物品不可直接落地存放，需有托盤或貨架防護。
4.4.1.5 物料疊放要求上小下大，上輕下重，一個托盤只能放置同一種物料，堆放高度有特殊要求的依據特殊要求堆放，但最高不得超過160cm。
4.4.1.6 散料、盤料及有特殊要求的物品存放具體參考相關規范。
4.4.1.7 對有防靜電要求的物品必須根據實際情況選擇以下方法：裝入防靜電袋和防靜電周轉箱存放等。
4.4.2 原材料防護要求
4.4.2.1 主要針對產品元器件、PCB板、五金件、塑膠件、包材等的防護。
4.4.2.2 電子元器件應充分考慮防塵和防潮等方面的要求。
4.4.2.3 對於真空包裝的PCB光板、IC 等要將其完好包裝,不能讓銅箔和引腳直接暴露在空氣中，以防止產品氧化。
4.4.2.4 針對特殊原材料的防護請依據其要求進行防護。
4.4.2.5 對於有引腳的元件特別是IC等引腳容易變形的元件在盛裝時要採用原廠的包裝形式，避免元件引腳變形導致不方便甚至不能作業。
4.4.2.6 原材料防護見下表

防護作業過程 防護設施或設備 防護要點 責任部門
元器件 庫房、工位架、防靜電袋、防靜電箱 靜電防護 物流部
PCB板 庫房、工位架、防靜電袋、防靜電箱 靜電防護 物流部
五金件 庫房、工位架、紙箱、膠筐 磕碰、劃傷 物流部
塑膠件 庫房、工位架、紙箱、膠筐 擠壓、磕碰、劃傷 物流部
包材 庫房、棧板 防雨防潮 物流部
附件及配件

磁鐵 庫房、工位架、棧板、紙箱

紙箱、膠筐
防雨防潮

與其他五金件隔離 物流部

物流部

4.4.3 成品倉防護要求
4.4.3.1 要求防雨防潮，遮陽，保持通風乾燥。
4.4.3.2 出、入庫要輕拿輕放，嚴禁亂摔、亂拋。
4.4.3.3 堆放合理，嚴格按照成品要求的堆放層數堆放。

㈦ 存儲器的類型

根據存儲材料的性能及使用方法的不同，存儲器有幾種不同的分類方法。1、按存儲介質分類：半導體存儲器：用半導體器件組成的存儲器。磁表面存儲器：用磁性材料做成的存儲器。
下面我們就來了解一下存儲器的相關知識。
存儲器大體分為兩大類，一類是掉電後存儲信息就會丟失，另一類是掉電後存儲信息依然保留，前者專業術語稱之為「易失性存儲器」，後者稱之為「非易失性存儲器」。

1 RAM

易失性存儲器的代表就是RAM（隨機存儲器），RAM又分SRAM（靜態隨機存儲器）和DRAM（動態隨機存儲器）。

SRAM
SRAM保存數據是靠晶體管鎖存的，SRAM的工藝復雜，生產成本高，但SRAM速度較快，所以一般被用作Cashe，作為CPU和內存之間通信的橋梁，例如處理器中的一級緩存L1 Cashe, 二級緩存L2 Cashe，由於工藝特點，SRAM的集成度不是很高，所以一般都做不大，所以緩存一般也都比較小。

DRAM
DRAM（動態隨機存儲器）保存數據靠電容充電來維持，DRAM的應用比SRAM更普遍，電腦裡面用的內存條就是DRAM，隨著技術的發展DRAM又發展為SDRAM（同步動態隨機存儲器）DDR SDRAM（雙倍速率同步動態隨機存儲器），SDRAM只在時鍾的上升沿表示一個數據，而DDR SDRAM能在上升沿和下降沿都表示一個數據。
DDR又發展為DDR2,DDR3,DDR4，在此基礎上為了適應移動設備低功耗的要求，又發展出LPDDR(Low Power Double Data Rate SDRAM)，對應DDR技術的發展分別又有了LPDDR2, LPDDR3, LPDDR4。

目前手機中運行內存應用最多的就是 LPDDR3和LPDDR4，主流配置為3G或4G容量，如果達到6G或以上，就屬於高端產品。

2 ROM

ROM(Read Only Memory)在以前就指的是只讀存儲器，這種存儲器只能讀取它裡面的數據無法向裡面寫數據。所以這種存儲器就是廠家造好了寫入數據，後面不能再次修改，常見的應用就是電腦里的BIOS。
後來，隨著技術的發展，ROM也可以寫數據，但是名字保留了下來。
ROM中比較常見的是EPROM和EEPROM。

EPROM
EPROM(Easerable Programable ROM)是一種具有可擦除功能，擦除後即可進行再編程的ROM內存，寫入前必須先把裡面的內容用紫外線照射IC上的透明視窗的方式來清除掉。這一類晶元比較容易識別，其封裝中包含有「石英玻璃窗」，一個編程後的EPROM晶元的「玻璃窗」一般使用黑色不幹膠紙蓋住， 以防止遭到紫外線照射。

EPROM (Easerable Programable ROM)

EPROM存儲器就可以多次擦除然後多次寫入了。但是要在特定環境紫外線下擦除，所以這種存儲器也不方便寫入。

EEPROM
EEPROM(Eelectrically Easerable Programable ROM)，電可擦除ROM，現在使用的比較多，因為只要有電就可擦除數據，再重新寫入數據，在使用的時候可頻繁地反復編程。

FLASH
FLASH ROM也是一種可以反復寫入和讀取的存儲器，也叫快閃記憶體，FLASH是EEPROM的變種，與EEPROM不同的是，EEPROM能在位元組水平上進行刪除和重寫而不是整個晶元擦寫，而FLASH的大部分晶元需要塊擦除。和EEPROM相比，FLASH的存儲容量更大。
FLASH目前應用非常廣泛，U盤、CF卡、SM卡、SD/MMC卡、記憶棒、XD卡、MS卡、TF卡等等都屬於FLASH，SSD固態硬碟也屬於FLASH。

NOR FLAHS & NAND FLASH
Flash又分為Nor Flash和Nand Flash。
Intel於1988年首先開發出Nor Flash 技術，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面；隨後，1989年，東芝公司發表了Nand Flash 結構，強調降低每比特的成本，有更高的性能，並且像磁碟一樣可以通過介面輕松升級。
Nor Flash與Nand Flash不同，Nor Flash更像內存，有獨立的地址線和數據線，但價格比較貴，容量比較小；而Nand Flash更像硬碟，地址線和數據線是共用的I/O線，類似硬碟的所有信息都通過一條硬碟線傳送一樣，而且Nand Flash與Nor Flash相比，成本要低一些，而容量大得多。

如果快閃記憶體只是用來存儲少量的代碼，這時Nor Flash更適合一些。而Nand Flash則是大量數據存儲的理想解決方案。
因此，Nor Flash型快閃記憶體比較適合頻繁隨機讀寫的場合，通常用於存儲程序代碼並直接在快閃記憶體內運行，Nand Flash型快閃記憶體主要用來存儲資料，我們常用的快閃記憶體產品，如U盤、存儲卡都是用Nand Flash型快閃記憶體。
在Nor Flash上運行代碼不需要任何的軟體支持，在Nand Flash上進行同樣操作時，通常需要驅動程序。

目前手機中的機身內存容量都比較大，主流配置已經有32G~128G存儲空間，用的通常就是Nand Flash，另外手機的外置擴展存儲卡也是Nand Flash。

㈧ 鐵電存儲器FRAM的FRAM優勢

FRAM有三種不同的特性使其優於浮柵技術器件：
1. 快速寫入
2. 高耐久性
3. 低功耗
以下列舉了FRAM在一些行業應用領域中與其他存儲器相比較的主要優勢：
頻繁掉電環境
任何非易失性存儲器可以保留配置。可是，配置更改或電源失效情況隨時可能發生，因此，更高寫入耐性的FRAM允許無任何限制的變更記錄。任何時間系統狀態改變，都將寫入新的狀態。這樣可以在電源關閉可用的時間很短或立即失效時狀態被寫入存儲器。
高雜訊環境
在嘈雜的環境下向EEPROM寫數據是很困難的。在劇烈的噪音或功率波動情況下，EEPROM的寫入時間過長會出現漏洞（以毫秒衡量），在此期間寫入可能被中斷。錯誤的概率跟窗口的大小成正比。FRAM的寫入執行窗口少於200ns。
RFID系統
在非接觸式存儲器領域里，FRAM提供一個理想的解決方案。低功耗訪問在RFID系統中至關重要，因為，能源消耗是以距離成指數下降的。想要以最小的能耗讀寫標簽數據就必須保持標簽有足夠近的距離。通過對射頻發射機和接收機改進寫入距離，降低運動的靈敏性（區域內的時間）以及降低射頻（RF）功率需求，使需要寫入的應用（i.e.借記卡，在生產工序中使用的標簽）獲得優勢。
診斷和維護系統
在一個復雜的系統里，記錄系統失效時的操作歷史和系統狀態是非常寶貴的。如果沒有這些數據，能夠准確的解決或執行需求指令是很困難的。由於FRAM具備高耐久性的特點，可以生成一個理想的系統日誌。從計算機工作站到工業過程式控制制不同的系統，都能從FRAM中獲益。

㈨ 電子元器件的存儲條件及有效期的標准及標准來源是什麼

1. 電子元器件必須儲存在清潔、通風、無腐蝕性氣體的倉庫內；除另有規定外，倉庫的溫 度和相對濕度必須滿足如下要求： a.溫度： -5~30℃； b.相對濕度：20%~75%； 倉庫儲存環境條件的優劣直接影響有限儲存期的長短。

2. 對靜電敏感器件 （如 MOS 場效應晶體管、 砷化鎵場效應晶體管、 CMOS 電路等） ， 應存放在具有靜電屏蔽作用的容器內。

3. 對磁場敏感但本身無磁屏蔽的電子元器件，應存放在具有磁屏蔽作用的容器內。

4. 油封的機電原件應保持油封的完整。

具體如下表：